铜双晶体中晶界及组元晶体的疲劳寿命 被引量：3

1

作者 张哲峰 李广义 +1 位作者 王中光 李守新 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期51-56,共6页

本文对具有单、双滑移取向组元晶体的近垂直晶界钢双晶体进行拉-拉循环变形、得出铜双晶体中晶界及组元晶体的S-N曲线，比较了铜双晶体晶界及组元晶体疲劳寿命的差别，发现在相同的应力幅下晶界的疲劳寿命明显低于组元晶体的疲劳寿命，... 本文对具有单、双滑移取向组元晶体的近垂直晶界钢双晶体进行拉-拉循环变形、得出铜双晶体中晶界及组元晶体的S-N曲线，比较了铜双晶体晶界及组元晶体疲劳寿命的差别，发现在相同的应力幅下晶界的疲劳寿命明显低于组元晶体的疲劳寿命，但两不同取向的组元晶体的疲劳寿命相差不大,通过对表面疲劳裂纹萌生的观察。 展开更多

关键词 铜双晶体 疲劳寿命 S-N曲线 裂纹萌生 晶界

全文增补中

铜双晶体循环变形的晶界强化效应 被引量：5

2

作者 张哲峰 王中光 李广义 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期587-593,共7页

用组合双晶体（CB）及实际双晶体（RB）研究了平行晶界在用双晶体循环变形过程中的强化作用结果表明随双晶体变小，其循环应力升高，晶界作用增强．扫描电镜观察发现晶界附近出现以次滑移为主的晶界影响区结合双晶体的循环应力-应交响... 用组合双晶体（CB）及实际双晶体（RB）研究了平行晶界在用双晶体循环变形过程中的强化作用结果表明随双晶体变小，其循环应力升高，晶界作用增强．扫描电镜观察发现晶界附近出现以次滑移为主的晶界影响区结合双晶体的循环应力-应交响应和晶界影响区，讨论了双晶体的晶界强化机制． 展开更多

关键词 铜双晶体 循环变形 晶界影响区 晶界强化

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一种铜三晶体及双晶体的循环形变行为 被引量：4

3

作者 贾维平 李守新 王中光 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期211-216,共6页

对取自同一块晶体的铜三晶（Ｔｃ）和双晶（ＢＣ）试样进行了恒塑性应变幅控制对称拉压疲劳实验，轴向塑性应变幅范围１．０×１０(－４)≤　≤　４×１０(－３)。结果表明，在低应变幅下，三晶及双晶试样的初始循环硬化曲线几... 对取自同一块晶体的铜三晶（Ｔｃ）和双晶（ＢＣ）试样进行了恒塑性应变幅控制对称拉压疲劳实验，轴向塑性应变幅范围１．０×１０(－４)≤　≤　４×１０(－３)。结果表明，在低应变幅下，三晶及双晶试样的初始循环硬化曲线几乎重合。在较高应变幅下，三晶试样的硬化曲线高于双晶试样的硬化曲线且随着应变幅的增加差距增大。三晶体的循环应力应变（ＣＳＳ）曲线明显高于双晶的ＣＳＳ曲线。不论对ＴＣ还是ＢＣ试样，当　１＜１．５×１０(－３)时，轴向饱和应力随着的增加而缓慢上升，而当＞１．５×１０(－３)时，轴向饱和应力则随着Ｅｐｌ的增加快速上升。两曲线都无明显的平台区出现．表面形貌观察表明，在低应变幅下，三晶交点（ＴＪ）对各晶粒的主滑移有阻碍作用，在高应变幅下，在三晶交点附近，由于各晶粒的应变不相容性而产生的内应力导致了多滑移系统的启动．上述力学结果同表面形貌观察相一致。另外，在＞７．０×１０(－４)情况下。 展开更多

关键词 循环形变 铜三晶体 铜双晶体 滑移形貌

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非同轴取向Cu三晶体及双晶体的循环形变行为比较 被引量：1

4

作者 贾维平 李守新 +2 位作者 王中光 李小武 李广义 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第7期696-704,共9页

采用逐级增幅方式研究了Cu三晶及双晶试样的循环硬化及饱和行为实验结果表明，对于组元晶粒均为单滑移取向的倾斜晶界双晶试样，其循环应力应变曲线（CSSC）存在平台或准平台区域，而三晶试样的CSSC无平台区出现表面滑移形貌观察表明，... 采用逐级增幅方式研究了Cu三晶及双晶试样的循环硬化及饱和行为实验结果表明，对于组元晶粒均为单滑移取向的倾斜晶界双晶试样，其循环应力应变曲线（CSSC）存在平台或准平台区域，而三晶试样的CSSC无平台区出现表面滑移形貌观察表明，由于应变不相容性，在低应变幅下，三晶交点处对各晶粒的主滑移有明显的阻碍作用由于存在较强的晶界几何约束，在相同应变幅下，三晶交点处的形变量较双晶晶界处小同一三晶交点，外载方向不同。 展开更多

关键词 循环形变 塑性不相容性 铜三晶体 铜双晶体

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铜双晶体及其组元单晶体循环变形行为的比较——Ⅱ.晶界附近形变特征的观察及分析 被引量：1

5

作者 张哲峰 王中光 李广义 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1999年第5期437-442,共6页

在铜双晶体(CB,RB)及其组元单晶体(G1,G2)循环应力-应变响应比较的基础上,观察了双晶体(CB,RB)及其组元单晶体循环变形后表面滑移形貌及疲劳裂纹萌生,结果表明实际双晶体RB晶界附近组元晶体G2中出现以次滑移为主的晶界影响区,且晶界影... 在铜双晶体(CB,RB)及其组元单晶体(G1,G2)循环应力-应变响应比较的基础上,观察了双晶体(CB,RB)及其组元单晶体循环变形后表面滑移形貌及疲劳裂纹萌生,结果表明实际双晶体RB晶界附近组元晶体G2中出现以次滑移为主的晶界影响区,且晶界影响区随应变幅增加而变宽.双晶体RB中疲劳裂纹首先沿晶界萌生,并且在晶界上观察到滑移台阶.讨论了晶界在循环变形中的作用. 展开更多

关键词 铜双晶体 疲劳裂纹 组元单晶体 循环变形

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镶嵌晶粒和晶界对铜双晶体循环变形行为的影响 被引量：1

6

作者 张哲峰 胡运明 王中光 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第7期715-720,共6页

比较了含镶嵌晶粒铜双晶体及其基体单晶体的循环变形行为，结果表明，双晶体的循环应力总是高于基体单晶体，结合表面滑移形貌和饱和位错组态，分别讨论了镶嵌晶粒和环绕晶界对双晶体循环变形行为的影响．

关键词 铜双晶体 循环变形 镶嵌晶粒 晶界 滑移形貌

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垂直晶界钢双晶体的循环形变行为 被引量：1

7

作者 张哲峰 王中光 苏会和 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期841-846,共6页

本文通过对取向近垂直晶界铜双晶体进行塑性应变控制循环变形，在表面滑移形貌及饱和位错组态观察的基础上，研究了其循环应力－应变响应．结果表明该铜双晶体循环应力－应变（CSS）曲线具有两个饱和轴向应力基本不变的平台区．即在塑... 本文通过对取向近垂直晶界铜双晶体进行塑性应变控制循环变形，在表面滑移形貌及饱和位错组态观察的基础上，研究了其循环应力－应变响应．结果表明该铜双晶体循环应力－应变（CSS）曲线具有两个饱和轴向应力基本不变的平台区．即在塑性应变范围1．80×10-4－1．35×10-3对应于饱和应力幅62—64MPa及在塑性应变范围2．04×10-3—2．56×10-3对应于饱和应力幅70—71MPa．讨论了组元晶体的相对取向对其滑移形貌、饱和位错组态及CSS曲线的影响。 展开更多

关键词 铜双晶体 循环形变 CSS曲线 滑移形貌 位错组态

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铜双晶体及其组元单晶体的循环变形行为比较——Ⅰ.循环应力-应变响应

8

作者 张哲峰 王中光 李广义 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1999年第3期271-278,共8页

研究了实际生长的铜双晶体(RB),组合双晶体(CB)及其组元单晶体(G1,G2)在总应变幅控制下的循环应力-应变响应.结果表明在相同应变幅下轴向应力幅随循环进行递增顺序为G2,CB,RB及G1,而塑性应变幅则按G2,CB,RB及G1顺序递减.通过引入一个双... 研究了实际生长的铜双晶体(RB),组合双晶体(CB)及其组元单晶体(G1,G2)在总应变幅控制下的循环应力-应变响应.结果表明在相同应变幅下轴向应力幅随循环进行递增顺序为G2,CB,RB及G1,而塑性应变幅则按G2,CB,RB及G1顺序递减.通过引入一个双晶体的取向因子Ω_B比较了双晶体(CB,RB)及其组元单晶体(G1,G2)的循环应力-应变曲线,其中两组元单晶体(G1,G2)的循环应力-应变曲线均存在一平台区,且平台饱和分切应力分别为30.5MPa及29.2MPa.组合双晶体CB同样也存在一平台区,其平台饱和分切应力基本与组元单晶体的饱和切应力值相等.而实际生长的双晶体RB的循环应力-应变曲线明显高于组合双晶体CB及其组元双晶体G1,G2的循环应力-应变曲线,且随应变幅升高循环饱和分切应力从31.4MPa逐渐升高到34.0MPa,没有平台区存在. 展开更多

关键词 铜双晶体 铜单晶体 循环形变 CSS曲线 应力 应变

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循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征

9

作者 胡运明 王中光 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1999年第11期1045-1049,共5页

用扫描电子显微镜(SEM)观察了循环应变作用下[135]同轴非对称铜双晶体中的位错结构。结果表明,双晶晶界邻域的位错结构特征不同于远离晶界的区域,一是低应变幅下晶界旁有低密度位错区的形成,二是驻留滑移带结构接近晶界时发生畸变。

关键词 扫描电镜 铜双晶体 位错结构 循环变形 晶界邻域

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扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态

10

作者 张哲峰 王中光 苏会和 《应用基础与工程科学学报》 EI CSCD 1998年第3期57-61,共5页

通过对垂直晶界［５９１３］⊥［５７９］铜双晶体进行循环变形，借助于扫描电镜电子通道衬度技术研究了组元晶体及晶界附近的循环饱和位错组态，结果表明两个组元晶体的表面滑移程度不同，两个组元晶体中的循环饱和位错组态也明显不同... 通过对垂直晶界［５９１３］⊥［５７９］铜双晶体进行循环变形，借助于扫描电镜电子通道衬度技术研究了组元晶体及晶界附近的循环饱和位错组态，结果表明两个组元晶体的表面滑移程度不同，两个组元晶体中的循环饱和位错组态也明显不同，驻留滑移带只能在组元晶体Ｇ１中形成，驻留滑移带能够到达晶界但不能穿过晶界．讨论了组元晶体取向对双晶体的表面滑移形貌及饱和位错组态的影响以及驻留滑移带与晶界的交互作用． 展开更多

关键词 铜双晶体 扫描电镜电子通道衬度技术 位错组态

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铜双晶体的循环应力-应变响应

11

作者 张哲峰 胡运明 王中光 《力学进展》 EI CSCD 北大核心 2000年第3期400-414,共15页

比较了铜单晶体和多晶体疲劳行为的异同，提出了研究双晶体疲劳行为的必要性．总结了具有不同晶体取向和晶界的铜双晶体的疲劳行为的最新进展．利用平行晶界铜双晶体的取向因子和晶界影响区，总结了在循环载荷作用下的晶界强化模型．分... 比较了铜单晶体和多晶体疲劳行为的异同，提出了研究双晶体疲劳行为的必要性．总结了具有不同晶体取向和晶界的铜双晶体的疲劳行为的最新进展．利用平行晶界铜双晶体的取向因子和晶界影响区，总结了在循环载荷作用下的晶界强化模型．分析了垂直晶界铜双晶体循环塑性变形行为的特点，讨论了组元晶体取向对垂直晶界铜双晶体循环应力－应变曲线的影响．提出了提高单晶体和双晶体疲劳强度的控制因素． 展开更多

关键词 铜双晶体 晶界强化 循环应力-应变曲线

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