期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
铜铁矿基p-TSO材料的化学合成及其光电器件研究
1
作者
韩美杰
齐小犇
+3 位作者
张如林
陈平
刘永慧
陈国初
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期525-534,共10页
铜铁矿基三元氧化物CuMO_(2)是p型的宽禁带半导体材料,具有紫外截止、可见光区和近红外光区高度透明的光学特性和良好的电学性能。主要综述了CuMO_(2)铜铁矿基材料近年来报道较多的溶胶-凝胶、水热合成、静电纺丝以及聚合物辅助沉积4种...
铜铁矿基三元氧化物CuMO_(2)是p型的宽禁带半导体材料,具有紫外截止、可见光区和近红外光区高度透明的光学特性和良好的电学性能。主要综述了CuMO_(2)铜铁矿基材料近年来报道较多的溶胶-凝胶、水热合成、静电纺丝以及聚合物辅助沉积4种化学制备方法及其当前的研究现状,详细介绍了CuMO_(2)铜铁矿基的紫外光电探测器、钙钛矿太阳能电池以及薄膜晶体管等光电器件的制备和性能研究。这些研究表明,CuMO_(2)三元氧化物极有望应用于低成本、高效益、稳定性好的光电器件和p型薄膜晶体管中,其性能研究及其器件探索拥有较大的研究潜力。然而现阶段其薄膜制备的合成温度偏高,低维铜铁矿材料的电学性能有待进一步提升。因此,铜铁矿基光电器件的研发与应用是一项挑战与机遇并存的工作。
展开更多
关键词
三元氧化物
铜
铁矿
材料
p型宽禁带半导体
化学合成法
紫外光电探测器
空穴传输层
薄膜晶体管
下载PDF
职称材料
题名
铜铁矿基p-TSO材料的化学合成及其光电器件研究
1
作者
韩美杰
齐小犇
张如林
陈平
刘永慧
陈国初
机构
上海电机学院电气学院
华东师范大学物理与电子科学学院
上海电机学院材料学院
出处
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期525-534,共10页
基金
上海市科委基础研究重点项目(18JC1412400)
国家自然科学基金项目(61803253)。
文摘
铜铁矿基三元氧化物CuMO_(2)是p型的宽禁带半导体材料,具有紫外截止、可见光区和近红外光区高度透明的光学特性和良好的电学性能。主要综述了CuMO_(2)铜铁矿基材料近年来报道较多的溶胶-凝胶、水热合成、静电纺丝以及聚合物辅助沉积4种化学制备方法及其当前的研究现状,详细介绍了CuMO_(2)铜铁矿基的紫外光电探测器、钙钛矿太阳能电池以及薄膜晶体管等光电器件的制备和性能研究。这些研究表明,CuMO_(2)三元氧化物极有望应用于低成本、高效益、稳定性好的光电器件和p型薄膜晶体管中,其性能研究及其器件探索拥有较大的研究潜力。然而现阶段其薄膜制备的合成温度偏高,低维铜铁矿材料的电学性能有待进一步提升。因此,铜铁矿基光电器件的研发与应用是一项挑战与机遇并存的工作。
关键词
三元氧化物
铜
铁矿
材料
p型宽禁带半导体
化学合成法
紫外光电探测器
空穴传输层
薄膜晶体管
Keywords
ternary oxide
delafossite materials
p-type wide bandgap semiconductor
chemical synthesis
ultraviolet photodetector
hole transport layer
thin film transistor
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
O472 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜铁矿基p-TSO材料的化学合成及其光电器件研究
韩美杰
齐小犇
张如林
陈平
刘永慧
陈国初
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部