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脉冲激光沉积低内应力多层类金刚石膜 被引量：1
1
作者 陆益敏 郭延龙 +3 位作者 黄国俊 黎伟 万强 唐璜 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第9期275-280,共6页
为解决类金刚石膜内应力极大的问题,利用很薄的岛状结构锗层与较厚的类金刚石层循环,设计并制备了具有低内应力的多层类金刚石膜。其中,类金刚石层为主要功能膜层,起到硬质保护和光学增透的作用;而锗层作为缓冲层,起到缓解纯类金刚石膜... 为解决类金刚石膜内应力极大的问题,利用很薄的岛状结构锗层与较厚的类金刚石层循环,设计并制备了具有低内应力的多层类金刚石膜。其中,类金刚石层为主要功能膜层,起到硬质保护和光学增透的作用;而锗层作为缓冲层,起到缓解纯类金刚石膜内应力过大的问题,同时由于锗层很薄,对整个膜层的机械性能和红外特性的影响很小。测试表明,制备的多层类金刚石膜内应力为2.14 GPa,比纯类金刚石膜降低了39%,通过了GJB2485-95《光学膜层通用规范》中的重摩擦测试;同时,其纳米硬度仍保持在47 GPa的高水平。该多层类金刚石膜可以作为实际应用的红外窗口保护膜。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 多层类金刚石膜 锗缓冲层 低内应力
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基于离子束辅助沉积生长柔性类单晶硅的方法
2
作者 高莹 陈俊孚 +1 位作者 吴苏州 索进平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第1期84-92,共9页
通过离子束辅助沉积(IBAD)和射频磁控溅射(RFMS)的方法在低成本、柔性且轻质的金属箔基板上异质外延生长类单晶硅薄膜。在整个过程中,类单晶的Ge被用作晶格匹配的缓冲层进行Si的外延生长,其中Ge的基材来源于用IBAD法制备的双轴织构的氧... 通过离子束辅助沉积(IBAD)和射频磁控溅射(RFMS)的方法在低成本、柔性且轻质的金属箔基板上异质外延生长类单晶硅薄膜。在整个过程中,类单晶的Ge被用作晶格匹配的缓冲层进行Si的外延生长,其中Ge的基材来源于用IBAD法制备的双轴织构的氧化物过渡层。通过Si_(x)Ge_(1-x)的梯度溅射进行Ge与Si之间的过渡,减少其界面缺陷。生长出的外延硅沿[001]方向高度取向,具有强烈的双轴织构,电子背散射衍射结果显示生长的类单晶硅薄膜具有小角度晶界,并且超过98%的晶粒与晶粒间的取向差小于2°。透射电子显微镜(TEM)的电子衍射图也证实了薄膜的类单晶性质。Raman光谱显示硅薄膜具有高的结晶度,结晶度几乎可与单晶硅片相媲美。与没有Si_(x)Ge_(1-x)缓冲层的Si薄膜相比,具有缓冲层的Si薄膜表现出更好的织构、结晶度和更少的缺陷。在电性能方面,测得的n-Si薄膜掺杂浓度约为5×10^(18)cm^(-3),电子迁移率为110 cm^(2)/(V·s)。因此,采用RFMS和IBAD的方法可以为在柔性和低成本的非晶衬底上直接沉积高电子迁移率半导体薄膜提供一种新思路,这种新思路也为高性能印刷电子、柔性太阳电池和柔性电子应用提供了新的机会。 展开更多
关键词 双轴织构 柔性类单晶硅薄膜 硅锗缓冲层 射频磁控溅射(RFMS) 离子束辅助沉积(IBAD) 高电子迁移率
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干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征 被引量：2
3
作者 蔡坤煌 张永 +2 位作者 李成 赖虹凯 陈松岩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1937-1940,共4页
SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对... SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制. 展开更多
关键词 氧化 锗硅弛豫缓冲层 位错
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氧化SiGe/Si多量子阱制备Si基SiGe弛豫衬底 被引量：1
4
作者 方春玉 蔡坤煌 《光谱实验室》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1516-1518,共3页
SiGe弛豫衬底是制备高性能Si基SiGe光电子器件的基础平台。本文通过1050℃不同时间氧化SiGe/SiMQW材料,分析氧化过程中Ge组分、弛豫度的变化趋势,制备位错密度低、表面平整、弛豫度超过60%的Si基Si0.75Ge0.25缓冲层。
关键词 氧化 锗硅弛豫缓冲层 组分 弛豫度
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低温锗量子点缓冲层技术生长硅锗弛豫衬底研究
5
作者 周志文 叶剑锋 李世国 《深圳信息职业技术学院学报》 2015年第3期5-10,共6页
为了提高生长在硅衬底上的硅锗弛豫衬底的质量,提出了低温锗量子点缓冲层技术,分析了该技术在应变弛豫的促进,表面形貌的改善,位错密度的降低等方面的作用机理。基于低温锗量子点缓冲层技术,利用超高真空化学气相淀积系统,在硅衬底上生... 为了提高生长在硅衬底上的硅锗弛豫衬底的质量,提出了低温锗量子点缓冲层技术,分析了该技术在应变弛豫的促进,表面形貌的改善,位错密度的降低等方面的作用机理。基于低温锗量子点缓冲层技术,利用超高真空化学气相淀积系统,在硅衬底上生长出高质量的硅锗弛豫衬底。锗组份为0.28,厚度不足380 nm的硅锗弛豫衬底,应变弛豫度达到99%,表面没有Cross-hatch形貌,表面粗糙度小于2 nm,位错密度低于105 cm-2。 展开更多
关键词 硅锗弛豫衬底 低温锗量子点缓冲层 生长
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