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用充Kr(CH_4)的屏栅电离室测量^(64)Zn(n,α) ^(61)Ni反应截面和角分布
1
作者
袁镜
陈泽民
+4 位作者
唐国有
陈金象
张国辉
Yu.M.Gledonov
M.V.Sedysheva
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期442-444,461,共4页
用屏栅电离室重点对 5 .0、5 .7、6 .5 Me V中子 64Zn(n,α) 61Ni反应角分布和微分截面进行了测量 ,同时兼测 10 B(n,α) 7Li,利用氚气体通过 D(d,n) 3 He反应来刻度 ,工作气体采用 Kr+ 4 .71% CH4,由于采用了 Kr+ 4 .71% CH4为工作气...
用屏栅电离室重点对 5 .0、5 .7、6 .5 Me V中子 64Zn(n,α) 61Ni反应角分布和微分截面进行了测量 ,同时兼测 10 B(n,α) 7Li,利用氚气体通过 D(d,n) 3 He反应来刻度 ,工作气体采用 Kr+ 4 .71% CH4,由于采用了 Kr+ 4 .71% CH4为工作气体 ,消除了 16O的 (n,α)干扰。首次很清晰地得到了多组激发态的64Zn(n,α) 61Ni的事件双维谱以及激发态的 10 B(n,α) 7L i事件双维谱 ,测量结果表明 64Zn(n,α) 61Ni的角分布在 5 .7Me V时很接近 90°对称 ,而到 6 .5 Me V时明显后倾。
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关键词
Kr(CH4)
测量
反应截面
角分布
屏栅电离室
快中子
核反应
锌64
镍
61
下载PDF
职称材料
题名
用充Kr(CH_4)的屏栅电离室测量^(64)Zn(n,α) ^(61)Ni反应截面和角分布
1
作者
袁镜
陈泽民
唐国有
陈金象
张国辉
Yu.M.Gledonov
M.V.Sedysheva
机构
清华大学物理系
北京大学教育部重点实验室
Joint Institute for Nuclear Research
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期442-444,461,共4页
文摘
用屏栅电离室重点对 5 .0、5 .7、6 .5 Me V中子 64Zn(n,α) 61Ni反应角分布和微分截面进行了测量 ,同时兼测 10 B(n,α) 7Li,利用氚气体通过 D(d,n) 3 He反应来刻度 ,工作气体采用 Kr+ 4 .71% CH4,由于采用了 Kr+ 4 .71% CH4为工作气体 ,消除了 16O的 (n,α)干扰。首次很清晰地得到了多组激发态的64Zn(n,α) 61Ni的事件双维谱以及激发态的 10 B(n,α) 7L i事件双维谱 ,测量结果表明 64Zn(n,α) 61Ni的角分布在 5 .7Me V时很接近 90°对称 ,而到 6 .5 Me V时明显后倾。
关键词
Kr(CH4)
测量
反应截面
角分布
屏栅电离室
快中子
核反应
锌64
镍
61
Keywords
gridded ionization chamber
64 Zn(n, α)
61
Ni reaction
10 B(n, α) 7Li reaction
angular distribution
分类号
O571.421 [理学—粒子物理与原子核物理]
O571.41 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用充Kr(CH_4)的屏栅电离室测量^(64)Zn(n,α) ^(61)Ni反应截面和角分布
袁镜
陈泽民
唐国有
陈金象
张国辉
Yu.M.Gledonov
M.V.Sedysheva
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
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