-
题名碳化硅功率器件技术综述与展望
被引量：91
- 1
-
-
作者
盛况
任娜
徐弘毅
-
机构
浙江大学电气工程学院
-
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第6期1741-1752,共12页
-
基金
国家重点研发计划项目(2018YFB0905703)
国家自然科学基金项目(51777187,U1766222)。
-
文摘
碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述。最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望。
-
关键词
碳化硅
功率器件
二极管
结型场效应晶体管
金氧半场效晶体管
绝缘栅双极型晶体管
门极可断晶闸管
-
Keywords
silicon carbide(SiC)
power device
diodes
junction field effect transistor(JFET)
metal-oxidesemiconductor field effect transistor(MOSFET)
insulator gate bipolar transistor(IGBT)
gate turn-off thyristor(GTO)
-
分类号
TM461.5
[电气工程—电器]
-
