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题名GaSb晶片钝化工艺对抛光表面的影响
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作者
卢伟涛
程红娟
张弛
高飞
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期808-810,共3页
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基金
总装预研基金资助项目
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文摘
锑化镓(GaSb)作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取了硫化铵溶液,对化学机械抛光后的晶片表面进行处理,以研究硫钝化工艺中钝化时间对抛光面的影响。实验结果通过原子力显微镜(AFM)和X线光电子能谱(XPS)进行了表征,研究发现,经硫化铵溶液处理后,与Ga相比,Sb的硫化程度更完全,且该程度会随着硫化时间的延长而逐渐加大。另外,处理时间长会加重GaSb晶片表面的腐蚀,使其表面起伏加剧,表面粗糙度增大。
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关键词
锑化镓(gasb)
化学机械抛光
硫钝化
原子力显微镜(AFM)
X线光电子能谱(XPS)
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Keywords
gallium antimonide（gasb）
chemical mechanical polishing
sulfuric passivation
atomic force mi croscopy（AFM）
X-ray photoelectron spectroscopy（XPS）
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分类号
TN304.07
[电子电信—物理电子学]
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