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间接耦合光探测器再分析
被引量：
1
1
作者
尹长松
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期439-440,445,共3页
再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。
关键词
间接
耦合
光
探测器
MOS场效应结构
电荷
耦合
器件
下载PDF
职称材料
题名
间接耦合光探测器再分析
被引量：
1
1
作者
尹长松
机构
武汉大学物理系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期439-440,445,共3页
文摘
再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。
关键词
间接
耦合
光
探测器
MOS场效应结构
电荷
耦合
器件
Keywords
indirect coupling photodetectors
MOS field effect structure
CCD
分类号
TN362 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
间接耦合光探测器再分析
尹长松
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
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