高速低压低功耗BiCMOS逻辑电路及工艺技术 被引量：17

1

作者 成立 李彦旭 +1 位作者 董素玲 汪洋 《电子工艺技术》 2002年第1期24-27,共4页

介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的 Bi CMOS逻辑门电路 ,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况。结果表明 ,这些电路的电源电压可达到 2 .0 V以下 ,而且信号传输延迟较小 ,有的还实现了全摆幅输出 ,因而它们可用于便... 介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的 Bi CMOS逻辑门电路 ,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况。结果表明 ,这些电路的电源电压可达到 2 .0 V以下 ,而且信号传输延迟较小 ,有的还实现了全摆幅输出 ,因而它们可用于便携式电子设备和其它 VLSI和 展开更多

关键词 BICMOS电路 双极互补金属氧化物半导体 集成电路 逻辑电路

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BiCMOS三态输出门电路的设计、制备及应用 被引量：10

2

作者 成立 李彦旭 +2 位作者 董素玲 汪洋 唐平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期50-54,共5页

设计了几种BiCMOS三态输出门电路,提出了采用先进的0.5mm BiCMOS工艺,制备所设计的三态输出门的技术要点和器件参数,并分析了它们既具有双极型(Bipolar)门电路快速、大电流驱动能力,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗和高集成度的特性,因而... 设计了几种BiCMOS三态输出门电路,提出了采用先进的0.5mm BiCMOS工艺,制备所设计的三态输出门的技术要点和器件参数,并分析了它们既具有双极型(Bipolar)门电路快速、大电流驱动能力,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它便携式数字设备中。 展开更多

关键词 BICMOS 数字信息系统 双极互补金属氧化物半导体 三态输出门电路

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高速低耗BiCMOS OC门及其线与逻辑系统 被引量：7

3

作者 成立 朱漪云 +2 位作者 王振宇 刘星桥 祝俊 《江苏大学学报（自然科学版）》 EI CAS 北大核心 2007年第2期156-159,共4页

为了满足高速度、低功耗数字逻辑系统的应用需求,运用改进电路内部结构和优化选取器件参数的方法,设计了4种双极互补金属氧化物半导体集电极开路(BiCMOS OC)门,并且用它们构成了线与逻辑系统;藉助两个BiCMOS OC门线与系统推导出其上拉电... 为了满足高速度、低功耗数字逻辑系统的应用需求,运用改进电路内部结构和优化选取器件参数的方法,设计了4种双极互补金属氧化物半导体集电极开路(BiCMOS OC)门,并且用它们构成了线与逻辑系统;藉助两个BiCMOS OC门线与系统推导出其上拉电阻RL的计算式;对所设计的4种BiCMOS OC门和一种传统的TTL OC门线与系统进行了仿真试验和硬件电路试验.长工验数据和分析结果表明,所设计的BiCMOS OC门线与系统的电源电压均可为2.6-4.0V,工作速度与TTL OC门线与系统相接近,在60 MHz测试条件下它们的功耗比TTL OC门减少4.77-5.68 mW,且它们的延迟-功耗积平均降低了45.5%. 展开更多

关键词 数字系统 双极互补金属氧化物半导体 开集门 线与逻辑系统 延迟-功耗积

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恒流-恒压模式控制的锂电池充电器的设计 被引量：8

4

作者 徐静萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期291-295,共5页

设计了一款恒流-恒压充电模式控制的锂离子电池充电器,当电池电压低于2.9 V时,充电器提供涓流充电模式;当电池电压高于2.9 V时,充电器提供恒流充电模式;当电池电压达到4.2 V时,实现恒压充电模式对充电器的控制,充电电流减小。对主要子... 设计了一款恒流-恒压充电模式控制的锂离子电池充电器,当电池电压低于2.9 V时,充电器提供涓流充电模式;当电池电压高于2.9 V时,充电器提供恒流充电模式;当电池电压达到4.2 V时,实现恒压充电模式对充电器的控制,充电电流减小。对主要子模块的电路进行了详细的设计与仿真并进行了稳定性分析,均能够在不采用任何补偿的情况下保持稳定。电路采用CSMC公司的0.6μm B iCMOS工艺模型,基于Cadence仿真平台对电路进行了前仿真,仿真结果表明,在5 V电源电压下,涓流充电电流为50 mA,恒流充电电流为502 mA,最终电池电压为4.202 V。 展开更多

关键词 恒流 恒压 涓流 锂电池充电器 双极互补金属氧化物半导体

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几种用于高速数字通信系统中的锁存比较器 被引量：7

5

作者 李彦旭 成立 董素玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期37-41,共5页

在分析、比较了高速数字系统中常用的几种低耗锁存比较器电路的基础上,重新提出了三种新颖的高速、低耗锁存比较器,其中有两种是BiCMOS锁存比较电路。经过仿真试验后,说明了这几种锁存比较器完全满足于高速数字通信系统的性能要求。

关键词 双极互补金属氧化物半导体 BICMOS 高速数字通信系统 电流型比较器 锁存比较器

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基于相位校准技术的宽带卫星通信相控阵接收芯片设计与实现

6

作者 谢卓恒 黄波 +4 位作者 刘兰 冯越 阳润 杭虹江 袁素 《电子器件》 CAS 2024年第5期1157-1164,共8页

论述了一种基于SiGe BiCMOS工艺的19 GHz~23 GHz四通道卫星通信相控阵接收芯片,该芯片采用有源矢量合成架构进行移相器设计,每个通道由低噪声放大器、移相器、合路器构成,测试结果表明单通道增益(包含合成损耗)大于25 dB,噪声系数小于2.... 论述了一种基于SiGe BiCMOS工艺的19 GHz~23 GHz四通道卫星通信相控阵接收芯片,该芯片采用有源矢量合成架构进行移相器设计,每个通道由低噪声放大器、移相器、合路器构成,测试结果表明单通道增益(包含合成损耗)大于25 dB,噪声系数小于2.3 dB,增益平坦度小于2 dB,移相精度小于2°,单通道电流小于50 mA。 展开更多

关键词 卫星通信 四通道 接收芯片 毫米波 锗硅双极互补金属氧化物半导体

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8 bit 800 Msps高速采样保持电路的设计 被引量：2

7

作者 潘星 王永禄 张正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1044-1047,共4页

为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究。提出的高速采样保持电路(SH)采用SiGe BiCMOS工艺设计,该工艺提供了0.35μm的CMOS和46 GHzfT的SiG... 为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究。提出的高速采样保持电路(SH)采用SiGe BiCMOS工艺设计,该工艺提供了0.35μm的CMOS和46 GHzfT的SiGe HBT。基于BiCMOS开关射极跟随器(SEF)的SH,旨在比二极管桥SH消耗更少的电流和面积。在SH核心,电源电压3.3 V,功耗44 mW。在相干采样模式下,时钟频率为800 MHz时,其无杂波动态范围(SFDR)为-52.8 dB,总谐波失真(THD)为-50.4 dB,满足8 bit精度要求。结果显示设计的电路可以用于中精度、高速A/D转换器。 展开更多

关键词 采样保持电路 高速 开关射极跟随器 双极互补金属氧化物半导体

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高速BiCMOS运算跨导放大器的设计 被引量：1

8

作者 车红瑞 王海柱 +1 位作者 杨建红 金璐 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期41-44,共4页

基于全差分结构提出一种高速BiCMOS运算跨导放大器,该放大器采用两级放大结构实现,可用于8位250 Msps流水线结构模数转换器的采样/保持电路中。电路使用0.35μmBiCMOS工艺实现,由3.3 V单电源供电,经优化设计后,实现了2.1 GHz的单位增益... 基于全差分结构提出一种高速BiCMOS运算跨导放大器,该放大器采用两级放大结构实现,可用于8位250 Msps流水线结构模数转换器的采样/保持电路中。电路使用0.35μmBiCMOS工艺实现,由3.3 V单电源供电,经优化设计后,实现了2.1 GHz的单位增益带宽,直流开环增益61 dB,相位裕度50°,功耗16 mW,输出摆幅达到2 V;在2 pF的负载电容下,建立时间小于0.6 ns,转换速率1 200 V/μs。该放大器完全符合设计要求的性能指标。 展开更多

关键词 双极互补金属氧化物半导体 模拟电路 跨导运算放大器 流水线

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可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器设计

9

作者 李彦旭 崔占忠 +1 位作者 徐立新 陈曦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期67-69,共3页

在对传统CMOS锁存比较器分析的基础上,设计了一种可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器,它既具有双极型电路快速、输入失调电压低和大电流驱动能力,又具备CMOS电路低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它... 在对传统CMOS锁存比较器分析的基础上,设计了一种可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器,它既具有双极型电路快速、输入失调电压低和大电流驱动能力,又具备CMOS电路低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它便携式数字设备。 展开更多

关键词 双极互补金属氧化物半导体 输入失调电压 锁存比较器

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低压低耗共源-共栅BiCMOS电荷放大器

10

作者 朱漪云 成立 +2 位作者 祝俊 李岚 王振宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期315-318,286,共5页

提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器。该放大器采用BiCMOS共源-共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大减小了噪声,并在电路中运用电流镜解决了集成高阻值电阻的问题,从而降低了集成难度和电源电压等级。测试... 提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器。该放大器采用BiCMOS共源-共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大减小了噪声,并在电路中运用电流镜解决了集成高阻值电阻的问题,从而降低了集成难度和电源电压等级。测试结果表明,放大器功耗降为230μW／ch,电源电压降低0．7V左右,等效噪声电荷(ENC)小于600电子电荷。 展开更多

关键词 双极互补金属氧化物半导体 共源 共栅放大器 电荷放大器 电流镜

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一种高速低耗全摆幅BiCMOS反相器

11

作者 董素玲 成立 《徐州建筑职业技术学院学报》 2003年第4期33-36,共4页

通过分析影响双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS)反相器全摆幅输出和高速度的诸因素 ,设计了具有高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS反相器 ,提出了采用先进的 0 .8μmBiCMOS工艺制作反相器的一些技术要点 .该反相器可以工作在 1.5V ,信... 通过分析影响双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS)反相器全摆幅输出和高速度的诸因素 ,设计了具有高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS反相器 ,提出了采用先进的 0 .8μmBiCMOS工艺制作反相器的一些技术要点 .该反相器可以工作在 1.5V ,信号传输延迟很小 ,速度高于同类CMOS电路 10倍以上 。 展开更多

关键词 BICMOS 反相器 全摆幅 双极互补金属氧化物半导体 超大规模集成电路

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用于光通信系统的BiCMOS F/V转换器

12

作者 成立 张静 +3 位作者 倪雪梅 周洋 张雷 王振宇 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期923-926,934,共5页

设计了一种由3运放A1、A2和A3组成的BiCMOS频率/电压(F/V)转换器,其中A1、A2设计成共源-共源CMOS运放,而低通滤波器(LPF)中的A3采用BiCMOS运放。优选了整个F/V转换器的元器件参数,并采取了提速和降耗等措施。实验结果表明,所设计的转换... 设计了一种由3运放A1、A2和A3组成的BiCMOS频率/电压(F/V)转换器,其中A1、A2设计成共源-共源CMOS运放,而低通滤波器(LPF)中的A3采用BiCMOS运放。优选了整个F/V转换器的元器件参数,并采取了提速和降耗等措施。实验结果表明,所设计的转换器输入至LPF的脉冲信号频率f2与输入信号频率fi相等,且该转换器输出电压平均值Uo与fi成正比;它可在4 Hz≤fi≤10 kHz的范围内工作,其综合性能指标——延迟-功耗积约为1.09 nJ,转换线性度仅为1.7×10-2,因而特别适用于低功耗、高线性度的光纤通信和光电检测系统中。 展开更多

关键词 双极互补金属氧化物半导体 F/V转换器 延迟-功耗积 光通信系统

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Performance Modeling and Evaluation for Optical Access Networks

13

作者 Tony Tsang 《通讯和计算机（中英文版）》 2013年第5期686-692,共7页

关键词 性能建模 光接入网 双极互补金属氧化物半导体 BICMOS工艺 EPON系统 ETHEMET 标准化活动 光学接收器

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BiCMOS器件应用前景及其发展趋势 被引量：8

14

作者 王振宇 成立 +1 位作者 高平 史宜巧 《电讯技术》 北大核心 2003年第4期9-14,共6页

为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。

关键词 BiCMOS器件 发展趋势 混合微电子技术 双极互补金属氧化物半导体器件 混合微电子技术 工艺结构

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一种高速低耗全摆幅BiCMOS集成施密特触发器 被引量：13

15

作者 成立 张荣标 +1 位作者 李彦旭 董素玲 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期210-213,235,共5页

通过分析国外流行的一种 Bi CMOS集成施密特触发门 ,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的Bi CMOS施密特触发器。该器件中单、双极型电路优势互补 ,电源电压为 1 .5 V,实现了优于同类产品的全摆幅输出 ,且其开关速度高于同类 CMOS产品... 通过分析国外流行的一种 Bi CMOS集成施密特触发门 ,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的Bi CMOS施密特触发器。该器件中单、双极型电路优势互补 ,电源电压为 1 .5 V,实现了优于同类产品的全摆幅输出 ,且其开关速度高于同类 CMOS产品的 1 3倍以上 。 展开更多

关键词 施密特触发器 BICMOS 全摆幅输出 双极互补金属氧化物半导体器件 延时—功耗积 超大规模集成电路

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三种改进结构型BiCMOS逻辑单元的研究 被引量：9

16

作者 成立 李春明 +2 位作者 高平 王振宇 史宜巧 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期486-492,共7页

为满足低压、高速、低耗数字系统的应用需求 ,通过采用改进电路结构和优化器件参数的方法 ,设计了三种改进结构型BiCMOS逻辑单元电路。实验结果表明 ,所设计电路不但具有确定的逻辑功能 ,而且获得了高速、低压、低耗和接近于全摆幅的特... 为满足低压、高速、低耗数字系统的应用需求 ,通过采用改进电路结构和优化器件参数的方法 ,设计了三种改进结构型BiCMOS逻辑单元电路。实验结果表明 ,所设计电路不但具有确定的逻辑功能 ,而且获得了高速、低压、低耗和接近于全摆幅的特性 ,它们的工作速度比高速CMOS和原有的互补对称BiCMOS(CBiCMOS)电路快约一倍 ,功耗在 6 0MHz频率下仅高出 1 4 9～ 1 71mW ,但延迟 功耗积却比原CBiCMOS电路平均降低了4 0 3%。 展开更多

关键词 双极互补金属氧化物半导体器件 超大规模集成电路 数字逻辑单元 改进结构型 输出逻辑摆幅 延迟一功耗积

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新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器 被引量：4

17

作者 成立 高平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期281-287,共7页

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型... 从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。 展开更多

关键词 芯片互连 CMOS/BiCMOS驱动器 双极互补金属氧化物半导体器件 低功耗 双极型电路

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多端I/O系统用BiCMOS连线逻辑电路 被引量：6

18

作者 成立 高平 +2 位作者 董素玲 李彦旭 唐平 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期7-10,共4页

为了满足数字通信和信息处理系统多端输入/输出(I/O)、高速、低耗的性能要求,笔者设计了几例BiCMOS连线逻辑电路,并提出了采用0.5 ?m BiCMOS工艺,制备所设计的连线逻辑电路的技术要点和元器件参数.所做实验表明了设计的连线逻辑电路既... 为了满足数字通信和信息处理系统多端输入/输出(I/O)、高速、低耗的性能要求,笔者设计了几例BiCMOS连线逻辑电路,并提出了采用0.5 ?m BiCMOS工艺,制备所设计的连线逻辑电路的技术要点和元器件参数.所做实验表明了设计的连线逻辑电路既具有双极型逻辑门电路快速、大电流驱动能力的特点,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗的长处,而且其扇入数可达3~16,扇出数可达1~18,因而它们特别适用于多端I/O高速数字通信和信息处理系统中. 展开更多

关键词 多端I/O系统 BICMOS 逻辑电路 高速数字信息处理系统 双极互补金属氧化物半导体器件 扇入数 扇出数 线与逻辑 线或逻辑 输入/输出通道

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三种低压高速低耗BiCMOS三态逻辑门 被引量：5

19

作者 成立 王振宇 +1 位作者 张兵 武小红 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期166-170,共5页

采用0.35μm BiCMOS工艺技术，设计了三种高性能的BiCMOS三态逻辑门电路，并提出了改进三态门电路结构和优化器件参数的方法和措施。仿真和实验结果表明．所优化设计的BiCMOS三态门的电源电压均小于3.3V，工作速度比常用的CMOS三态门快... 采用0.35μm BiCMOS工艺技术，设计了三种高性能的BiCMOS三态逻辑门电路，并提出了改进三态门电路结构和优化器件参数的方法和措施。仿真和实验结果表明．所优化设计的BiCMOS三态门的电源电压均小于3.3V，工作速度比常用的CMOS三态门快约5倍。功耗在60MHz下仅高出约2．2～3．7mW．而延迟一功耗积却比该常用的CMOS三态门平均降低了38．1％，因此它们特别适用于低压、高速、低功耗的数字系统。 展开更多

关键词 超大规模集成电路 双极互补金属氧化物半导体器件 三态逻辑门电路 数字逻辑单元 延迟-功耗积

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静态存储单元电路设计工艺的研究 被引量：3

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作者 李彦旭 巴大志 成立 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期13-16,共4页

论述了静态存储单元电路对目前高速数字系统的意义。通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,... 论述了静态存储单元电路对目前高速数字系统的意义。通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,从而提出一些实际的解决措施,以便研发人员在设计具体的SRAM电路时有所参考。 展开更多

关键词 电路设计 静态存储器 双极型 互补对称式金属-氧化物-半导体电路 双极互补金属氧化物半导体电路 CMOS SRAM

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