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X光激光薄膜锗靶的制备: 1; 作者许华崔保顺 +5 位作者赵朝康王明达卓志云常富华陈志梅娄巧娅《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1996年第1期78-82,共5页; 介绍了Ｘ光激光薄膜锗靶的制备工艺，在厚度为９０ｎｍ的ｆｏｒｍｖａｒ膜上，采用磁控溅射技术沉积３０～６０ｎｍ厚的锗膜．对锗膜的应力进行了初步的测试与分析，制得的薄膜经干涉仪测量符合要求。; 关键词射频磁控溅射锗膜应力薄膜; 下载PDF 职称材料

锗膜沉积工艺的实验研究: 2; 作者许培忠严义埙《红外研究》 CSCD 北大核心 1989年第5期343-348,共6页; 实验研究发现,采用离子束辅助沉积技术能改进膜层的性能,消除或减小膜层的应力.由实验得到:为保证锗膜具有较好的光学性能和机械性能,基底温度须加热至约150℃;对锗膜比较适合的离子束能量约为150eV;束流密度约为50μA/cm^2.; 关键词薄膜锗膜沉积技术; 下载PDF 职称材料

UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析被引量：7: 3; 作者朱培喻陈培毅 +4 位作者黎晨罗广礼贾宏勇刘志农钱佩信《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期464-467,共4页; 本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法... 展开更多; 关键词 Raman SIGE合金 UHV/CVD 弛豫应变硅锗膜拉曼光谱分析半导体薄膜; 下载PDF 职称材料

Al—Ge共蒸膜晶化现象的TEM研究: 4; 作者王戴木《阜阳师范学院学报（自然科学版）》 1997年第4期5-8,共4页; 本文对三种不同Al原子百分比的Al—Ge共蒸膜进行了透射电镜观察研究,实验表明:a—Ge的晶化行为敏感地依赖于共蒸膜中Al原子百分比及退火温度,分形结构的出现是由于温度场控制的随机逐次成核机制作用的结果。; 关键词薄膜铝/锗共蒸膜晶化 TEM 铝/锗双层膜; 下载PDF 职称材料

退火Ge/Fe多层膜的固相反应与磁性: 5; 作者李铁李玉芝 +2 位作者牟陟陈林张裕恒《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期239-243,共5页; 研究并发现在退火Ge/Fe多层膜中表面的晶化和生成化合物的温度均高于内部,并仔细探讨了Raman谱的反常,研究了在退火过程中物相变化与磁性的关系.; 关键词锗/铁膜多层膜固相反应磁性; 原文传递

制造非晶硅锗合金膜的新技术: 6; 作者孙金坛丛培金《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第2期98-101,共4页; 本文报告了我们设计的制造非晶硅锗合金膜的一种新方法——直流反应溅射法。用这种方法,我们得到了锗含量从5％到95％的分布均匀的氢化非晶硅锗合金,膜质均匀、致密,是制造太阳能电池、锗化锗晶体管的优良材料。; 关键词非晶硅锗合金膜材料太阳能力; 下载PDF 职称材料

Al—Ge共蒸膜晶化过程的计算机模拟: 7; 作者王戴木《阜阳师范学院学报（自然科学版）》 1998年第2期1-4,共4页; 本文对Al—Ge共蒸膜中分形晶化的过程进行了计算机模拟研究。结果表明:分形晶化过程中晶核长大效应明显影响分形体结构。在较高Ge原子百分比共蒸膜中晶化时释放出的较多的晶化潜热以及在较高的退火温度时具有的较高热激活能都促使晶核... 展开更多; 关键词分形晶化计算机模拟晶化共晶膜铝-锗共蒸膜; 下载PDF 职称材料

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