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锗浓度对蛹虫草锗的积累和多糖化锗生物转化合成的影响
1
作者 王菊凤 李鹄鸣 杨道德 《中药材》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期2331-2334,共4页
目的：研究不同锗浓度对蛹虫草锗的积累和多糖化锗生物转化合成的影响。方法：采用固体培养和液体培养方法。结果：对于子实体来说,当锗浓度为200 mg/L时,蛹虫草子实体的生物量最大;锗浓度为300 mg/L时,子实体多糖化锗的生物转化合成量... 目的：研究不同锗浓度对蛹虫草锗的积累和多糖化锗生物转化合成的影响。方法：采用固体培养和液体培养方法。结果：对于子实体来说,当锗浓度为200 mg/L时,蛹虫草子实体的生物量最大;锗浓度为300 mg/L时,子实体多糖化锗的生物转化合成量最多;锗浓度为250 mg/L时,子实体有机锗转化率最高。对于菌丝体来说,当锗浓度为250 mg/L时,蛹虫草菌丝体的生物量最大;锗浓度为150 mg/L时,菌丝体多糖化锗的生物转化合成量最多;锗浓度为200 mg/L时,菌丝体有机锗转化率最高。结果显示锗浓度在150~300 mg/L时,比较适合蛹虫草锗的积累和多糖化锗的生物转化。蛹虫草子实体富锗能力比菌丝体强。结论：不同锗浓度能显著影响蛹虫草锗的积累和多糖化锗的生物转化（P〈0.05）。这一实验结果可为蛹虫草子实体的富锗栽培和开发利用提供参考。 展开更多
关键词 锗浓度 蛹虫草 锗富集 多糖化锗
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微量元素锗对无铅焊料的影响及实际应用研究
2
作者 黄晓东 张杰威 +1 位作者 陈黎阳 乔书晓 《印制电路信息》 2013年第S1期217-224,共8页
近年来,热风整平无铅焊料作为一种无铅化的表面处理方式,因其低廉的加工成本及较好的表面润湿性而受到很多PCB生产厂家的青睐。同时,无铅焊料在应用过程中也暴露了诸多的问题,比如无热风整平无铅焊料产品在下游客户端做回流焊接工艺时,... 近年来,热风整平无铅焊料作为一种无铅化的表面处理方式,因其低廉的加工成本及较好的表面润湿性而受到很多PCB生产厂家的青睐。同时,无铅焊料在应用过程中也暴露了诸多的问题,比如无热风整平无铅焊料产品在下游客户端做回流焊接工艺时,经过一两次的高温回流后,锡面会出现一定程度的发黄现象。本文主要针对此类发黄情况,深入研究探讨了微量元素Ge对无铅焊料的影响以及对发黄改善的机理,通过理论与实践相结合,研究并得出了在热风整平无铅焊料过程中,Ge(锗)浓度的变化规律及其合理的控制方法、以及Ge浓度对无铅焊料性能的具体影响情况。 展开更多
关键词 热风整平无铅焊料 锗浓度 回流焊
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基于光子晶体光纤的拉曼放大器特性研究 被引量：3
3
作者 尚韬 李锋 刘增基 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第8期63-68,共6页
研究了基于光子晶体光纤拉曼放大器的特性。在后向多抽运的情况下,利用不同的几何尺寸与掺锗浓度,全面研究了拉曼净增益、信号双重瑞利后向散射光信噪比及放大自发辐射光信噪比,并进行了模拟分析。计算、比较了该类放大器与基于单模光... 研究了基于光子晶体光纤拉曼放大器的特性。在后向多抽运的情况下,利用不同的几何尺寸与掺锗浓度,全面研究了拉曼净增益、信号双重瑞利后向散射光信噪比及放大自发辐射光信噪比,并进行了模拟分析。计算、比较了该类放大器与基于单模光纤的拉曼放大器的性能。结果表明,在合理选择光纤几何尺寸与掺锗浓度的基础上,光子晶体光纤拉曼放大器具有更好的放大特性。 展开更多
关键词 光纤拉曼放大器 光子晶体光纤 掺锗浓度 拉曼增益 光信噪比
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不同掺杂浓度光纤拉曼增益特性的研究
4
作者 李波 张铁利 +2 位作者 方达伟 梁永峰 张在宣 《中国计量学院学报》 2006年第2期137-141,共5页
研究了受激拉曼散射增益系数和增益谱与泵浦功率、光纤掺杂浓度的关系,得出增益系数和峰值频移量由光纤特性决定,而与泵浦功率无关的结论。在对二氧化硅分子建模计算后,进一步利用LM算法对光纤的拉曼增益谱进行高斯分解。分解图谱表明... 研究了受激拉曼散射增益系数和增益谱与泵浦功率、光纤掺杂浓度的关系,得出增益系数和峰值频移量由光纤特性决定,而与泵浦功率无关的结论。在对二氧化硅分子建模计算后,进一步利用LM算法对光纤的拉曼增益谱进行高斯分解。分解图谱表明掺杂物破坏了二氧化硅的分子结构,并在拉曼增益范围内产生了新的峰值,从理论上证明了光纤掺杂物对拉曼增益系数和增益谱的影响。 展开更多
关键词 拉曼增益系数 掺锗浓度 高斯分解
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锗烷浓度对非晶/微晶相变区硅锗薄膜结构及光电特性的影响
5
作者 范闪闪 路雪 +2 位作者 牛纪伟 于威 傅广生 《河北工业大学学报》 CAS 2017年第3期83-87,共5页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了一系列从非晶到微晶相变区硅锗合金薄膜,研究了锗烷浓度对相变区及相变边缘硅锗薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明,锗烷的加入抑制了晶态硅的生长,使硅锗合金薄膜发生从晶态到非晶... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了一系列从非晶到微晶相变区硅锗合金薄膜,研究了锗烷浓度对相变区及相变边缘硅锗薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明,锗烷的加入抑制了晶态硅的生长,使硅锗合金薄膜发生从晶态到非晶结构的转变.相变区硅锗薄膜为富硅合金薄膜,表现为纳米硅晶粒镶嵌于非晶硅锗网络的微观结构.随着锗烷浓度增加,合金薄膜光学带隙Eopt逐渐减小,表征薄膜结构有序性的结构因子F,呈先减小后增加趋势.当锗烷浓度为9%时,硅锗合金薄膜处在非晶/微晶相变边缘,薄膜具有较高的致密性,光敏性接近104,适用于叠层薄膜太阳能电池器件吸光层应用. 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积 硅锗合金薄膜 相变区及相变边缘 锗烷浓度 光敏性
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