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UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
被引量：
4
1
作者
周志文
蔡志猛
+9 位作者
张永
蔡坤煌
周笔
林桂江
汪建元
李成
赖虹凯
陈松岩
余金中
王启明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期315-318,共4页
采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结...
采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
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关键词
锗
硅
异质
外延
弛豫缓冲层
锗
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职称材料
采用锗硅异质外延方法制备硅量子线
2
作者
陆阳
施毅
+6 位作者
刘建林
汪峰
张荣
顾书林
郑有
茅保华
谢中华
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期201-205,共5页
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形，用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀，获得Ｓｉ线阵列，最后通过湿氧、干氧...
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形，用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀，获得Ｓｉ线阵列，最后通过湿氧、干氧氧化过程，成功实现了高质量Ｓｉ／ＳｉＯ２异质界面结构硅量子线。采用扫描电子显微镜对量子线形成特征进行了研究，并讨论了硅线的热氧化性质。
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关键词
硅
量子线
选择腐蚀
热氧化
锗
硅
异质
外延
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职称材料
题名
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
被引量：
4
1
作者
周志文
蔡志猛
张永
蔡坤煌
周笔
林桂江
汪建元
李成
赖虹凯
陈松岩
余金中
王启明
机构
厦门大学物理系半导体光子学研究中心
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期315-318,共4页
基金
国家自然科学基金(批准号:60676027
50672079
+2 种基金
60336010)
福建省重点科技项目(批准号:2006H0036)
教育部回国留学人员启动基金资助项目~~
文摘
采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
关键词
锗
硅
异质
外延
弛豫缓冲层
锗
Keywords
Ge/Si heteroepitaxy
relaxed buffer
Ge
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
采用锗硅异质外延方法制备硅量子线
2
作者
陆阳
施毅
刘建林
汪峰
张荣
顾书林
郑有
茅保华
谢中华
机构
南京大学物理系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期201-205,共5页
基金
国家攀登计划半导体超晶格项目
国家高技术"863"计划项目
国家自然科学基金
文摘
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形，用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀，获得Ｓｉ线阵列，最后通过湿氧、干氧氧化过程，成功实现了高质量Ｓｉ／ＳｉＯ２异质界面结构硅量子线。采用扫描电子显微镜对量子线形成特征进行了研究，并讨论了硅线的热氧化性质。
关键词
硅
量子线
选择腐蚀
热氧化
锗
硅
异质
外延
Keywords
Silicon Quantum Wires
Selective Chemical Etching
Si/SiGe/Si Heterostructrue
Thermal Oxidation
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
TN305.5
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
周志文
蔡志猛
张永
蔡坤煌
周笔
林桂江
汪建元
李成
赖虹凯
陈松岩
余金中
王启明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
下载PDF
职称材料
2
采用锗硅异质外延方法制备硅量子线
陆阳
施毅
刘建林
汪峰
张荣
顾书林
郑有
茅保华
谢中华
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
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职称材料
已选择
0
条
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