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干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征 被引量：2
1
作者 蔡坤煌 张永 +2 位作者 李成 赖虹凯 陈松岩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1937-1940,共4页
SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对... SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制. 展开更多
关键词 氧化 锗硅弛豫缓冲层 位错
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氧化SiGe/Si多量子阱制备Si基SiGe弛豫衬底 被引量：1
2
作者 方春玉 蔡坤煌 《光谱实验室》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1516-1518,共3页
SiGe弛豫衬底是制备高性能Si基SiGe光电子器件的基础平台。本文通过1050℃不同时间氧化SiGe/SiMQW材料,分析氧化过程中Ge组分、弛豫度的变化趋势,制备位错密度低、表面平整、弛豫度超过60%的Si基Si0.75Ge0.25缓冲层。
关键词 氧化 锗硅弛豫缓冲层 组分 弛豫度
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