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题名CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究
被引量：1
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作者
黄子宽
张怀武
唐晓莉
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2015年第3期460-463,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(50972023)
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文摘
采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得到具有一定表面平整性的基片。基于处理后的铁氧体基片制作的TaN薄膜功率电阻器的功率显著提高,从1 W提升到了2.5 W。
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关键词
镍锌铁氧体基片
TaN薄膜电阻器
CAS玻璃釉
功率
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Keywords
Ni-Zn ferrite substrate
TaN thin film resistors
CAS glass glaze
power
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分类号
TN384
[电子电信—物理电子学]
TM54
[电气工程—电器]
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题名AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究
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作者
赵祖静
张怀武
唐晓莉
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期920-922,共3页
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基金
国家自然科学基金资助项目(50972023)
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文摘
利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm^2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基片的表面特性及散热能力。带AlN薄膜缓冲层的TaN薄膜电阻器的功率密度可达3.76 W/mm^2。
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关键词
磁控溅射
镍锌铁氧体基片
AlN薄膜缓冲层
TaN薄膜电阻器
功率密度
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Keywords
magnetron sputtering
Ni-Zn ferrite substrate
AlN thin film buffer layer
TaN thin film resistors
power density
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分类号
TN384
[电子电信—物理电子学]
TM54
[电气工程—电器]
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