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镜像势对碳纳米管阵列场发射特性的影响 被引量:5
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作者 何春山 王伟良 +1 位作者 陈桂华 李志兵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第F06期241-245,共5页
采用多尺度量子化学方法模拟了碳纳米管阵列的场发射特性.碳纳米管镜像势的作用可以等效地用原子尺寸的理想金属球的镜像势来代替.模拟计算结果表明,考虑了镜像势作用后的碳纳米管阵列发射电流密度比没有考虑镜像势的结果增大了约6倍.
关键词 镜像 碳纳米管 场致发射
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镜像势引起的势垒降低对超薄栅 MOS结构的直接隧穿电流的影响
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作者 毛凌锋 卫建林 +2 位作者 穆甫臣 谭长华 许铭真 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1044-1047,共4页
随着器件尺寸的不断减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .数值求解的结果表明 :镜像势引起的势垒降低对超薄栅 MOS直接隧穿电流有较大的影响 .利用 WKB近似方法 ,获得了镜像势对直接隧穿电流影响的定性表达... 随着器件尺寸的不断减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .数值求解的结果表明 :镜像势引起的势垒降低对超薄栅 MOS直接隧穿电流有较大的影响 .利用 WKB近似方法 ,获得了镜像势对直接隧穿电流影响的定性表达式 .镜像势对直接隧穿电流的影响随着栅电压的减小而增大 。 展开更多
关键词 镜像 直接隧穿电流 MOS结构 超薄栅
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Fast Fabrication and Judgement of Tip-Enhanced Raman Spectroscopy-Active Tips
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作者 Xian-Biao Zhang Yu-Fan Zhang +6 位作者 Hang Li Jie Cui Song Jiang Ben Yang Yang Zhang Yao Zhang Zhen-Chao Dong 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第5期713-719,I0011,共8页
The quality of the scanning tip is crucial for tip-enhanced Raman spectroscopy(TERS)experiments towards large signal enhancement and high spatial resolution.In this work,we report a controllable fabrication method to ... The quality of the scanning tip is crucial for tip-enhanced Raman spectroscopy(TERS)experiments towards large signal enhancement and high spatial resolution.In this work,we report a controllable fabrication method to prepare TERS-active tips by modifying the tip apex at the atomic scale,and propose two important criteria to in-situ judge the tip’s TERS activity for tip-enhanced Raman measurements.One criterion is based on the downshift of the first image potential state to monitor the coupling between the far-field incident laser and near-field plasmon;the other is based on the appearance of the low-wavenumber Raman peaks associated with an atomistic protrusion at the tip apex to judge the coupling efficiency of emissions from the near field to the far field.This work provides an effective method to quickly fabricate and judge TERS-active tips before real TERS experiments on target molecules and other materials,which is believed to be instrumental for the development of TERS and other tip-enhanced spectroscopic techniques. 展开更多
关键词 Tip-enhanced Raman spectroscopy Tip-enhanced Raman spectroscopy-active tip Atomistic protrusion Image potential state
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三层电介质的镜像势 被引量:1
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作者 吴嘉欣 李志兵 《大学物理》 北大核心 2013年第7期44-46,共3页
讨论了三层电介质结构中不同位置的点电荷产生的电势分布、镜像力和镜像势,并运用镜像法求得了相关物理量的解析表达式.
关键词 镜像 纳米薄膜 异质结
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金属/多孔硅/硅结构发光器件输运特性的研究
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作者 卓敬清 李宏建 +1 位作者 夏辉 崔昊杨 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期482-486,共5页
基于Vlkulov等人对金属/多孔硅/硅结构输运特性的研究,分析了载流子在金属/多孔硅/硅结构中的输运过程,研究了各层中电场强度以及电压的分布,讨论了镜像势在正反向偏压下对金属/多孔硅/硅结构I-V特性的影响。结果表明:金属/多孔硅/硅结... 基于Vlkulov等人对金属/多孔硅/硅结构输运特性的研究,分析了载流子在金属/多孔硅/硅结构中的输运过程,研究了各层中电场强度以及电压的分布,讨论了镜像势在正反向偏压下对金属/多孔硅/硅结构I-V特性的影响。结果表明:金属/多孔硅/硅结构中电流主要受表面态电荷和界面层影响,改变多孔硅层厚度将导致各层中电压的重新分布,不管是正向偏压还是反向偏压,电流随厚度的增加而减小;镜像势在正向偏压时对电流的影响可以忽略,但随反向偏压增大镜像势对电流的影响越来越大。 展开更多
关键词 多孔硅 金属/多孔硅/硅结构 输运特性 镜像
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镜像势对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体双势垒共振隧穿系统Ⅰ-Ⅴ特性的影响
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作者 滕小瑛 《内蒙古工业大学学报(自然科学版)》 1999年第1期26-30,共5页
本文围绕镜像势对双势垒共振隧穿系统电流—电压特性的影响作了系统的分析探讨,并在考虑和不考虑像势影响的两种情况下对该特性作了计算比较。结果清楚显示镜像势对具较大介电性能差别的系统之电流—电压曲线会引起明显的峰的漂移。
关键词 镜像 Ⅱ-Ⅵ族半导体 Ⅲ-Ⅴ族半导体 DBRT
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三层电介质中电势和镜像势的求解
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作者 许昕 《广西物理》 2013年第1期39-42,共4页
将两种电介质界面附近点电荷产生的电势和镜像势的方法做了推广,分情况进一步讨论了三层电介质结构中的电势分布、镜像力和镜像势,并运用镜像法求得了相关物理量的解析表达式。
关键词 镜像 电介质 点电荷
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