期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到62篇文章
< 1 2 … 4 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
铟及其化合物的毒性研究 被引量：12
1
作者 王伟 李庆辉 李刚 《工业卫生与职业病》 CAS CSCD 2000年第5期309-310,共2页
关键词 铟 铟化合物 毒性研究 急性毒性 慢性毒性
下载PDF
职业接触铟化合物所致的肺部损害 被引量：11
2
作者 朱秋鸿 黄金祥 《中国工业医学杂志》 CAS 北大核心 2012年第4期268-271,共4页
尽管工业应用铟化合物制造液晶面板的需求在增加,却很少有人了解职业接触铟化合物对健康的危害。应密切关注铟化合物可能的毒性作用,最大限度地保护工人的身体健康。
关键词 铟化合物 肺损害 间质性肺炎 肺蛋白沉积症
原文传递
铟及其化合物毒性研究进展 被引量：5
3
作者 惠长野 郭妍 李智民 《中华劳动卫生职业病杂志》 CAS CSCD 2015年第8期635-637,共3页
从上世纪90年代开始，铟及其化合物由于其特殊的理化性质，被广泛用于合金制造、半导体材料合成、生物医学和核工业等领域。伴随微电子工业的迅猛发展，全世界范围对金属铟的需求近年来呈大幅上升，新型的铟锡氧化物（ITO）凭借其优良... 从上世纪90年代开始，铟及其化合物由于其特殊的理化性质，被广泛用于合金制造、半导体材料合成、生物医学和核工业等领域。伴随微电子工业的迅猛发展，全世界范围对金属铟的需求近年来呈大幅上升，新型的铟锡氧化物（ITO）凭借其优良的透明导电特性在液晶面板、触屏等领域广泛应用。随着铟接触人群逐年递增，职业性铟中毒引起的肺病屡有报道。2014年，铟及其化合物中毒被列入我国新修订的《职业病分类和目录》中。国外关于铟的毒理学研究报道很多，亦提出了铟的职业接触限值。我们主要就铟化合物生殖毒性、肺毒性及遗传毒性的相关研究进行综述，为制订我国铟相关的卫生标准及保护职业接触者健康提供参考。 展开更多
关键词 铟化合物 生殖毒性 职业接触限值 职业接触者 理化性质 生物医学 世界范围 接触人群
原文传递
铟化合物的细胞毒性研究进展 被引量：2
4
作者 刘佳 孙道远 《中华劳动卫生职业病杂志》 CAS CSCD 2015年第10期798-800,共3页
近年来，随着微电子工业的发展，全球对金属铟的需求量显著增加。工业中常用到的铟化合物有磷化铟（InP）、氧化铟锡（ITO）等。InP具有优越的带隙特性、高电子迁移率和高击穿电压等特点，常用于半导体、注入式激光器、太阳能电池、光... 近年来，随着微电子工业的发展，全球对金属铟的需求量显著增加。工业中常用到的铟化合物有磷化铟（InP）、氧化铟锡（ITO）等。InP具有优越的带隙特性、高电子迁移率和高击穿电压等特点，常用于半导体、注入式激光器、太阳能电池、光电二极管以及发光二极管的生产。 展开更多
关键词 铟化合物 细胞毒性 发光二极管 微电子 需求量 氧化铟 INP 迁移率
原文传递
醋酸铟化合物的合成及热稳定性研究 被引量：1
5
作者 胡益民 周虹屏 黄小华 《合成化学》 CAS CSCD 1999年第1期12-14,共3页
合成了３个新的醋酸钢化合物：并经元素分析、ＩＲ及ＭＳ鉴定，讨论了二乙基醋酸铟化合物受热引起的歧化反应和这些化合物的热稳定性。
关键词 醋酸铟 有机铟 铟化合物 热稳定性 歧化反应
下载PDF
职业接触铟化合物所致肺部疾病的病例分析 被引量：2
6
作者 朱秋鸿 余晨 +1 位作者 李德鸿 王焕强 《中国工业医学杂志》 CAS 2015年第4期289-291,共3页
铟（Indium）是一种银白色稀有软金属元素,可塑性大,延展性好。上世纪90年代以前,主要用于制造合金、半导体材料和核反应堆的抑制棒。近年来,随着电子工业的快速发展,其用量不断增加,其中以氧化铟锡（ITO）为代表,主要用于液晶显示屏膜... 铟（Indium）是一种银白色稀有软金属元素,可塑性大,延展性好。上世纪90年代以前,主要用于制造合金、半导体材料和核反应堆的抑制棒。近年来,随着电子工业的快速发展,其用量不断增加,其中以氧化铟锡（ITO）为代表,主要用于液晶显示屏膜。职业接触难溶性铟化合物后引起的肺部疾病屡有报道,本文通过检索Pubmed、中国医院数字图书馆、协和图书馆文献服务中心,对国内外公开发表的10例病例报道进行分析，供进一步研究和临床应用。 展开更多
关键词 铟化合物 肺部疾病
原文传递
铟化合物职业暴露的流行病学研究 被引量：2
7
作者 彭巨成 冯晶 吴礼康 《中华劳动卫生职业病杂志》 CAS CSCD 2015年第8期638-640,共3页
根据2005年美国地质矿产调查报告，全世界有经济价值的铟（indium）总储量在1．5×10^4t以上，其中我国储量超过8000t，超过铟总储量的50％，居世界第1位。目前铟已经成为高新技术产业的重要生产原料，全世界超过50％的铟被用来制... 根据2005年美国地质矿产调查报告，全世界有经济价值的铟（indium）总储量在1．5×10^4t以上，其中我国储量超过8000t，超过铟总储量的50％，居世界第1位。目前铟已经成为高新技术产业的重要生产原料，全世界超过50％的铟被用来制造液晶产品[1]。由于含铟材料的广泛使用，我国从事含铟材料生产、加工和铟回收等作业的人员不断增加，但国内对铟及其化合物对人体健康影响的研究开展得较少。我们综述了铟及其化合物职业暴露的流行病学研究，对促进国内铟及其化合物对人体健康影响的研究具有重要意义。 展开更多
关键词 铟化合物 流行病学 职业暴露 人体健康影响 高新技术产业 经济价值 生产原料 储量
原文传递
铟冶炼操作工矽肺1例报告
8
作者 黄世文 许晓丽 +3 位作者 黄才千 黎海红 梁启荣 江世强 《职业与健康》 CAS 2015年第16期2257-2259,2262,共4页
目的通过分析1名铟冶炼操作工矽肺的临床表现及X射线、病理、肺功能检查等变化,探讨铟致矽肺患者的疾病转归。方法回顾分析1名铟冶炼操作工矽肺发生、发展8年的临床资料。结果该铟冶炼操作工接触铟尘3年5个月后被诊断为贰期矽肺,发病初... 目的通过分析1名铟冶炼操作工矽肺的临床表现及X射线、病理、肺功能检查等变化,探讨铟致矽肺患者的疾病转归。方法回顾分析1名铟冶炼操作工矽肺发生、发展8年的临床资料。结果该铟冶炼操作工接触铟尘3年5个月后被诊断为贰期矽肺,发病初期无明显临床症状,肺功能及其他实验室检查未发现异常;从贰期矽肺晋期到叁期矽肺约为4年时间,并有反复咳嗽、咳痰、活动后胸闷、气紧等临床症状。支气管慢性炎症改变,肺组织可见少量尘灶、纤维组织轻度增生和胶原纤维形成,肺通气功能大致正常、弥散功能轻度降低。结论该铟冶炼工矽肺晋期年限短,应加强铟作业工人的长期随访,以便进一步观察铟肺病的自然史,有效预防铟所致矽肺的发生。 展开更多
关键词 铟 铟化合物 冶炼 矽肺
原文传递
MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED 被引量：9
9
作者 李忠辉 杨志坚 +7 位作者 于彤军 胡晓东 杨华 陆曙 任谦 金春来 章蓓 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期107-109,共3页
利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。
关键词 INGAN 量子阱 紫光LED MOCVD 发光二极管 外延生长 镓铟化合物 氮化镓 GaN
下载PDF
用InGaN蓝光LED与YAG荧光粉制造自然白光LED 被引量：3
10
作者 王宇方 杨志坚 +4 位作者 丁晓民 姚光庆 段洁菲 林建华 张国义 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第7期77-79,共3页
报导了用国内自行研制的InGaN/GaN蓝光发光二极管 (LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管 (W LED)。在室温 ,正向电压 3 5V ,正向电流2 0mA时 ,W LED轴向亮度为 1cd,CIE色坐标为 (0 3 1 ,0 3 8) ,接近纯白色 (0 3 3... 报导了用国内自行研制的InGaN/GaN蓝光发光二极管 (LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管 (W LED)。在室温 ,正向电压 3 5V ,正向电流2 0mA时 ,W LED轴向亮度为 1cd,CIE色坐标为 (0 3 1 ,0 3 8) ,接近纯白色 (0 3 3 ,0 3 3 )。 展开更多
关键词 INGAN 制造 白光 LED YAG荧光粉 发光二极管 镓氮铟化合物
下载PDF
高性能In_(0.53)Ga_(0.47)AsPIN光电探测器的研制 被引量：7
11
作者 刘家洲 陈意桥 +3 位作者 税琼 南矿军 李爱珍 张永刚 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第1期45-48,共4页
报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能。在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时... 报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能。在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps。对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论。 展开更多
关键词 光电探测器 分子束外延 PIN二极管 光纤通信 GSMBE 宽禁带半导体 镓砷铟化合物
原文传递
三价铟化合物在有机合成中的应用 被引量：7
12
作者 范学森 胡雪原 张永敏 《有机化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第5期455-465,共11页
综述了近年来三价铟化合物促进的多种有机反应及其在有机合成中的应用 。
关键词 三价铟化合物 有机合成 碳-碳键 碳-杂原子键 路易斯酸 有机反应
下载PDF
GaInP/GaAs异质结双极晶体管小信号模型参数提取的新方法 被引量：4
13
作者 刘海文 孙晓玮 +2 位作者 程知群 车延峰 李征帆 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期2298-2303,共6页
提出了一种直接提取GaInP GaAs异质结双极晶体管 (HBT)小信号模型参数的新方法 .该方法基于HBT器件S参数的测试数据 ,对HBT的小信号模型进行电路网络分析 ,利用S ,Z ,Y参数关系以及电路“抽出”的技巧 ,分别对HBT小信号模型的寄生参数... 提出了一种直接提取GaInP GaAs异质结双极晶体管 (HBT)小信号模型参数的新方法 .该方法基于HBT器件S参数的测试数据 ,对HBT的小信号模型进行电路网络分析 ,利用S ,Z ,Y参数关系以及电路“抽出”的技巧 ,分别对HBT小信号模型的寄生参数和本征元件参数进行提取 ,建立了一套完整的直接提取HBT小信号模型参数的新方法 .与文献报道HBT小信号模型参数提取的方法相比 ,该方法的优点是 ,提取过程具有简明清晰的物理意义 ,无需建立特殊的测试结构 ,无需引入繁琐的数学优化过程 ,提取速度快 ,并且具有比较好的精度和较宽频带范围的适用性等 . 展开更多
关键词 GaInP/GaAs 异质结双极晶体管 小信号模型 参数提取 砷化镓 磷镓铟化合物 寄生参数 本征元件参数
原文传递
具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究 被引量：2
14
作者 朱天伟 张元常 +2 位作者 徐波 刘峰奇 王占国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期2087-2091,共5页
采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点 InAlAs浸润层结构 .通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当 ,从而使浸润层的量子阱特征消失 .通过低温光致发光 (PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点 InAlAs浸润层在样... 采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点 InAlAs浸润层结构 .通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当 ,从而使浸润层的量子阱特征消失 .通过低温光致发光 (PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点 InAlAs浸润层在样品中的确切位置 .变温PL谱的研究显示 ,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽 ,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为 .这是因为采用了InAlAs浸润层后 ,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用 ,同时切断了载流子的转移通道 ,使得量子点更加孤立后表现出来的性质 . 展开更多
关键词 InGaAs量子点 制备 InAlAs浸润层 自组装 量子阱 半导体 砷镓铟化合物 砷铝铟化合物 PL镨
原文传递
AgIn_(5)S_(8)/碳量子点/ZnIn_(2)S_(4)的多途径电子迁移与光催化性能 被引量：3
15
作者 祖雯琳 李莉 +3 位作者 黄继玮 孙英茹 马凤延 曹艳珍 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1059-1072,共14页
首先,借助碳量子点(CQDs)的上转换光致发光(UCPL)特性对ZnIn_(2)S_(4)进行了表面改性,再结合离子交换法制备了复合材料AgIn_(5)S_(8)/CQDs/ZnIn_(2)S_(4)。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外可见漫反射吸收光谱(UV-Vis D... 首先,借助碳量子点(CQDs)的上转换光致发光(UCPL)特性对ZnIn_(2)S_(4)进行了表面改性,再结合离子交换法制备了复合材料AgIn_(5)S_(8)/CQDs/ZnIn_(2)S_(4)。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外可见漫反射吸收光谱(UV-Vis DRS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、氮气吸附-脱附、光致发光(PL)和电化学阻抗(EIS)等测试手段对复合材料的组成、结构、形貌以及表面物理化学性质等进行了表征。结果表明,该复合材料中不同组分间的协同作用导致其呈现宽光谱响应(250~800 nm)。与对比体系相比,复合材料AgIn_(5)S_(8)/CQDs/ZnIn_(2)S_(4)表现出明显增强的光电流密度,更小的电荷转移阻抗,较长的光生载流子寿命。以甲基橙为模型分子,在不同光源作用下进行的光催化活性研究结果显示,AgIn_(5)S_(8)/CQDs/ZnIn_(2)S_(4)呈现增强的光催化降解活性。同时,该复合材料在光解水性能研究中不仅表现较高的光解水制氢速率(312.09μmol·h^(-1)·g^(-1)),而且呈现良好的稳定性。 展开更多
关键词 碳量子点 上转换特性 宽光谱响应 硫铟化合物 光催化
下载PDF
InGaAs量子点激光器光增益的温度特性 被引量：2
16
作者 宁永强 刘云 +1 位作者 王立军 高欣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期285-288,共4页
研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性 ,并与InGaAs单量子阱材料进行了对比 .发现In GaAs量子点表现出更好的增益温度稳定性 .同时发现随着温度升高 ,在 14 0～ 2 0 0K温度范围内 ,InGaAs量子点增益峰值首先增大 ,当温度超... 研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性 ,并与InGaAs单量子阱材料进行了对比 .发现In GaAs量子点表现出更好的增益温度稳定性 .同时发现随着温度升高 ,在 14 0～ 2 0 0K温度范围内 ,InGaAs量子点增益峰值首先增大 ,当温度超过 2 0 0K后开始减小 .对这种增益特性的产生机制进行了分析 .增益曲线峰值波长随温度升高单调地向长波长方向移动 。 展开更多
关键词 INGAAS 激光器 量子点 光增益 温度特性 半导体材料 砷镓铟化合物
下载PDF
InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究 被引量：2
17
作者 李昱峰 韩培德 +6 位作者 陈振 黎大兵 王占国 刘祥林 陆大成 王晓晖 汪度 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期380-384,T001,共6页
降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,... 降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明:InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥,其密度约1011cm-2。室温下,InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明,用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜,有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。 展开更多
关键词 INGAN 量子点 诱导生长 发光特性 微观形貌 氮镓铟化合物 半导体
下载PDF
1例职业性铟化合物中毒病例分析 被引量：1
18
作者 白莹 谢丽庄 《中国工业医学杂志》 CAS 2020年第3期238-240,共3页
对1例职业性铟暴露患者职业接触史、临床症状、病情演变、病理改变、影像学特点以及肺功能检查等资料结合现场调查进行综合分析。探讨职业性铟暴露患者肺间质病变的致病原因和鉴别诊断等问题。
关键词 铟化合物中毒 肺间质病变 鉴别诊断
原文传递
InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究 被引量：1
19
作者 孔令民 蔡加法 +3 位作者 林雪娇 杨克勤 吴正云 沈文忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期549-553,共5页
分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,... 分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子 声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果。 展开更多
关键词 InGaAs/GaAs应变量子阱 光谱研究 时间分辨谱 光致发光谱 光伏谱 半导体材料 砷化镓 砷镓铟化合物 形态势模型
下载PDF
新型材料InGaNAs的生长与应用前景 被引量：1
20
作者 王勇刚 马骁宇 +1 位作者 韦欣 文芳 《红外》 CAS 2003年第10期17-20,共4页
详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。
关键词 InGaNAs 半导体材料 生长特点 晶格匹配 应用前景 砷氮镓铟化合物 长波长量子阱激光器 长波长垂直腔面发射激光器 半导体可饱和吸收镜 长波长谐振腔增强探测器
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 4 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部