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铟镓氮薄膜的光电特性 被引量：4
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作者 韩培德 刘祥林 +7 位作者 王晓晖 袁海荣 陈振 李昱峰 陆沅 汪度 陆大成 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期143-148,共6页
用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱... 用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱为单峰 ,且峰值波长在 36 0～ 5 5 5 nm范围内可调 ;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合 ;并具有很高的电子浓度 .但 In Ga N薄膜的结晶质量却随着 展开更多
关键词 MOVPE 铟镓氮薄膜 光电特性 外延生长
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