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单向双端口SRAM的测试算法
被引量:
1
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作者
刘伟
周玉梅
叶青
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期89-92,共4页
描述了一种检测单向双端口 SRAM失效的算法 ,采用了基于字的测试方法 ,可以有效地检测字间失效、字内失效和同时读写失效 ,具有失效覆盖率高和测试时间复杂度低的优点。
关键词
单向双端口静态存储器
失效模型
队列
测试
下载PDF
职称材料
题名
单向双端口SRAM的测试算法
被引量:
1
1
作者
刘伟
周玉梅
叶青
机构
中国科学院微电子中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期89-92,共4页
文摘
描述了一种检测单向双端口 SRAM失效的算法 ,采用了基于字的测试方法 ,可以有效地检测字间失效、字内失效和同时读写失效 ,具有失效覆盖率高和测试时间复杂度低的优点。
关键词
单向双端口静态存储器
失效模型
队列
测试
Keywords
register file memories
function fault model
m arch test
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单向双端口SRAM的测试算法
刘伟
周玉梅
叶青
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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