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掺铒Al_2O_3薄膜与镱铒共掺Al_2O_3薄膜光致发光特性比较
被引量：
7
1
作者
李成仁
宋昌烈
+3 位作者
李淑凤
宋琦
李建勇
雷明凯
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期212-215,共4页
用中频磁控溅射工艺分别制备了掺铒Al2O3薄膜和镱铒共掺Al2O3薄膜,室温下测量了它们的光致发光特性。结果表明:镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光的峰值强度为掺铒Al2O3薄膜的8倍以上,两者的半值宽度近似相等;泵浦功率增强,掺铒Al2O3薄膜光致...
用中频磁控溅射工艺分别制备了掺铒Al2O3薄膜和镱铒共掺Al2O3薄膜,室温下测量了它们的光致发光特性。结果表明:镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光的峰值强度为掺铒Al2O3薄膜的8倍以上,两者的半值宽度近似相等;泵浦功率增强,掺铒Al2O3薄膜光致发光强度出现饱和趋势,但镱铒共掺Al2O3薄膜的光致发光强度随泵浦功率线性增加。
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关键词
中频磁控溅射
掺
铒
al
2
o
3
薄膜
镱
铒
共
掺
al
2
o
3
薄膜
光致发光特性
下载PDF
职称材料
镱铒共掺Al_2O_3薄膜激光退火研究
被引量：
6
2
作者
李成仁
宋世德
+3 位作者
周松强
宋昌烈
于清旭
雷明凯
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期1322-1326,共5页
讨论了激光退火工艺参量对镱铒共掺Al2O3薄膜表面形貌和退火均匀性的影响。薄膜样品被置放于衰减扩束透镜的3倍焦距位置时,薄膜上8 mm半径区域内近似均匀退火;退火时间为32 s时,表面形貌与退火前基本相同。阈值退火功率为5 W,最佳退火...
讨论了激光退火工艺参量对镱铒共掺Al2O3薄膜表面形貌和退火均匀性的影响。薄膜样品被置放于衰减扩束透镜的3倍焦距位置时,薄膜上8 mm半径区域内近似均匀退火;退火时间为32 s时,表面形貌与退火前基本相同。阈值退火功率为5 W,最佳退火功率为20 W。对相同工艺制备的镱铒共掺Al2O3薄膜分别进行CO2激光退火和热退火处理,光致发光(PL)谱测量表明,前者峰值强度比后者强10倍以上,并且热退火光致发光强度随抽运功率增加出现饱和、下降,而激光退火近似随抽运功率单调线性增强。
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关键词
薄膜
光学
镱
铒
共
掺
al
2
o
3
薄膜
激光退火
表面形貌
退火均匀性
原文传递
镱铒共掺Al2O3薄膜上转换机理及其温度特性
被引量：
4
3
作者
李成仁
明成国
+3 位作者
李淑凤
丁建华
王宝成
张丽
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期6604-6608,共5页
采用中频磁控溅射法制备了镱铒共掺Al2O3薄膜,铒镱掺杂浓度分别为0.3%,3.6%(摩尔分数,全文同).讨论了三价铒离子529 nm和549 nm光致发光的上转换机理.在291.8—573.3 K温度区间测量了两绿上转换光谱荧光强度比的温度特性,拟合表达式为R=...
采用中频磁控溅射法制备了镱铒共掺Al2O3薄膜,铒镱掺杂浓度分别为0.3%,3.6%(摩尔分数,全文同).讨论了三价铒离子529 nm和549 nm光致发光的上转换机理.在291.8—573.3 K温度区间测量了两绿上转换光谱荧光强度比的温度特性,拟合表达式为R=5.37exp(-738/T).366 K温度时灵敏度最大,为0.0039 K-1.结果表明镱铒共掺Al2O3薄膜适合作为小型、高温和高灵敏的光学温度传感材料.
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关键词
镱
铒
共
掺
al
2
o
3
薄膜
中频磁控溅射
上转换
荧光强度比
原文传递
脉冲激光溅射沉积光学增益薄膜实验研究
被引量：
2
4
作者
刘中凡
郝雪
+2 位作者
周松强
朱文选
宋昌烈
《应用激光》
CSCD
北大核心
2008年第2期120-123,共4页
用脉冲激光沉积方法,以多靶交替溅射方式,在SiO2/Si基底上沉积镱铒共掺Al2O3光学薄膜,讨论了脉冲激光能量对薄膜沉积速率、表面形貌、光致发光强度的影响。在脉冲激光能量较高条件下制备出的薄膜的光致发光性能较好,脉冲激光能量较低条...
用脉冲激光沉积方法,以多靶交替溅射方式,在SiO2/Si基底上沉积镱铒共掺Al2O3光学薄膜,讨论了脉冲激光能量对薄膜沉积速率、表面形貌、光致发光强度的影响。在脉冲激光能量较高条件下制备出的薄膜的光致发光性能较好,脉冲激光能量较低条件下制备出的薄膜的表面形貌较均匀。综合放大器增益系数对光致发光强度和光刻工艺对薄膜表面形貌的要求,薄膜应该在合适的激光能量下制备。脉冲激光溅射沉积方法与中频磁控溅射方法相比,在抑制上转换发光方面具有优越性。
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关键词
脉冲激光沉积
镱
铒
共
掺
al
2
o
3
薄膜
表面形貌
光致发光
原文传递
题名
掺铒Al_2O_3薄膜与镱铒共掺Al_2O_3薄膜光致发光特性比较
被引量：
7
1
作者
李成仁
宋昌烈
李淑凤
宋琦
李建勇
雷明凯
机构
大连理工大学物理系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期212-215,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(69889701)
辽宁省科学技术厅资助项目(20022110)
辽宁省教育厅资助项目(202123198).
文摘
用中频磁控溅射工艺分别制备了掺铒Al2O3薄膜和镱铒共掺Al2O3薄膜,室温下测量了它们的光致发光特性。结果表明:镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光的峰值强度为掺铒Al2O3薄膜的8倍以上,两者的半值宽度近似相等;泵浦功率增强,掺铒Al2O3薄膜光致发光强度出现饱和趋势,但镱铒共掺Al2O3薄膜的光致发光强度随泵浦功率线性增加。
关键词
中频磁控溅射
掺
铒
al
2
o
3
薄膜
镱
铒
共
掺
al
2
o
3
薄膜
光致发光特性
Keywords
middle frequency sputtering
Er-d
o
ped
al
_
2
o
_
3
films
Yb∶Er c
o
-d
o
ped
al
_
2
o
_3 films
ph
o
t
o
luminescent characteristics
分类号
O613 [理学—无机化学]
下载PDF
职称材料
题名
镱铒共掺Al_2O_3薄膜激光退火研究
被引量：
6
2
作者
李成仁
宋世德
周松强
宋昌烈
于清旭
雷明凯
机构
大连理工大学物理与光电工程学院
大连理工大学材料科学与工程学院
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期1322-1326,共5页
基金
国家自然科学基金(60477023)
辽宁省科技厅基金(20062137)资助课题
文摘
讨论了激光退火工艺参量对镱铒共掺Al2O3薄膜表面形貌和退火均匀性的影响。薄膜样品被置放于衰减扩束透镜的3倍焦距位置时,薄膜上8 mm半径区域内近似均匀退火;退火时间为32 s时,表面形貌与退火前基本相同。阈值退火功率为5 W,最佳退火功率为20 W。对相同工艺制备的镱铒共掺Al2O3薄膜分别进行CO2激光退火和热退火处理,光致发光(PL)谱测量表明,前者峰值强度比后者强10倍以上,并且热退火光致发光强度随抽运功率增加出现饱和、下降,而激光退火近似随抽运功率单调线性增强。
关键词
薄膜
光学
镱
铒
共
掺
al
2
o
3
薄膜
激光退火
表面形貌
退火均匀性
Keywords
thin film
o
ptics
Yb-Er c
o
-d
o
ped A1
2
0
3
films
laser anne
al
ing
surface m
o
rph
o
l
o
gy
anne
al
ing unif
o
rmity
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
O433.1 [理学—物理]
原文传递
题名
镱铒共掺Al2O3薄膜上转换机理及其温度特性
被引量：
4
3
作者
李成仁
明成国
李淑凤
丁建华
王宝成
张丽
机构
辽宁师范大学物理与电子技术学院
大连理工大学物理与光电工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期6604-6608,共5页
基金
辽宁省科技厅基金(批准号:20062137)资助的课题~~
文摘
采用中频磁控溅射法制备了镱铒共掺Al2O3薄膜,铒镱掺杂浓度分别为0.3%,3.6%(摩尔分数,全文同).讨论了三价铒离子529 nm和549 nm光致发光的上转换机理.在291.8—573.3 K温度区间测量了两绿上转换光谱荧光强度比的温度特性,拟合表达式为R=5.37exp(-738/T).366 K温度时灵敏度最大,为0.0039 K-1.结果表明镱铒共掺Al2O3薄膜适合作为小型、高温和高灵敏的光学温度传感材料.
关键词
镱
铒
共
掺
al
2
o
3
薄膜
中频磁控溅射
上转换
荧光强度比
Keywords
Yb： Er：
al
2
o
3
c
o
-d
o
ped film, medium frequency magnetr
o
n sputter, up-c
o
nversi
o
n, flu
o
rescence intensity rati
o
分类号
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
脉冲激光溅射沉积光学增益薄膜实验研究
被引量：
2
4
作者
刘中凡
郝雪
周松强
朱文选
宋昌烈
机构
大连大学物理科学与技术学院激光光电子实验室
出处
《应用激光》
CSCD
北大核心
2008年第2期120-123,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(项目编号:60477023)
文摘
用脉冲激光沉积方法,以多靶交替溅射方式,在SiO2/Si基底上沉积镱铒共掺Al2O3光学薄膜,讨论了脉冲激光能量对薄膜沉积速率、表面形貌、光致发光强度的影响。在脉冲激光能量较高条件下制备出的薄膜的光致发光性能较好,脉冲激光能量较低条件下制备出的薄膜的表面形貌较均匀。综合放大器增益系数对光致发光强度和光刻工艺对薄膜表面形貌的要求,薄膜应该在合适的激光能量下制备。脉冲激光溅射沉积方法与中频磁控溅射方法相比,在抑制上转换发光方面具有优越性。
关键词
脉冲激光沉积
镱
铒
共
掺
al
2
o
3
薄膜
表面形貌
光致发光
Keywords
Pulse laser dep
o
siti
o
n （PLD）
Er^3＋/Yb^3＋ c
o
-d
o
ped
al
2
o
3 films
surface t
o
p
o
graphy
ph
o
t
o
luminescence
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺铒Al_2O_3薄膜与镱铒共掺Al_2O_3薄膜光致发光特性比较
李成仁
宋昌烈
李淑凤
宋琦
李建勇
雷明凯
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2005
7
下载PDF
职称材料
2
镱铒共掺Al_2O_3薄膜激光退火研究
李成仁
宋世德
周松强
宋昌烈
于清旭
雷明凯
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
6
原文传递
3
镱铒共掺Al2O3薄膜上转换机理及其温度特性
李成仁
明成国
李淑凤
丁建华
王宝成
张丽
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
原文传递
4
脉冲激光溅射沉积光学增益薄膜实验研究
刘中凡
郝雪
周松强
朱文选
宋昌烈
《应用激光》
CSCD
北大核心
2008
2
原文传递
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