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ZnS_xTe_(1-x)三元混晶的光学性质研究 被引量：1
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作者 刘南竹 朱作明 +4 位作者 李国华 韩和相 汪兆平 葛惟馄 苏荫强 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期338-344,共7页
报道了对一系列不同组份的ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ（０≤ｘ＜１）混晶的喇曼散射和光致发光研究．室温下的喇曼散射实验结果表明ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ中的声子具有双模行为．研究了ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ混晶的反射谱、背散射和边发射配置下的光... 报道了对一系列不同组份的ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ（０≤ｘ＜１）混晶的喇曼散射和光致发光研究．室温下的喇曼散射实验结果表明ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ中的声子具有双模行为．研究了ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ混晶的反射谱、背散射和边发射配置下的光致发光谱，以及１０～３００Ｋ温度范围内光致发光谱的温度关系，结果表明：ｘ较小时，ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ的发光来源于混晶带边发光或浅杂质的发光；ｘ接近１时，发光蜂来源于束缚在Ｔｅ等电子陷阱上的自陷激子的辐射复合． 展开更多
关键词 混晶 光致发光 喇曼散射 锌硫碲 半导体
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用XPS测量ZnS_(0.8)Te_(0.2)/G_aP半导体异质结的价带偏移
2
作者 孙汪典 《暨南大学学报（自然科学与医学版）》 CAS CSCD 1999年第3期28-32,共5页
应用Ｘ射线光电子能谱(ＸＰＳ）对分子束外延生长的ＺｎＳ(０．８)Ｔｅ(０．２)／ＧａＰ半导体异质结进行直接法测量，得其价带偏移值为１．５ｅＶ；采用芯态能级技术法测量，得其价带偏移值为１．４５ｅＶ在测量误差范围内，两种方法... 应用Ｘ射线光电子能谱(ＸＰＳ）对分子束外延生长的ＺｎＳ(０．８)Ｔｅ(０．２)／ＧａＰ半导体异质结进行直接法测量，得其价带偏移值为１．５ｅＶ；采用芯态能级技术法测量，得其价带偏移值为１．４５ｅＶ在测量误差范围内，两种方法测得的结果相一致． 展开更多
关键词 半导体 异质结 价带偏移 XPS 锌硫碲化合物
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ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱
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作者 方再利 苏付海 +7 位作者 马宝珊 刘南竹 朱作明 丁琨 韩和相 李国华 葛惟锟 苏萌强 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期370-376,共7页
研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比... 研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小 ,随着 Te组分的增加而减小 ,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大 .由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量 ,与发光峰有关的吸收效率降低 ,发光峰积分强度随着压力增加而减小 .据此估算了 Ten 等电子中心的 Stokes位移 .发现 Stokes位移随着 展开更多
关键词 电子陷阱 压力 光致发光 锌硫碲混合物
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