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铌硅锰非均匀形核表面淀积掺杂PTC陶瓷
被引量：
1
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作者
盘耀东
庄志强
刘勇
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期7-10,共4页
采用非均匀形核表面淀积法,在水热钛酸钡纳米晶粉体表面包覆Nb、Si、Mn,实现了Nb、Si、Mn与钛酸钡(BT)粉体的均匀混合。研究了掺杂量和烧结制度对PTC陶瓷性能的影响。结果表明,通过表面包覆工艺进行Nb掺杂的BT,在1 220℃已半导化,在1 25...
采用非均匀形核表面淀积法,在水热钛酸钡纳米晶粉体表面包覆Nb、Si、Mn,实现了Nb、Si、Mn与钛酸钡(BT)粉体的均匀混合。研究了掺杂量和烧结制度对PTC陶瓷性能的影响。结果表明,通过表面包覆工艺进行Nb掺杂的BT,在1 220℃已半导化,在1 250℃烧结的x(Nb)为0.18%的BT陶瓷,其ρ25为4.3?.cm,β为1.7。通过控制冷却速率,可以改变陶瓷的升阻比(β)。1 260℃烧结的Nb、Si、Mn掺杂BT陶瓷的ρ25为8.5Ω.cm、β比单纯Nb掺杂提高至4.9。
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关键词
电子技术
铌
硅
锰
非均匀形核
表面淀积
PTC陶瓷
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职称材料
题名
铌硅锰非均匀形核表面淀积掺杂PTC陶瓷
被引量：
1
1
作者
盘耀东
庄志强
刘勇
机构
华南理工大学材料科学与工程学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期7-10,共4页
基金
广东省自然科学基金重点资助项目(020951)
文摘
采用非均匀形核表面淀积法,在水热钛酸钡纳米晶粉体表面包覆Nb、Si、Mn,实现了Nb、Si、Mn与钛酸钡(BT)粉体的均匀混合。研究了掺杂量和烧结制度对PTC陶瓷性能的影响。结果表明,通过表面包覆工艺进行Nb掺杂的BT,在1 220℃已半导化,在1 250℃烧结的x(Nb)为0.18%的BT陶瓷,其ρ25为4.3?.cm,β为1.7。通过控制冷却速率,可以改变陶瓷的升阻比(β)。1 260℃烧结的Nb、Si、Mn掺杂BT陶瓷的ρ25为8.5Ω.cm、β比单纯Nb掺杂提高至4.9。
关键词
电子技术
铌
硅
锰
非均匀形核
表面淀积
PTC陶瓷
Keywords
electron technology
Nb-Si-Mn
heterogeneous nucleation
surface deposition
PTC ceramics
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铌硅锰非均匀形核表面淀积掺杂PTC陶瓷
盘耀东
庄志强
刘勇
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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