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ULSI铝布线化学机械抛光研究 被引量:2
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作者 韩丽丽 刘玉岭 +2 位作者 牛新环 王如 王辰伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期576-579,583,共5页
在分析铝的物理化学特性的基础上,对甚大规模集成电路(ULSI)铝布线化学机械抛光(CMP)机理进行研究,确定采用碱性抛光液。阐述了所选pH值调节剂的特点,探讨了其在化学机械抛光过程中的作用机理,并分析了所选表面活性剂所发挥的提高高低... 在分析铝的物理化学特性的基础上,对甚大规模集成电路(ULSI)铝布线化学机械抛光(CMP)机理进行研究,确定采用碱性抛光液。阐述了所选pH值调节剂的特点,探讨了其在化学机械抛光过程中的作用机理,并分析了所选表面活性剂所发挥的提高高低选择比的作用。最后,对所选pH值调节剂和表面活性剂对铝化学机械抛光的影响进行了实验研究。结果表明:pH值在11.0时,去除速率最快,约为390nm/min;表面活性剂的加入对去除速率影响不大,但可以明显改善表面状态,表面粗糙度降至nm级。 展开更多
关键词 甚大规模集成电路 布线 化学机械抛光 抛光液
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关于CCD铝布线光刻工艺质量的优化研究
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作者 高建威 韩沛东 +2 位作者 向鹏飞 杨修伟 袁安波 《电子科技》 2017年第6期146-149,共4页
针对CCD器件制作过程中铝布线的光刻工艺质量较差问题,阐述了其产生的原因和对后续刻蚀工艺造成的影响及对器件性能造成的不良结果。文中从改进光刻工艺参数的角度入手进行试验查找相应的解决办法,通过为高台阶层次添加焦距补偿的方法... 针对CCD器件制作过程中铝布线的光刻工艺质量较差问题,阐述了其产生的原因和对后续刻蚀工艺造成的影响及对器件性能造成的不良结果。文中从改进光刻工艺参数的角度入手进行试验查找相应的解决办法,通过为高台阶层次添加焦距补偿的方法提高铝布线的光刻工艺质量。通过器件性能测试验证了其可行性,在之后制定了工艺规范,使器件整体的工艺能力和成品率得到显著提升。 展开更多
关键词 CCD 布线 光刻 质量
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Intel的新杀手锏—北木头(NORTHWOOD)核心
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作者 答笛 《电脑新时代》 2002年第2期98-102,共5页
关键词 PENTIUM4 微处理器 微米布线工艺 INTEL
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