期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Cu／Ni多层膜强化机理的分子动力学模拟 被引量：10
1
作者 程东 严志军 严立 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1461-1464,共4页
运用分子动力学方法模拟了Cu/Ni薄膜结构在纳米压入和微摩擦过程位错的运动规律,探讨了薄膜结构中位错与界面的相互作用规律.结果表明:Cu/Ni多层膜结构中的层间界面会阻碍位错继续向材料内部扩展,阻碍作用主要来自于两个方面:界面失配... 运用分子动力学方法模拟了Cu/Ni薄膜结构在纳米压入和微摩擦过程位错的运动规律,探讨了薄膜结构中位错与界面的相互作用规律.结果表明:Cu/Ni多层膜结构中的层间界面会阻碍位错继续向材料内部扩展,阻碍作用主要来自于两个方面:界面失配位错网对位错运动的排斥阻力使其难以到达或穿过界面;由弹性模量差而产生的界面镜像力使位错被限制在Cu单层膜内运动.这种阻碍作用有利于提高Cu/Ni多层薄膜的力学性能. 展开更多
关键词 Cu/Ni多层膜 分子动力学模拟 失配位错 镜像力
下载PDF
降低肖特基势垒高度的途径探讨 被引量：3
2
作者 王菁 李美成 +5 位作者 吴敢 李勇华 杨建平 雷占许 李东辉 陈学康 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期261-265,共5页
通过深入地分析影响金属 -半导体肖特基势垒的各种因素 ,探讨了几种降低肖特基势垒高度的途径 ,其中 ,特别是通过汽相激光诱导化学掺杂技术在金属 -半导体界面上制作一足够薄的高掺杂层 ,可以使肖特基势垒高度得到显著降低。这种技术的... 通过深入地分析影响金属 -半导体肖特基势垒的各种因素 ,探讨了几种降低肖特基势垒高度的途径 ,其中 ,特别是通过汽相激光诱导化学掺杂技术在金属 -半导体界面上制作一足够薄的高掺杂层 ,可以使肖特基势垒高度得到显著降低。这种技术的应用 ,对在PtSi/Si界面上制作超浅结和在半导体器件中制作良好的欧姆接触提供了广阔的应用前景。 展开更多
关键词 肖特基势垒 界面态 镜像力 激光掺杂
下载PDF
4H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应 被引量：1
3
作者 童武林 孙玉俊 +2 位作者 刘益宏 赵高杰 陈之战 《上海师范大学学报（自然科学版）》 2015年第4期430-434,共5页
以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象,对其进行I-V测试.通过对实验数据的理论模拟,研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应.研究结果表明:温度升高,碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低,漏电流急剧增加.正... 以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象,对其进行I-V测试.通过对实验数据的理论模拟,研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应.研究结果表明:温度升高,碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低,漏电流急剧增加.正向导通时符合热电子发射机理,镜像力和隧穿效应共同作用使得反向偏压下的漏电流增加并能较好地和实验值相一致. 展开更多
关键词 碳化肖特基二极管 热电子发射 镜像力 隧穿效应 温度
下载PDF
p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
4
作者 王彦杰 杨子文 +6 位作者 廖辉 胡成余 潘尧波 杨志坚 章蓓 张国义 胡晓东 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期372-375,共4页
运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析... 运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好. 展开更多
关键词 P-GAN 传输线 镜像力 Ni/Au电极
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部