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65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估 被引量：5
1
作者 何安林 郭刚 +2 位作者 沈东军 刘建成 史淑廷 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期366-372,共7页
质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了... 质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了低能质子、高能质子和重离子引起的错误率。错误率预估分析结果表明,不同轨道及环境模型下低能质子错误率占总错误率的比例范围为1%～86%,其中太阳质子事件、地球俘获带等环境模型中低能质子单粒子翻转引起的错误率占主导,建议空间应用的元器件对低能质子不敏感。 展开更多
关键词 质子单粒子翻转 空间辐射环境 错误率预估
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基于激光实验探测32位微处理器的敏感体深度
2
作者 于春青 范隆 +2 位作者 岳素格 陈茂鑫 郑宏超 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第6期171-175,共5页
为了更好地设置不同错误率预估模型的参数以及为抗辐射加固设计提供指导,以微处理器为例,针对敏感体深度这一参数进行了探测.利用脉冲激光局域辐照以及聚焦深度可调的优势对180nm体硅CMOS工艺的32位微处理器的缓存(cache)区域、寄存器堆... 为了更好地设置不同错误率预估模型的参数以及为抗辐射加固设计提供指导,以微处理器为例,针对敏感体深度这一参数进行了探测.利用脉冲激光局域辐照以及聚焦深度可调的优势对180nm体硅CMOS工艺的32位微处理器的缓存(cache)区域、寄存器堆(regfile)区域以及组合逻辑区域进行了敏感体深度的探测,结果表明,在同一工艺下的不同功能敏感区域内,其敏感体深度基本一致,均为1μm左右.这一方法能够准确、方便、快速地获取器件的敏感参数,为更好地对器件进行错误率预估提供参考. 展开更多
关键词 微处理器 敏感体深度 激光背部辐照 错误率预估
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温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响 被引量：2
3
作者 蔡莉 刘建成 +9 位作者 覃英参 李丽丽 郭刚 史淑廷 吴振宇 池雅庆 惠宁 范辉 沈东军 何安林 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期750-755,共6页
本文研究了215~353K温度范围内商用4M0.15μm薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化。实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升区,SEU截面随温度的升高而增加。使用Space Radiation 7.0软... 本文研究了215~353K温度范围内商用4M0.15μm薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化。实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升区,SEU截面随温度的升高而增加。使用Space Radiation 7.0软件研究了温度对其空间错误率预估的影响,模拟结果显示,SEU截面随温度的变化改变了SRAM SEU截面-LET值曲线形状,导致其LET阈值漂移,从而影响空间错误率预估结果。 展开更多
关键词 重离子 单粒子效应 单粒子翻转 温度效应 空间错误率预估 静态随机存储器
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微电子器件重离子推导质子单粒子效应截面不同计算方法比较研究 被引量：1
4
作者 张付强 韩金华 +1 位作者 沈东军 郭刚 《真空与低温》 2019年第6期387-391,共5页
基于0.25μm CMOS工艺SRAM器件的重离子及中能质子单粒子效应实验结果,简要分析了常见的三种由重离子单粒子翻转截面数据推导质子单粒子翻转截面数据的方法,并与器件质子单粒子效应实验数据进行了比较,利用Space Radiation软件预估了不... 基于0.25μm CMOS工艺SRAM器件的重离子及中能质子单粒子效应实验结果,简要分析了常见的三种由重离子单粒子翻转截面数据推导质子单粒子翻转截面数据的方法,并与器件质子单粒子效应实验数据进行了比较,利用Space Radiation软件预估了不同方法得到的器件典型轨道质子在轨错误率。总结了不同计算方法的适用性和准确性。 展开更多
关键词 空间错误率预估 重离子单粒子效应 质子单粒子效应
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