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半导体硅上电沉积Ni-Pd-P薄膜及其结构 被引量:1
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作者 刘冰 姚素薇 +2 位作者 郭鹤桐 袁华堂 张允什 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期16-20,共5页
采用控电位的沉积方式在半导体硅上制备出NiPdP薄膜,结果表明镀液中H3PO3含量的增加对P、Ni的析出有促进作用,对Pd的析出有抑制作用.随pH值的升高,镍含量不断升高,Pd、P含量不断下降.P含量对薄膜内应力... 采用控电位的沉积方式在半导体硅上制备出NiPdP薄膜,结果表明镀液中H3PO3含量的增加对P、Ni的析出有促进作用,对Pd的析出有抑制作用.随pH值的升高,镍含量不断升高,Pd、P含量不断下降.P含量对薄膜内应力有很大影响,含P质量分数为149%的NiPdP镀层表面上有许多裂缝,当P含量增加到261%时,镀层表面的裂缝已基本消失,继续增加P含量到350%时,裂缝完全消失.NiPdP镀层的结构与其组成密切相关,P含量小于200%的NiPdP镀层形成的是面心立方结构的固溶体.P含量大于400%的薄膜为非晶态结构. 展开更多
关键词 半导体硅 电沉积 结构 镀层 薄膜
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