期刊文献+
共找到15篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
热处理对WO_3薄膜光学性质的影响 被引量:6
1
作者 杨晓红 孙彩琴 闫勇彦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1047-1049,共3页
直流反应磁控溅射法制备了WO3薄膜,薄膜在723K纯N2气中被退火处理。热处理前WO3薄膜为无定形态,热处理后为多晶态。采用透射谱和单谐振子模型获得了薄膜的折射率和消光系数,得到退火前后谐振子能量分别为5.77和5.28eV,色散能为19.9和15.... 直流反应磁控溅射法制备了WO3薄膜,薄膜在723K纯N2气中被退火处理。热处理前WO3薄膜为无定形态,热处理后为多晶态。采用透射谱和单谐振子模型获得了薄膜的折射率和消光系数,得到退火前后谐振子能量分别为5.77和5.28eV,色散能为19.9和15.9eV。分析表明退火前后吸收边附近均表现出间接带隙的两段线性关系,间接带隙分别为3.14和2.96eV,声子能量为32和149meV,退火后带隙减小推测可能是由于退火薄膜晶化,氧填隙粒子导致的带尾态效应消失的结果。 展开更多
关键词 三氧化钨薄膜 退火 光学常数 间接带隙
下载PDF
TiO_2纳米管的力学和电子学性质 被引量:4
2
作者 林峰 李缵轶 王山鹰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期8544-8548,共5页
基于密度泛函理论研究了纤铁矿和锐钛矿型TiO2纳米管的原子结构、稳定性、Young模量以及电子能带结构.计算结果显示:在纳米管直径较小时,锐钛矿型TiO2纳米管的稳定性要好于纤铁矿型纳米管,随着管径的增大,纤铁矿型纳米管变得比锐钛矿型... 基于密度泛函理论研究了纤铁矿和锐钛矿型TiO2纳米管的原子结构、稳定性、Young模量以及电子能带结构.计算结果显示:在纳米管直径较小时,锐钛矿型TiO2纳米管的稳定性要好于纤铁矿型纳米管,随着管径的增大,纤铁矿型纳米管变得比锐钛矿型纳米管要更稳定.纤铁矿型TiO2纳米管具有比锐钛矿型纳米管更大的Young模量,力学性能比较优异.另外,通过对电子能带结构的研究发现,手性对TiO2纳米管的电子结构影响较大,纤铁矿(0,n)型和锐钛矿(n,0)型纳米管为间接带隙半导体,而纤铁矿(n,0)型和锐钛矿(0,n)型纳米管却具有直接带隙. 展开更多
关键词 TIO2纳米管 Young模量 间接带隙 直接带隙
原文传递
纳米尺度砷化硼的超大拉伸弹性
3
作者 李鹏辉 郝晓宽 +10 位作者 卢盛林 王林妍 熊国钰 仝柯 段宇 卜叶强 高国英 王宏涛 徐波 聂安民 田非 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期1675-1680,共6页
砷化硼(BAs)是一种具有超高热导率的半导体,未来集成到功能器件会不可避免地承受外部应力,因此对BAs弹性和强度的研究非常紧迫.在这项工作中,我们从BAs单晶中制备了长度为1–3μm,宽度为100–300 nm的BAs纳米桥,并沿着[100],[101]和[111... 砷化硼(BAs)是一种具有超高热导率的半导体,未来集成到功能器件会不可避免地承受外部应力,因此对BAs弹性和强度的研究非常紧迫.在这项工作中,我们从BAs单晶中制备了长度为1–3μm,宽度为100–300 nm的BAs纳米桥,并沿着[100],[101]和[111]取向进行了原位单轴拉伸试验.试验结果表明,BAs单晶纳米桥的拉伸弹性具有明显的取向依赖性,其中[100]取向纳米桥的拉伸应变高达9%,相应拉伸强度高达34.8 GPa.另外,我们从理论上探讨了拉伸应变对BAs电子结构和热输运的影响.结果表明,随着应变的增加,BAs的带隙会减小,晶格热导率显著降低.其中,若沿[111]方向发生12%的拉伸应变,BAs将由间接带隙转变为直接带隙半导体;而在相同应变量下,沿[100]方向的拉伸应变对BAs热导率的影响要显著低于[101]和[111]方向.这些发现为BAs的能带调控和热管理提供了重要的启示,如在实际器件中可通过“应变工程”实现BAs电和热的调控. 展开更多
关键词 单轴拉伸试验 拉伸应变 应变量 晶格热导率 外部应力 功能器件 实际器件 间接带隙
原文传递
2014年诺贝尔物理学奖解读 被引量:1
4
作者 欧阳钟灿 《科学中国人》 2015年第11期14-21,共8页
2014年度的诺贝尔物理奖授予日本日本名城大学赤崎勇(Isamu Akasaki)、名古屋大学天野浩(Hiroshi Amano)和美国加州大学圣巴巴拉分校的中村修二(Shuji Nakamura,美国籍)。此次的获奖理由是"他们发明了高效蓝光发光二极管(LED)... 2014年度的诺贝尔物理奖授予日本日本名城大学赤崎勇(Isamu Akasaki)、名古屋大学天野浩(Hiroshi Amano)和美国加州大学圣巴巴拉分校的中村修二(Shuji Nakamura,美国籍)。此次的获奖理由是"他们发明了高效蓝光发光二极管(LED),该项发明使得高亮度、低功率的白光光源成为现实。" 展开更多
关键词 应用物理学 诺贝尔物理学奖 蓝光发光二极管 瑞典皇家科学院 名古屋大学 获奖理由 巴巴拉 诺贝尔物理奖 间接带隙 异质结构
下载PDF
新型叠层硅基太阳能电池的设计
5
作者 单丹 张超 周寿斌 《电子世界》 2020年第16期175-175,177,共2页
硅基太阳能电池一直是光伏产业发展的主流产品,具有重要的科学研究意义与应用研究价值。众所周知,单晶硅的光学带隙为1.1eV,正好落在太阳光谱的峰值附近,但由于其间接带隙的能带结构,使其对可见光波段的吸收系数较低。
关键词 硅基太阳能电池 太阳光谱 光伏产业 吸收系数 可见光波段 能带结构 光学带隙 间接带隙
下载PDF
MIT推出首款锗激光器
6
作者 韩潇 《半导体信息》 2010年第2期5-6,共2页
据《化合物半导体》2010年2月4日新闻报导,MIT推出首款锗激光器。随着运算能力的增长,芯片需要更高的带宽连接以传输数据。传统的电连接方式略显落后,在更高速率下需要更多的功率。
关键词 首款 MIT 半导体市场 化合物半导体 新闻报导 模拟器件 锗原子 间接带隙 直接带隙半导体 能量状态
原文传递
g-C3N4及其前驱体的性质及应用
7
作者 韩清珍 温浩 《科研信息化技术与应用》 2018年第4期45-54,共10页
无机非金属氮化碳材料由于电子结构独特、不含金属、化学性质稳定且具有一定的可见光响应等,在能源和材料领域的地位日益突出,具有越来越广阔的研究和应用前景。基于氮化碳材料的二维层状结构和性质特征及其相关应用,本文采用密度泛函... 无机非金属氮化碳材料由于电子结构独特、不含金属、化学性质稳定且具有一定的可见光响应等,在能源和材料领域的地位日益突出,具有越来越广阔的研究和应用前景。基于氮化碳材料的二维层状结构和性质特征及其相关应用,本文采用密度泛函理论超软赝势方法,对氮化碳前驱体(melon)、氮氢缺陷前驱体以及石墨相氮化碳(g-C3N4)晶体及其表面结构、能带以及功函数等进行了研究,分析了二维氮化碳材料的物化性质与微观结构的关系。结果表明:Melon为直接带隙半导体,随着结构中氢键的减少,不同层状结构表面的价带和导带边缘位置均会发生改变,从直接带隙变为间接带隙又变回直接带隙半导体,说明可以通过材料表面结构设计达到调控其带隙和光学性质实现不同应用的目的。另外,研究发现不同二维氮化碳材料的费米能级随表面氢键的减少而上移,导致功函数随之减小,表面反应活性增强。本研究结果对促进二维氮化碳材料的广泛应用提供了前提和理论基础,同时也为二维材料结构设计提供了新思路和应用示范。 展开更多
关键词 二维氮化碳材料 结构设计 直接带隙 间接带隙 构效关系
原文传递
最大能隙拓扑绝缘体
8
作者 宋志刚 杨金波 吕劲 《物理》 CAS 北大核心 2015年第8期527-529,共3页
按照导电性通常把晶体分为金属、半金属、半导体和绝缘体四类,他们的导电性依次降低。近些年来,一种新的晶体被发现,它的体内是绝缘的而表面可以是金属态,这种特性是由贝里曲率在布里渊区域的拓扑性质决定的,因此被称为拓扑绝缘体。
关键词 能隙 狄拉克方程 布里渊 自旋轨道耦合 色散关系 金属态 表面态 半金属 相对论效应 间接带隙
原文传递
Ag4Hg(SeO3)2(SeO4): a novel SHG material created in mixed valent selenium oxides by in situ synthesis 被引量:4
9
作者 Xiao-Xue Wang Xiao-Bao Li +2 位作者 Chun-Li Hu Fang Kong Jiang-Gao Mao 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2019年第12期1821-1830,共10页
Explorations of new second harmonic generation materials in Ag^+-Hg^2+/Bi^3+-selenites systems afforded three new silver selenium oxides, namely, Ag4 Hg(SeO3)2(SeO4)(1), Ag2Bi2(SeO3)3(SeO4)(2) and Ag5 Bi(SeO3)4(3). Th... Explorations of new second harmonic generation materials in Ag^+-Hg^2+/Bi^3+-selenites systems afforded three new silver selenium oxides, namely, Ag4 Hg(SeO3)2(SeO4)(1), Ag2Bi2(SeO3)3(SeO4)(2) and Ag5 Bi(SeO3)4(3). They exhibit flexible crystal chemistry. Compounds 1 and 2 are mixed valence selenium oxides containing Se(IV) and Se(VI) cations simultaneously. Compounds 1 and 3 exhibit a 3 D open framework with 4-, 6-and 8-member polyhedral ring tunnels along a, b and c axes. Compound 1 crystallized in a polar space group and could display a subtle frequency doubling efficiency about 35% of the commercial KH2PO4(KDP). UV-vis-NIR spectra reveal that compounds 1–3 are wide-band semiconductors with the optical bandgaps of 3.11, 3.65, 3.58 e V respectively. Theoretical calculations disclose that compounds2 and 3 are indirect band gap structures and their bandgaps are determined by Ag, Bi, Se and O atoms together. 展开更多
关键词 SHG material in situ synthesis mixed valence seleniumoxide SELENITE
原文传递
弛豫型铁电晶体0.92PZN-0.08PT的光吸收特性
10
作者 肖敬忠 杭寅 +1 位作者 王爱华 殷绍唐 《光谱实验室》 CAS CSCD 2002年第1期28-30,共3页
本文研究了 0 .92 PZN- 0 .0 8PT晶体的紫外 -可见 -近红外透过光谱 ,确定了它的吸收边波长为 380 nm,计算出该晶体在此波段的吸收系数 ,拟出了吸收系数与光子能量的关系曲线 ;
关键词 弛豫型铁电晶体 光吸收特性 紫外-可见-近红外透过光谱 间接带隙跃迁 0.92PZN-0.08PT晶体
下载PDF
掺铒的结晶硅
11
作者 刘耀 《稀土信息》 1995年第2期11-11,共1页
硅是光电子技术领域中便宜且实用的材料,但其发光效率不高。由于间接带隙的缘故,硅的晶带间在电激发下发光能力差。根据带隙工程理论,试图通过添加锗或其它的电子杂质,或借助于可引起幅射二次结合的结构缺陷来克服这一问题,但没有取得... 硅是光电子技术领域中便宜且实用的材料,但其发光效率不高。由于间接带隙的缘故,硅的晶带间在电激发下发光能力差。根据带隙工程理论,试图通过添加锗或其它的电子杂质,或借助于可引起幅射二次结合的结构缺陷来克服这一问题,但没有取得成功。 展开更多
关键词 发光效率 光电子技术 再结晶 结构缺陷 掺铒 间接带隙 4f电子跃迁 发光能 通讯技术 工程理论
下载PDF
深圳先进院合作在新型二维材料领域取得进展
12
《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2542-2542,共1页
近日,中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋课题组与香港城市大学教授朱剑豪、深圳大学教授张晗合作,由课题组成员孙正博和谢寒寒等成功研发出新型的超小黑磷量子点,并应用于肿瘤的光热治疗。相关论文《超小黑磷量子点的合成和光... 近日,中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋课题组与香港城市大学教授朱剑豪、深圳大学教授张晗合作,由课题组成员孙正博和谢寒寒等成功研发出新型的超小黑磷量子点,并应用于肿瘤的光热治疗。相关论文《超小黑磷量子点的合成和光热治疗应用》(Ultrasmall Black Phosphorus Quantum Dots:Synthesis and Use as Photothermal Agents,DOI:10.1002/anie.201506154)已被《德国应用化学》(Angew.Chem.Int.Ed.)封面报道(Inside Cover Story),并被评为热点文章(Hot Paper)。二维层状材料,如石墨烯和过渡金属硫化物(TMDs)等,由于其优异特性,已经成为一类在基础研究和潜在应用中拥有广阔前景的纳米材料。受到石墨烯和TMDs独特二维特性的启发, 展开更多
关键词 黑磷 纳米材料 石墨烯 量子点 城市大学 治疗应用 间接带隙 封面报道 朱剑 基础研究
下载PDF
发光材料、荧光材料
13
《中国光学》 EI CAS 2000年第5期98-98,共1页
O482.31 2000053654Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si低维应变材料的发光机理=Light emittingmechanism of Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si low-dimensionalstrained materials[... O482.31 2000053654Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si低维应变材料的发光机理=Light emittingmechanism of Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si low-dimensionalstrained materials[刊,中]/韩伟华,余金中(中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室.北京(100083))//半导体光电.—1999,20(6).—400-404间接带隙Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> 展开更多
关键词 发光材料 半导体光电子学 发光机理 集成光电子学 应变材料 序涨落 间接带隙 合金材料 实验室 硅基纳米材料
下载PDF
多孔硅的发光机制
14
作者 丛培申 《中国教师》 2007年第S2期203-203,共1页
光电集成是信息科技发展的必然趋势,然而单晶体硅的禁带宽度窄小(约1.12eV),又属于间接带隙半导体,决定了它不能直接应用于光电器件。直到1990年,Canham发现室温下介孔尺寸多孔硅强烈的光致发光现象,才再一次引发了硅基发光材料的研究... 光电集成是信息科技发展的必然趋势,然而单晶体硅的禁带宽度窄小(约1.12eV),又属于间接带隙半导体,决定了它不能直接应用于光电器件。直到1990年,Canham发现室温下介孔尺寸多孔硅强烈的光致发光现象,才再一次引发了硅基发光材料的研究热潮。近十几年来,多孔硅的大量研究主要集中在成核机理、 展开更多
关键词 多孔硅 量子限制效应 光致发光 禁带宽度 表面态 光电集成 必然趋势 光电器件 硅基发光材料 间接带隙半导体
原文传递
日益活跃的蓝色发光材料的研究进展
15
作者 刘艳红 胡礼中 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第S2期139-139,共1页
日益活跃的蓝色发光材料的研究进展刘艳红胡礼中(大连理工大学物理系116024)蓝色在全彩色化显示及提高存储密度方面有重要的应用价值。传统的蓝色发光材料有SiC、ZnSe、GaN等。SiC是间接带隙半导体,发光强度有限... 日益活跃的蓝色发光材料的研究进展刘艳红胡礼中(大连理工大学物理系116024)蓝色在全彩色化显示及提高存储密度方面有重要的应用价值。传统的蓝色发光材料有SiC、ZnSe、GaN等。SiC是间接带隙半导体,发光强度有限,其发光二极管亮度只有10~20m... 展开更多
关键词 蓝色发光材料 蓝色发光二极管 多孔硅 研究进展 硅基发光材料 间接带隙半导体 日亚化学公司 大连理工大学 氧化硅 大屏幕显示
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部