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真空微电子触觉传感器场致发射阵列的研究
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作者 温志渝 何清义 +2 位作者 江永清 林鹏 蒋子平 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1998年第4期12-16,共5页
阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺，在电阻率为３～５Ω·ｃｍ的ｎ型（１００）硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列，锥尖密度达３９００... 阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺，在电阻率为３～５Ω·ｃｍ的ｎ型（１００）硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列，锥尖密度达３９００个／ｍｍ２，起始发射电压为２～３Ｖ，反向击穿电压大于３０Ｖ，收集极在２０Ｖ在电压时，单尖发射电流达０．２μＡ，实验结果表明这种真空微电子触觉传感器具有良好的触觉效应。 展开更多
关键词 场致发射 锥尖陈列 真空微电子 触觉传感器
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