Ba掺杂对Pb(Zr,Ti,Sb)O_3压电陶瓷Curie温度与压电性能的影响 被引量：2

1

作者 冯玉华 潘铁政 +2 位作者 沈湘黔 宋浩杰 过丽萍 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1374-1378,共5页

用传统固相法制备了组成为0.98Pb1.0–xBaxTi0.48Zr0.52O3–0.02PbSbO3(x=0.18～0.24)的Ba掺杂Pb(Zr,Ti,Sb)O3(PSZT)压电陶瓷。通过X射线衍射和Raman光谱研究了Ba掺杂PSZT陶瓷的结构,并测量和分析了Ba掺杂对PSZT压电陶瓷的Curie温度和... 用传统固相法制备了组成为0.98Pb1.0–xBaxTi0.48Zr0.52O3–0.02PbSbO3(x=0.18～0.24)的Ba掺杂Pb(Zr,Ti,Sb)O3(PSZT)压电陶瓷。通过X射线衍射和Raman光谱研究了Ba掺杂PSZT陶瓷的结构,并测量和分析了Ba掺杂对PSZT压电陶瓷的Curie温度和压电性能的影响。结果表明:Ba掺杂影响PSZT陶瓷中四方相和三方相的转化过程、两相比例、晶粒大小并导致四方相的晶格畸变。随Ba含量(x)从0.18增加到0.24,PSZT陶瓷的Curie温度从189℃几乎线性下降到141℃;当Ba掺杂量为0.22时,PSZT陶瓷的Curie温度为156℃,压电应变常数d33为578pC/N,机电耦合系数Kp为0.63,机械品质因数Qm为37.3。 展开更多

关键词 锑锆钛酸铅 压电陶瓷 掺杂 CURIE温度 压电性能

原文传递

三方/四方相共存铌锑锆钛酸铅压电陶瓷极化的研究 被引量：11

2

作者 黄新友 高春华 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期422-426,共5页

研究了极化条件对三方 /四方相共存 (即准同型相界 ,简称MPB)的铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷性能和结构的影响 .利用XRD探讨了三方、四方相共存PNSZT压电陶瓷极化过程中畴转向、相变、晶格常数的变化、应变 ,分析讨论了极化作用机理 .... 研究了极化条件对三方 /四方相共存 (即准同型相界 ,简称MPB)的铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷性能和结构的影响 .利用XRD探讨了三方、四方相共存PNSZT压电陶瓷极化过程中畴转向、相变、晶格常数的变化、应变 ,分析讨论了极化作用机理 .XRD结果分析表明 :两相共存压电陶瓷极化过程中畴转向的同时伴随着相变 (四方相→三方相 )、应变、晶格常数变化 ;随着极化程度的提高 ,试样的应变量和 90°畴转向率不断增加 ;当达到极化饱和状态时 ,它们也达到最大值 ,其中应变的最大值为 0 .4% ,90°畴的转向率最大值为 41.6 % ,此时样品的介电常数和机电耦合系数也达到最大值 .当 90°畴转向率高和应变大时 ,材料的机电耦合系数和介电常数也大 .90°畴转向率和应变是表征极化程度的微观结构物理量 . 展开更多

关键词 压电陶瓷 极化 铌锑锆钛酸铅 相界 压电 三方/四方相共存

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铌锑锆钛酸铅陶瓷极化过程的XRD研究 被引量：4

3

作者 黄新友 陆佩文 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期19-23,共5页

用XRD研究了两相共存(三方与四方相)的铌锑锆钛酸铅陶瓷的极化过程与畴结构的关系。提出了从x-ray衍射强度变化定量测定四方与三方相共存的PZT陶瓷中90°畴转向率的方法。讨论了极化电场和90°畴转向率的关系。结果表明,当样品... 用XRD研究了两相共存(三方与四方相)的铌锑锆钛酸铅陶瓷的极化过程与畴结构的关系。提出了从x-ray衍射强度变化定量测定四方与三方相共存的PZT陶瓷中90°畴转向率的方法。讨论了极化电场和90°畴转向率的关系。结果表明,当样品的机电耦合系数达最大时,90°畴的转向率为41.4%。计算所得的样品中90°转向率与样品的宏观性能相一致。关键词:铌锑锆钛酸铅,陶瓷,极化,XRD。 展开更多

关键词 铌锑锆钛酸铅 陶瓷 极化 压电陶瓷

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掺杂物对PSN-PSZT系统准同型相界附近的介电和压电性能的影响 被引量：5

4

作者 高春华 黄新友 《中国陶瓷工业》 CAS 北大核心 2002年第4期20-23,共4页

采用传统含铅压电陶瓷工艺制备了不同掺杂物 (La2 O3、MnO2 、MnCO3、SiO2 )掺杂 0 .0 2Pb(Nb1 2 Sb1 2 )O3- 0 .98Pb0 .84 7Sr0 .1 53(Zr0 .55Ti0 .4 5)O3系压电陶瓷材料 (简称PSN -PSZT)。研究了不同掺杂物对PSN -PSZT系准同型相界... 采用传统含铅压电陶瓷工艺制备了不同掺杂物 (La2 O3、MnO2 、MnCO3、SiO2 )掺杂 0 .0 2Pb(Nb1 2 Sb1 2 )O3- 0 .98Pb0 .84 7Sr0 .1 53(Zr0 .55Ti0 .4 5)O3系压电陶瓷材料 (简称PSN -PSZT)。研究了不同掺杂物对PSN -PSZT系准同型相界附近的介电和压电性能、频率温度系数的影响 ,得到了滤波器振子用压电材料 ,其性能为 :平面机电耦合系数Kp=5 6 % ,机械品质因数Qm=5 6 0 ,介质损耗tgδ为 0 .9% ,相对介电常数 (εr)为 195 0 ,频率温度系数TKfr=30ppm ℃ ,同时研究了不同掺杂物样品的电滞回线特征 ,探讨了掺杂物作用机理。 展开更多

关键词 掺杂物 PSN-PSZT系统 准同型相界 铌锑锆钛酸铅陶瓷 压电性能 介电性能

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Ba^(2+)取代对PSN-PZT瓷结构和压电性能的影响 被引量：1

5

作者 吕文中 韦蓓 +1 位作者 范桂芬 许毓春 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期23-25,共3页

研究了Ba2+A位取代对铌锑锆钛酸铅陶瓷结构及压电性能的影响,XRD分析结果表明:所有样品具有钙钛矿结构,同时Ba2+取代Pb2+使得晶胞体积增大,c/a轴比减小。当Ba2+取代量增大时,样品中三方相和四方相共存。随着Ba2+取代量的增大,陶瓷样品... 研究了Ba2+A位取代对铌锑锆钛酸铅陶瓷结构及压电性能的影响,XRD分析结果表明:所有样品具有钙钛矿结构,同时Ba2+取代Pb2+使得晶胞体积增大,c/a轴比减小。当Ba2+取代量增大时,样品中三方相和四方相共存。随着Ba2+取代量的增大,陶瓷样品的密度降低,εr(2863)和d33(507pC·N–1)显著提高,居里点向室温移动。 展开更多

关键词 无机非金属材料 铌锑锆钛酸铅 压电陶瓷 取代 压电介电性能

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组成对三方/四方相共存铌锑锆钛酸铅压电陶瓷结构和机电性能的影响 被引量：1

6

作者 黄新友 高春华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 2002年第6期9-12,共4页

研究了Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对三方相、四方相共存 (相界附近 )铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷机电性能 (εT33/ε0 、KP、Qm、TKfr)的影响。认为Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对PNSZT机电性能影响很大 ,调整Zr/Ti、(Sb1/2 Nb1/2 )量是... 研究了Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对三方相、四方相共存 (相界附近 )铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷机电性能 (εT33/ε0 、KP、Qm、TKfr)的影响。认为Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对PNSZT机电性能影响很大 ,调整Zr/Ti、(Sb1/2 Nb1/2 )量是改变机电性能的有效方法 ,它们的正确选择是得到所需综合性能压电陶瓷的关键之一。 展开更多

关键词 组成 三方/四方相 共存 铌锑锆钛酸铅压电陶瓷 结构 机电性能 影响 相界

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Pb_(1-x)Sr_x(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_aZr_bTi_cO_3三元系压电陶瓷的压电和介电性能 被引量：13

7

作者 郭晓波 陈海 孟中岩 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期125-127,共3页

对Pb1 -xSrx(Mn1 /3Sb2 /3) aZrbTicO3+0 .2 % (质量分数 )CeO2 (PMS -PZ -PT)三元系压电陶瓷的烧结温度 ( 115 0～ 12 2 5℃ )和Sr2 + 取代量(摩尔分数 0～ 8% )进行了系统研究 .通过XRD图谱计算的晶格参数说明Sr2 + 取代Pb2 + 后 ,晶... 对Pb1 -xSrx(Mn1 /3Sb2 /3) aZrbTicO3+0 .2 % (质量分数 )CeO2 (PMS -PZ -PT)三元系压电陶瓷的烧结温度 ( 115 0～ 12 2 5℃ )和Sr2 + 取代量(摩尔分数 0～ 8% )进行了系统研究 .通过XRD图谱计算的晶格参数说明Sr2 + 取代Pb2 + 后 ,晶胞更趋于各向同性且产生收缩 ,从而改善样品的性能 .实验结果表明 :当x =0 .0 2时 ,在 12 0 0℃ ,2h条件下烧结 ,能获得优良的综合性能 :εr=14 6 1,tanδ =0 .0 0 3 8,Kp=0 .6 3,Qm=132 1,d33 =40 9× 10 - 1 2 C·N- 1 。 展开更多

关键词 锰锑-锆-钛酸铅 压电陶瓷 烧成温度 锶取代 压电 介电性能

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烧结温度对PMS-PZT系陶瓷显微结构和压电性能的研究 被引量：5

8

作者 朱志刚 李宝山 +2 位作者 李国荣 张望重 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1000-1006,共7页

研究了不同烧结温度对Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PMS-PZT)系压电陶瓷显微结构和压电性能的影响.实验结果表明:在1240℃、2h条件下烧结,能获得最优的综合性能:εr=1530、d33=374、Kp=0.6、tanδ=0.41%、Qm=1250,可以满足压电变压... 研究了不同烧结温度对Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PMS-PZT)系压电陶瓷显微结构和压电性能的影响.实验结果表明:在1240℃、2h条件下烧结,能获得最优的综合性能:εr=1530、d33=374、Kp=0.6、tanδ=0.41%、Qm=1250,可以满足压电变压器和超声马达等大功率场合下的使用要求.与此同时,当烧结温度为1100-1150℃时,材料仍然具有良好的压电性能:εr=1370、daa=348、Kp=0.57、tanδ=0.62%、Qm=1620(1150℃),因此可以作为中低温烧结的多层器件用厚膜材料.高温显微镜、SEM、TEM和EDS等研究表明,PMS-PZT系陶瓷具有很宽的烧结温度区域,特别是中低温烧结时仍能成瓷并具有高的压电性能,主要是因为PbO和Sb2O5在较低烧结温度下(1100℃)能够形成过渡液相促进陶瓷烧结,随着烧结温度的升高,它们能够重新进入晶格形成单一钙钛矿结构. 展开更多

关键词 锑锰锆钛酸铅 压电 烧结温度 液相

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SiO_2对低温烧结PMSZT压电陶瓷性能的影响 被引量：5

9

作者 何杰 孙清池 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期224-227,共4页

探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相... 探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明，合成温度900℃时，可得到钙钛矿结构。w（SiO2）不同时PMSZT试样均为四方相和三方相共存，随着w（SiO2）的增加，三方相在准同型相界中的比例略有增加。当w（SiO2）=0．10％时，得到电性能优良的压电陶瓷，相对介电常数ε33^T／ε0=1290，介质损耗tan δ=0．4％，压电常数d33=264pC／N，机电耦合系数kp=0．59，机械品质因数Qm=3113。SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居里温度降低，谐振频率随温度的变化几乎都是正。 展开更多

关键词 压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 SIO2 低温烧结

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先驱体法制备Pb_(1-x)Sr_x(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_aZr_bTicO_3压电陶瓷的压电和介电性能 被引量：4

10

作者 郭向华 吴裕功 吴霞宛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期13-15,共3页

采用先驱体法制备了Pb1-xSrx(Mn1/3Sb2/3)aZrbTicO3压电陶瓷。通过XRD研究表明,随着Sr2+取代量的增加,相界向富锆方向移动,并改善了相界附近组分的压电性能和介电性能。与传统的固相合成制备工艺相比,先驱体法制备的陶瓷具有优良的压电... 采用先驱体法制备了Pb1-xSrx(Mn1/3Sb2/3)aZrbTicO3压电陶瓷。通过XRD研究表明,随着Sr2+取代量的增加,相界向富锆方向移动,并改善了相界附近组分的压电性能和介电性能。与传统的固相合成制备工艺相比,先驱体法制备的陶瓷具有优良的压电性能,所得样品的综合性能:r为1791,tg为0.0035,d33为454?0-12C種-1,kp为0.61。 展开更多

关键词 先驱体法 锑锰锆钛酸铅 压电陶瓷 锶取代 压电性能 介电性能

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硅掺杂PMS-PZT材料的晶界行为对畴结构和压电性能的影响 被引量：3

11

作者 朱志刚 李宝山 +2 位作者 李国荣 郑嘹赢 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期641-646,共6页

运用XRD、TEM、EDS等实验手段,研究了Si离子掺杂对PMS-PZT材料的相结构、微观结构以及电畴形貌的影响.XRD测试结果表明,所有材料都显示钙钛矿结构,四方度(c/a)随着掺杂量的增加而增大.TEM研究结果表明,随着Si离子掺杂量的增加,电畴的形... 运用XRD、TEM、EDS等实验手段,研究了Si离子掺杂对PMS-PZT材料的相结构、微观结构以及电畴形貌的影响.XRD测试结果表明,所有材料都显示钙钛矿结构,四方度(c/a)随着掺杂量的增加而增大.TEM研究结果表明,随着Si离子掺杂量的增加,电畴的形貌由鱼刺型过渡到微米级的带状畴,最后转变为波浪状的电畴.EDS表明在材料的晶界处含有纳米级的SiO2和PbSiO3,并且发现单斜晶系的孪晶ZrO2在晶界附近析出.本文对孪晶ZrO2的析出及其析出量随着硅离子含量增加而增加的原因作了解释,最后对材料压电性能的降低进行了探讨. 展开更多

关键词 锑锰锆钛酸铅 TEM 压电 电畴

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烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响 被引量：4

12

作者 何杰 孙清池 +1 位作者 刘培祥 李红元 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A01期195-198,共4页

探讨了烧结温度对Sio2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（简称PMSZT）压电陶瓷性能的影响。通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋0．1％（SiO2）（质量分数）陶瓷的相组成和显微结... 探讨了烧结温度对Sio2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（简称PMSZT）压电陶瓷性能的影响。通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋0．1％（SiO2）（质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明：合成温度900℃时，可以得到钙钛矿结构。对于适量SiO2掺杂PMSZT压电陶瓷，可以在1100～1150℃时烧结实现致密化，并且介电压电性能较好，当烧结温度为1100℃时综合性能最佳，ε33^T／c0=1290，tanδ=0．45％，d33=264pC／N，Kp=0．59，Qm=2400。 展开更多

关键词 压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 SIO2 低温烧结

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Pr_6O_(11)掺杂锑锰锆钛酸铅压电陶瓷的温度稳定性 被引量：1

13

作者 岳华瑾 孙清池 陆翠敏 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1050-1054,共5页

探讨了Pr6O11掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(leadantimony-manganesezirconatetitanate,PMSZT)压电陶瓷温度稳定性的影响。测定和分析了样品的谐振频率fr,弹性柔顺系数S11E,相对介电常数εr,横向机电耦合系数K31... 探讨了Pr6O11掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(leadantimony-manganesezirconatetitanate,PMSZT)压电陶瓷温度稳定性的影响。测定和分析了样品的谐振频率fr,弹性柔顺系数S11E,相对介电常数εr,横向机电耦合系数K31,压电系数d31在-20～80℃之间随温度的变化。结果表明:与未掺杂的样品相比,掺杂适量Pr6O11的PMSZT陶瓷具有较低的Curie温度,而且体系的压电系数d31的温度稳定性较好,同时机电耦合系数K31的温度稳定性也得到了改善。当掺杂Pr6O11的质量分数为0.05%时,能得到机电性能优良的压电陶瓷,εr=1650,tanδ=0.006,d33=350pC/N,平面机电耦合系数Kp=0.67,机械品质因数Qm=2000。 展开更多

关键词 锑锰锆钛酸铅 氧化镨掺杂 温度稳定性 电性能 显微结构

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不同铅气氛对PMSZT压电陶瓷机电性能的影响 被引量：1

14

作者 祝兰 陈亚君 常鹏 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2009年第4期38-42,共5页

采用固相烧结法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02（Mn1/3Sb2/3）x（Zr0.5Ti0.5）1-xO3（0%〈x〈0.1）（PMSZT），研究了铅气氛和非铅气氛保护条件烧结对其相结构、微观结构、介电性能以及压电性能的影响．实验结果表明：在烧结温度1100... 采用固相烧结法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02（Mn1/3Sb2/3）x（Zr0.5Ti0.5）1-xO3（0%〈x〈0.1）（PMSZT），研究了铅气氛和非铅气氛保护条件烧结对其相结构、微观结构、介电性能以及压电性能的影响．实验结果表明：在烧结温度1100-1300℃范围内，铅气氛保护烧结的试样其综合性能优于非铅气氛保护烧结的试样．铅气氛保护条件下于1200℃得到最佳性能：εr=1717、d33=301、Kp=0．55、tanδ=0．42％、Qm=1453． 展开更多

关键词 压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 压电性能

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PMS对PBSZT压电陶瓷结构与性能的影响

15

作者 黄小琴 刘其斌 张诚 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期14-17,共4页

采用传统固相合成法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)O3掺杂的(1–x)(Pb0.92Ba0.02Sr0.06)(Zr0.52Ti0.48)O3-xPb(Mn1/3Sb2/3)O3[xPMS-(1–x)PBSZT]压电陶瓷。通过XRD、SEM和准静态d33仪等手段探讨了PMS掺杂量对xPMS-(1–x)PBSZT陶瓷样品的相结构、... 采用传统固相合成法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)O3掺杂的(1–x)(Pb0.92Ba0.02Sr0.06)(Zr0.52Ti0.48)O3-xPb(Mn1/3Sb2/3)O3[xPMS-(1–x)PBSZT]压电陶瓷。通过XRD、SEM和准静态d33仪等手段探讨了PMS掺杂量对xPMS-(1–x)PBSZT陶瓷样品的相结构、显微结构和电性能的影响。结果表明:适量的PMS掺杂有助于降低陶瓷样品的烧结温度,x=0.01的样品在1 230℃烧结具有最大体积密度7.83 g/cm3。当x=0.02时,其具有最佳综合电性能,主要参数为:d33=349pC/N,kp=0.592,εr=1 587,tanδ=0.46%。 展开更多

关键词 锑锰锆钛酸铅 压电陶瓷 压电性能 介电性能 掺杂 准同型相界

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烧结温度对PMSZT压电陶瓷相结构和机电性能的影响

16

作者 祝兰 刘彭义 +1 位作者 陈亚君 常鹏 《暨南大学学报（自然科学与医学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期518-522,共5页

采用固相合成法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(0<x<0.1)(PM-SZT),研究了不同烧结温度对其相结构、微观结构、介电性能及压电性能的影响.实验结果表明:在烧结温度范围内,均可以得到纯的钙钛矿... 采用固相合成法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(0<x<0.1)(PM-SZT),研究了不同烧结温度对其相结构、微观结构、介电性能及压电性能的影响.实验结果表明:在烧结温度范围内,均可以得到纯的钙钛矿结构的PMSZT陶瓷.随着烧结温度的升高,物相组成由四方相向三方相转变,机械品质因数Qm持续减小,相对介电常数εr、机电耦合系数Kp、压电常数d33先增加后减小,介电损耗tanδ先减小后增加.烧结温度为1200℃时得到最佳的综合性能:Qm=1500、εr=1866、Kp=0.56、d33=326、tanδ=0.4%. 展开更多

关键词 压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 压电性能

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五元系PZN-PSN-PMS-PZT压电陶瓷的研究 被引量：8

17

作者 孙琳 孙清池 胜鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第1期35-38,共4页

对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1200～1280°C)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究。实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1260°C,2h条... 对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1200～1280°C)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究。实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1260°C,2h条件下烧结,样品的品质因数Qm为1671;介电常数εTr3为1294;压电常数d33为285pC·N-1;介质损耗tanδ为0.004;机电耦合系数kp为0.522;居里温度TC为295°C;矫顽场强Ec为19kV·cm-1,显示出该五元系具有很大的应用价值和发展潜力。 展开更多

关键词 压电陶瓷 铌锌-铌锡-锑锰-锆钛酸铅 锶、钡取代 电滞回线

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Pb(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.05)Zr_xTi_(0.95-x)O_3压电陶瓷准同型相界附近的性能 被引量：9

18

作者 陆翠敏 孙清池 +1 位作者 徐明霞 罗云飞 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期542-546,共5页

以固态氧化物为原料,采用二次合成工艺制备锑锰锆钛酸铅三元系压电陶瓷。研究了组成为Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05ZrxTi0.95-xO3(PMSZT)压电陶瓷的相组成、显微结构、电性能及温度稳定性。结果发现:该体系的准同型相界位于锆摩尔含量x=0.47附近... 以固态氧化物为原料,采用二次合成工艺制备锑锰锆钛酸铅三元系压电陶瓷。研究了组成为Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05ZrxTi0.95-xO3(PMSZT)压电陶瓷的相组成、显微结构、电性能及温度稳定性。结果发现:该体系的准同型相界位于锆摩尔含量x=0.47附近;所有组成样品介电峰附近的相变都表现为弥散性相变特征;准同型相界附近谐振频率的相对变化率较小;在锆含量x=0.47的准同型相界处PMSZT综合性能达到最佳值:ε33T/ε0=1420,d33=324pC/N,Kp=62%,Qm=2400,tanδ=0.0029,这可以满足大功率陶瓷材料的应用。 展开更多

关键词 锑锰锆钛酸铅陶瓷 三元系压电陶瓷 相组成 显微结构 电性能 温度稳定性 准同型相界

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镍掺杂PMS-PZ-PT三元系压电陶瓷压电性能及其热老化行为的研究 被引量：4

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作者 周飞 龙纪文 孟中岩 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期542-547,共6页

研究了Ni掺杂xPb(Mn1/3Sb2/3)O3yPbZrO3zPbTiO3(PMSPZPT)三元系压电陶瓷的综合机电性能及其介电和压电性能的热老化行为。实验结果表明:适量的掺杂能显著优化体系的压电和介电性能;对于掺NiO量为0.2%(质量分数)的样品,在25,50,100℃时,... 研究了Ni掺杂xPb(Mn1/3Sb2/3)O3yPbZrO3zPbTiO3(PMSPZPT)三元系压电陶瓷的综合机电性能及其介电和压电性能的热老化行为。实验结果表明:适量的掺杂能显著优化体系的压电和介电性能;对于掺NiO量为0.2%(质量分数)的样品,在25,50,100℃时,其介电和压电性能的老化行为,与老化时间的对数呈线性关系;而在150℃和200℃时与老化时间的对数呈指数延伸规律。这一现象与陶瓷内部的畴结构有关。 展开更多

关键词 锑锰锆钛酸铅陶瓷 压电陶瓷 老化行为 热稳定性 压电性能 PMS-PZ-PT

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制备工艺对铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷性能的影响 被引量：4

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作者 张伟 孙清池 马卫兵 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期238-242,共5页

由Nb5+,Sb3+置换锆钛酸铅的B位离子,制备了用作大功率水声换能器材料的铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷。采用固相法合成了0.02Pb(Sb1/2Nb1/2)O3-0.98PbZr1-xTixO3(x=0.44～0.49)粉体。通过X射线衍射及扫描电镜分析,研究了不同锆钛比和烧结温... 由Nb5+,Sb3+置换锆钛酸铅的B位离子,制备了用作大功率水声换能器材料的铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷。采用固相法合成了0.02Pb(Sb1/2Nb1/2)O3-0.98PbZr1-xTixO3(x=0.44～0.49)粉体。通过X射线衍射及扫描电镜分析,研究了不同锆钛比和烧结温度对陶瓷的相组成、显微结构和介电、压电性能的影响。结果表明:当合成温度为900℃时,获得的粉体的主晶相为钙钛矿结构。当Zr/Ti摩尔比为51/47,烧结温度为1230℃时,各项性能达到最佳值,介电常数εT33/ε0为1945,介电损耗tanδ为0.019,压电常数d33为425pC/N,机电耦合系数Kp为0.65,Curie温度θC为352℃。铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷的烧结温度范围宽,具有较强的工艺操作性且θC高。 展开更多

关键词 铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷 介电常数 压电常数 CURIE温度

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