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题名磨料对铜化学机械抛光过程的影响研究
被引量：9
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作者
李秀娟
金洙吉
康仁科
郭东明
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机构
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
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出处
《摩擦学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期431-435,共5页
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基金
国家自然科学基金重大项目资助(50390061)
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文摘
利用CP-4型抛光试验机对直径为50.8 mm、表面沉积厚530 nm的铜硅片(表面粗糙度Ra为1.42 nm)进行化学机械抛光(CM P)试验,评价了CM P过程中不同磨料作用下的摩擦系数和材料去除率;利用ZYGO表面形貌分析系统测试含不同磨料抛光液抛光后的硅片表面粗糙度;采用扫描电子显微镜分析CM P后的铜硅片表面损伤形貌.结果表明,磨料的浓度和粒径直接影响CM P过程的摩擦系数:采用5%粒径25 nm硅溶胶为抛光液时的摩擦系数低于超纯水抛光时的摩擦系数;当磨料的添加量和粒度增加时摩擦系数增大.在相同试验条件下,采用10%粒径25 nm硅溶胶抛光材料的去除率为50.7 nm/m in;粒径为1μm白刚玉磨料的抛光材料去除率为246.3 nm/m in;单纯磨料使铜硅片表面变得粗糙,即用10%粒径25 nm硅溶胶抛光后的表面粗糙度仍大于原始表面(Ra值达3.43 nm);在单纯磨料或超纯水为抛光液抛光下铜硅片表面出现划伤.
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关键词
铜化学机械抛光(cmp)
摩擦
磨料
材料去除机理
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Keywords
copper cmp
friction
abrasive
material removal mechanism
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
TH117.2
[机械工程—机械设计及理论]
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题名电化学制备新型氧化液在铜CMP中的应用
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作者
甄加丽
檀柏梅
高宝红
郭倩
赵云鹤
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机构
河北工业大学微电子研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013年第12期789-792,797,共5页
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基金
国家中长期发展规划重大科技专项资助项目(2009ZX02308-003)
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文摘
在铜化学机械抛光(CMP)中,双氧水易分解的不稳定性严重制约铜化学机械抛光速率。为了寻求一种稳定性好且氧化能力强的新型氧化液,采用电化学方法电解水基硫酸盐,得到了氧化性很强且稳定的过氧焦硫酸盐氧化液。采用自制的氧化液配制抛光液进行铜CMP实验,分别改变氧化液、硅溶胶磨料和螯合剂的浓度,分析了各组分的作用,得到了抛光液的优化配比,获得了较高的去除速率和较低的表面粗糙度。抛光速率达889.44 nm/min,粗糙度达6.3 nm,满足工业应用要求。
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关键词
电化学
铜化学机械抛光(cmp)
双氧水
过氧焦硫酸盐
去除速率
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Keywords
electrochemical
copper chemical mechanical polishing （cmp）
hydrogen peroxide
peroxydisulfate
removal rate
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分类号
TG175
[金属学及工艺—金属表面处理]
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