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半导体硅上电沉积Ni-Pd-P薄膜及其结构
被引量:
1
1
作者
刘冰
姚素薇
+2 位作者
郭鹤桐
袁华堂
张允什
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期16-20,共5页
采用控电位的沉积方式在半导体硅上制备出NiPdP薄膜,结果表明镀液中H3PO3含量的增加对P、Ni的析出有促进作用,对Pd的析出有抑制作用.随pH值的升高,镍含量不断升高,Pd、P含量不断下降.P含量对薄膜内应力...
采用控电位的沉积方式在半导体硅上制备出NiPdP薄膜,结果表明镀液中H3PO3含量的增加对P、Ni的析出有促进作用,对Pd的析出有抑制作用.随pH值的升高,镍含量不断升高,Pd、P含量不断下降.P含量对薄膜内应力有很大影响,含P质量分数为149%的NiPdP镀层表面上有许多裂缝,当P含量增加到261%时,镀层表面的裂缝已基本消失,继续增加P含量到350%时,裂缝完全消失.NiPdP镀层的结构与其组成密切相关,P含量小于200%的NiPdP镀层形成的是面心立方结构的固溶体.P含量大于400%的薄膜为非晶态结构.
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关键词
半导体硅
电沉积
结构
镀层
镍
钯
磷
薄膜
下载PDF
职称材料
题名
半导体硅上电沉积Ni-Pd-P薄膜及其结构
被引量:
1
1
作者
刘冰
姚素薇
郭鹤桐
袁华堂
张允什
机构
南开大学新能源材料化学研究所
天津大学化工学院
出处
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期16-20,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
采用控电位的沉积方式在半导体硅上制备出NiPdP薄膜,结果表明镀液中H3PO3含量的增加对P、Ni的析出有促进作用,对Pd的析出有抑制作用.随pH值的升高,镍含量不断升高,Pd、P含量不断下降.P含量对薄膜内应力有很大影响,含P质量分数为149%的NiPdP镀层表面上有许多裂缝,当P含量增加到261%时,镀层表面的裂缝已基本消失,继续增加P含量到350%时,裂缝完全消失.NiPdP镀层的结构与其组成密切相关,P含量小于200%的NiPdP镀层形成的是面心立方结构的固溶体.P含量大于400%的薄膜为非晶态结构.
关键词
半导体硅
电沉积
结构
镀层
镍
钯
磷
薄膜
Keywords
semiconductor silicon,Ni Pd P film,electrodeposition,structure
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体硅上电沉积Ni-Pd-P薄膜及其结构
刘冰
姚素薇
郭鹤桐
袁华堂
张允什
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
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