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铜铁矿基p-TSO材料的化学合成及其光电器件研究
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作者 韩美杰 齐小犇 +3 位作者 张如林 陈平 刘永慧 陈国初 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期525-534,共10页
铜铁矿基三元氧化物CuMO_(2)是p型的宽禁带半导体材料,具有紫外截止、可见光区和近红外光区高度透明的光学特性和良好的电学性能。主要综述了CuMO_(2)铜铁矿基材料近年来报道较多的溶胶-凝胶、水热合成、静电纺丝以及聚合物辅助沉积4种... 铜铁矿基三元氧化物CuMO_(2)是p型的宽禁带半导体材料,具有紫外截止、可见光区和近红外光区高度透明的光学特性和良好的电学性能。主要综述了CuMO_(2)铜铁矿基材料近年来报道较多的溶胶-凝胶、水热合成、静电纺丝以及聚合物辅助沉积4种化学制备方法及其当前的研究现状,详细介绍了CuMO_(2)铜铁矿基的紫外光电探测器、钙钛矿太阳能电池以及薄膜晶体管等光电器件的制备和性能研究。这些研究表明,CuMO_(2)三元氧化物极有望应用于低成本、高效益、稳定性好的光电器件和p型薄膜晶体管中,其性能研究及其器件探索拥有较大的研究潜力。然而现阶段其薄膜制备的合成温度偏高,低维铜铁矿材料的电学性能有待进一步提升。因此,铜铁矿基光电器件的研发与应用是一项挑战与机遇并存的工作。 展开更多
关键词 三元氧化物 铁矿材料 p型宽禁带半导体 化学合成法 紫外光电探测器 空穴传输层 薄膜晶体管
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