期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究
被引量：
7
1
作者
郑伟艳
刘玉岭
+4 位作者
王辰伟
串利伟
魏文浩
岳红维
曹冠龙
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期3472-3474,共3页
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.3...
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。
展开更多
关键词
低压
碱性
铜
布线
化学
机械
平坦
化
高低差
速率
下载PDF
职称材料
碱性Cu布线抛光液速率特性及平坦化性能的研究
被引量：
5
2
作者
唐心亮
刘玉岭
+2 位作者
王辰伟
牛新环
高宝红
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第20期2804-2806,共3页
Cu的双大马士革工艺加上化学机械平坦化(CMP)技术是目前制备Cu布线行之有效的方法。CuCMP制程中,抛光液起着至关重要的作用,针对目前国际主流酸性抛光液存在的问题和Cu及其氧化物与氢氧化物不溶于水的难题,研发了多羟多胺碱性Cu布线抛光...
Cu的双大马士革工艺加上化学机械平坦化(CMP)技术是目前制备Cu布线行之有效的方法。CuCMP制程中,抛光液起着至关重要的作用,针对目前国际主流酸性抛光液存在的问题和Cu及其氧化物与氢氧化物不溶于水的难题,研发了多羟多胺碱性Cu布线抛光液,研究了此抛光液随压力、转速及流量变化的特性,同时也研究了其对布线片的平坦化能力。结果表明,抛光液对Cu的去除速率随压力的增大而显著增大,随转速及流量的增加,Cu的去除速率增大缓慢,显著性依次为压力转速>流量。通过对Cu布线抛光实验表明,此抛光液能够实现多种尺寸Cu线条的平坦化。说明研发的碱性抛光液能够实现Cu布线抛光后产物可溶,且不含抑制剂等,能够实现布线片的平坦化。
展开更多
关键词
Cu
布线
化学
机械
平坦
化
碱性
速率
高低差
下载PDF
职称材料
题名
低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究
被引量：
7
1
作者
郑伟艳
刘玉岭
王辰伟
串利伟
魏文浩
岳红维
曹冠龙
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期3472-3474,共3页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
文摘
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。
关键词
低压
碱性
铜
布线
化学
机械
平坦
化
高低差
速率
Keywords
low down pressure
alkaline slurry
copper pattern wafer CMP
step height
removal rate
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
碱性Cu布线抛光液速率特性及平坦化性能的研究
被引量：
5
2
作者
唐心亮
刘玉岭
王辰伟
牛新环
高宝红
机构
河北工业大学微电子研究所
河北科技大学人事处
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第20期2804-2806,共3页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
文摘
Cu的双大马士革工艺加上化学机械平坦化(CMP)技术是目前制备Cu布线行之有效的方法。CuCMP制程中,抛光液起着至关重要的作用,针对目前国际主流酸性抛光液存在的问题和Cu及其氧化物与氢氧化物不溶于水的难题,研发了多羟多胺碱性Cu布线抛光液,研究了此抛光液随压力、转速及流量变化的特性,同时也研究了其对布线片的平坦化能力。结果表明,抛光液对Cu的去除速率随压力的增大而显著增大,随转速及流量的增加,Cu的去除速率增大缓慢,显著性依次为压力转速>流量。通过对Cu布线抛光实验表明,此抛光液能够实现多种尺寸Cu线条的平坦化。说明研发的碱性抛光液能够实现Cu布线抛光后产物可溶,且不含抑制剂等,能够实现布线片的平坦化。
关键词
Cu
布线
化学
机械
平坦
化
碱性
速率
高低差
Keywords
copper pattern wafer CMP
alkaline
removal rate
step height
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究
郑伟艳
刘玉岭
王辰伟
串利伟
魏文浩
岳红维
曹冠龙
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
7
下载PDF
职称材料
2
碱性Cu布线抛光液速率特性及平坦化性能的研究
唐心亮
刘玉岭
王辰伟
牛新环
高宝红
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
