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铝合金功能薄膜与溅射靶材 被引量：6
1
作者 吴丽君 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期347-351,共5页
近年来 ,铝合金广泛用于生产多种功能薄膜。作为制备高性能溅射薄膜用的铝合金靶材也得到了相应的应用。本文重点介绍应用于不同领域的几种铝合金功能薄膜 ,简述了铝合金薄膜与溅射靶材的制备工艺、铝合金靶材的显微结构及其对溅射薄膜... 近年来 ,铝合金广泛用于生产多种功能薄膜。作为制备高性能溅射薄膜用的铝合金靶材也得到了相应的应用。本文重点介绍应用于不同领域的几种铝合金功能薄膜 ,简述了铝合金薄膜与溅射靶材的制备工艺、铝合金靶材的显微结构及其对溅射薄膜性能的影响 。 展开更多
关键词 铝合金薄膜 溅射靶材 功能薄膜 应用 薄膜工艺
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集成电路电极布线用铝合金薄膜及其溅射靶材 被引量：8
2
作者 吴丽君 夏慧 陆彪 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期111-113,125,共4页
近年来 ,铝合金薄膜广泛用作半导体集成电路的电极布线材料。作为制备溅射薄膜材料的铝合金靶材也获得了相应的应用。本文介绍了集成电路电极布线用铝合金薄膜及其溅射靶材的种类和性能 ,铝合金靶材的制备工艺以及铝合金靶材的发展趋势。
关键词 铝合金薄膜 溅射靶材 集成电路 电极布线材料
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磁控溅射Al-Fe-Sn薄膜的电输运性能（英文）
3
作者 赵冠楠 郑增 +3 位作者 耿开杰 张晴 张永 严彪 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1142-1146,共5页
在电子工业中,为了制备低电阻率的Al合金薄膜,需要对薄膜进行退火。虽然材料的电阻率与其电输运性能密切相关,然而到目前为止,对于铝合金薄膜的电输运性能研究甚少。本实验首先利用TEM对于磁控溅射铝合金薄膜的结构,特别是对其与基底界... 在电子工业中,为了制备低电阻率的Al合金薄膜,需要对薄膜进行退火。虽然材料的电阻率与其电输运性能密切相关,然而到目前为止,对于铝合金薄膜的电输运性能研究甚少。本实验首先利用TEM对于磁控溅射铝合金薄膜的结构,特别是对其与基底界面处的结构进行了表征。在此基础上,利用霍尔效应测试了解界面状态的变化对于霍尔载流子浓度及迁移率的影响。结果表明,在退火过程中,薄膜与基底之间通过扩散形成紧密接触,从而使得合金薄膜同时具有较高的载流子浓度以及载流子迁移率。最后,利用一个新提出的能带模型,解释所观察到的界面变化对于电导率的影响。 展开更多
关键词 电阻率 铝合金薄膜 电输运
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组合法优化Ti掺杂Zn-Al合金薄膜的耐腐蚀性能(英文) 被引量：3
4
作者 张静玉 刘庆峰 刘茜 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1763-1768,共6页
应用组合技术,通过离子束溅射法制备了Zn-Al-Ti合金薄膜材料芯片(其中wAl∶wZn=55%∶45%(w,质量分数)),表征了热处理后薄膜的耐腐蚀性能,研究了Ti掺杂量对薄膜耐腐蚀性能的影响.在Ar+5%(φ,体积分数)H2混合气氛中,经200℃扩散1h,再经37... 应用组合技术,通过离子束溅射法制备了Zn-Al-Ti合金薄膜材料芯片(其中wAl∶wZn=55%∶45%(w,质量分数)),表征了热处理后薄膜的耐腐蚀性能,研究了Ti掺杂量对薄膜耐腐蚀性能的影响.在Ar+5%(φ,体积分数)H2混合气氛中,经200℃扩散1h,再经370℃热处理2h后可以得到高质量的合金薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对热处理后的典型样品进行相结构和形貌表征.使用电化学方法测试样品的耐腐蚀性能.结果表明,Ti适量掺杂样品的腐蚀速率明显下降,其中Ti掺杂量为6.0%(w)的Zn-Al-Ti合金薄膜(94.0%(w)Zn-Al,其中wAl∶wZn=55%∶45%)具有最优异的耐腐蚀性能,其原因在于,Ti适量掺入后晶粒明显细化,表面更为致密,且钝化作用增强. 展开更多
关键词 钛掺杂 锌铝合金薄膜 耐腐蚀 组合法
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耐蚀Zn-Al合金材料的组合材料芯片方法优选 被引量：2
5
作者 霍伟亮 刘庆峰 +2 位作者 刘茜 朱丽慧 王利 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1703-1708,共6页
应用组合材料芯片方法,通过离子束溅射法制备了全组分范围的Zn-Al薄膜样品阵列.沉积得到的多层薄膜经370℃扩散处理2h形成合金薄膜.通过扫描俄歇能谱仪(AES)、X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对样品的成分、结构和形貌进行表征.... 应用组合材料芯片方法,通过离子束溅射法制备了全组分范围的Zn-Al薄膜样品阵列.沉积得到的多层薄膜经370℃扩散处理2h形成合金薄膜.通过扫描俄歇能谱仪(AES)、X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对样品的成分、结构和形貌进行表征.结果显示,在低温退火后,合金薄膜成分均匀,结晶良好,表面致密.材料芯片上的样品在0.1mol·L-1氯化钠溶液中的极化电阻测试结果表明,对于全组分的Zn-Al合金薄膜,Al摩尔分数在87%附近的成分具有最高的极化电阻值.进一步的实验发现,在83%-86%这一较宽的摩尔分数区间内,极化电阻值均保持在105Ω·cm-2以上,比传统热镀锌镀层的极化电阻高1个数量级. 展开更多
关键词 组合材料芯片技术 锌铝合金薄膜 耐腐蚀性能 离子束溅射
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铝合金薄膜及靶材和使用它的薄膜形成方法
6
《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期73-73,共1页
关键词 铝合金薄膜 靶材 使用 形成方法 专利 三井金属业株式会社 日本东京
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铝合金薄膜和具有该薄膜的配线电路以及形成此薄膜的靶材
7
《铝加工》 CAS 2006年第1期37-37,共1页
本发明的目的在于提供一种具有与ITO膜同等水平的电极电位、不存在硅扩散、电阻率低、耐热性优异的铝合金薄膜。本发明的含碳铝合金薄膜的特征是，含有0．5-7．0at％的选自镍、钴、铁的至少一种以上的元素和0．1-3．0at％的碳，余分为... 本发明的目的在于提供一种具有与ITO膜同等水平的电极电位、不存在硅扩散、电阻率低、耐热性优异的铝合金薄膜。本发明的含碳铝合金薄膜的特征是，含有0．5-7．0at％的选自镍、钴、铁的至少一种以上的元素和0．1-3．0at％的碳，余分为铝。更好的是本发明的铝合金薄膜中还含有0．5-2．0at％的硅。 展开更多
关键词 铝合金薄膜 线电路 靶材 电极电位 ITO膜 硅扩散 发明 电阻率 耐热性 含碳
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