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In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs四元混晶的喇曼散射
被引量:
1
1
作者
韩和相
汪兆平
+4 位作者
李国华
徐仕杰
丁琨
刘南竹
朱作明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期187-191,共5页
报道了MBE生长的In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果.光学声子模的频率与强度的组分关系表明In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中有3种光学声子模,即类InAs、类GaAs和类AlAs...
报道了MBE生长的In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果.光学声子模的频率与强度的组分关系表明In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中有3种光学声子模,即类InAs、类GaAs和类AlAs模.喇曼光谱的偏振分析表明3种光学声子在退偏振条件下是喇曼活性的,而在偏振条件下是喇曼非活性的.由于混晶中的无序效应,可观察到泄漏的TO模叠加在LO的低能侧使喇曼峰显现出非对称形状.
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关键词
喇曼散射
四元混晶
铟
镓
铝
砷
半导体
光学声子
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职称材料
MBE生长的In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs/InP四元混晶的拉曼散射
2
作者
韩和相
汪兆平
+3 位作者
李国华
徐士杰
刘南竹
朱作明
《光散射学报》
1997年第2期155-156,共2页
MBE生长的In1-x-yGaxAlyAs/InP四元混晶的拉曼散射韩和相汪兆平李国华徐士杰刘南竹朱作明(中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083)OpticalPhononRamanScat...
MBE生长的In1-x-yGaxAlyAs/InP四元混晶的拉曼散射韩和相汪兆平李国华徐士杰刘南竹朱作明(中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083)OpticalPhononRamanScateringfromIn1-x-yG...
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关键词
铟
镓
铝
砷
MBE
四元混晶
拉曼散射
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职称材料
题名
In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs四元混晶的喇曼散射
被引量:
1
1
作者
韩和相
汪兆平
李国华
徐仕杰
丁琨
刘南竹
朱作明
机构
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
国立新加坡大学物理系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期187-191,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
报道了MBE生长的In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果.光学声子模的频率与强度的组分关系表明In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中有3种光学声子模,即类InAs、类GaAs和类AlAs模.喇曼光谱的偏振分析表明3种光学声子在退偏振条件下是喇曼活性的,而在偏振条件下是喇曼非活性的.由于混晶中的无序效应,可观察到泄漏的TO模叠加在LO的低能侧使喇曼峰显现出非对称形状.
关键词
喇曼散射
四元混晶
铟
镓
铝
砷
半导体
光学声子
Keywords
Raman scattering, quaternary alloys, InGaAlAs.
分类号
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
MBE生长的In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs/InP四元混晶的拉曼散射
2
作者
韩和相
汪兆平
李国华
徐士杰
刘南竹
朱作明
机构
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
出处
《光散射学报》
1997年第2期155-156,共2页
文摘
MBE生长的In1-x-yGaxAlyAs/InP四元混晶的拉曼散射韩和相汪兆平李国华徐士杰刘南竹朱作明(中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083)OpticalPhononRamanScateringfromIn1-x-yG...
关键词
铟
镓
铝
砷
MBE
四元混晶
拉曼散射
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs四元混晶的喇曼散射
韩和相
汪兆平
李国华
徐仕杰
丁琨
刘南竹
朱作明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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职称材料
2
MBE生长的In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs/InP四元混晶的拉曼散射
韩和相
汪兆平
李国华
徐士杰
刘南竹
朱作明
《光散射学报》
1997
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职称材料
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