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Mg离子掺杂对含锆铋基焦绿石材料介电弛豫性能影响 被引量：4
1
作者 赵岑 杜慧玲 +2 位作者 史翔 王瑾 杜娴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1120-1125,1158,共7页
采用固相反应法制备陶瓷(Bi1.5Zn0.5-xMgx)(Zr1.5Nb0.5)O7(BZMZN)(x=0.1、0.2、0.3、0.5),研究Mg2+取代对材料结构、组成、介电性能以及弛豫特性的影响。X射线衍射分析表明,当Mg2+从部分至完全取代Zn2+,均合成了立方焦绿石主晶相结构,... 采用固相反应法制备陶瓷(Bi1.5Zn0.5-xMgx)(Zr1.5Nb0.5)O7(BZMZN)(x=0.1、0.2、0.3、0.5),研究Mg2+取代对材料结构、组成、介电性能以及弛豫特性的影响。X射线衍射分析表明,当Mg2+从部分至完全取代Zn2+,均合成了立方焦绿石主晶相结构,并有微量Bi12MgO19相产生。随着Mg2+取代量的增加材料介电常数和介电损耗略有下降。材料在-150℃左右具有明显的介电弛豫特征,对其弛豫过程进行拟合与计算,并结合价键理论探讨了BZMZN系焦绿石的低温介电弛豫机制,这种弛豫源于材料结构中A位离子的不均匀分布及A位离子与O'位离子的本征跃迁过程。 展开更多
关键词 铋基焦绿石 介电性能 弛豫特性
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新型四元系铋基焦绿石陶瓷的介电性能 被引量：2
2
作者 华强 杜慧玲 +1 位作者 史翔 崔玉 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期63-67,共5页
采用固相反应烧结工艺制备了(Bi1.5Sr0.5)(M1.5Nb0.5)O7(BSMN,M=Sn4+、Zr4+)新型铋基焦绿石陶瓷。X射线衍射分析表明,BSSN和BSZN陶瓷均形成了立方焦绿石单相结构,无杂相产生。不同于BSSN,BSZN陶瓷材料在1MHz具有显著的正介电常数温度系... 采用固相反应烧结工艺制备了(Bi1.5Sr0.5)(M1.5Nb0.5)O7(BSMN,M=Sn4+、Zr4+)新型铋基焦绿石陶瓷。X射线衍射分析表明,BSSN和BSZN陶瓷均形成了立方焦绿石单相结构,无杂相产生。不同于BSSN,BSZN陶瓷材料在1MHz具有显著的正介电常数温度系数特性。四价阳离子Sn4+、Zr4+的分别引入,使得两种材料的介电常数及其温度系数有很大的差别。由于立方焦绿石的主干骨架为顶角相连的BO6八面体[1-2],而氧八面体之间的关联程度与介电性能尤其是介电常数有本质联系。进一步讨论了四价取代阳离子对材料的介电性能的作用规律。 展开更多
关键词 铋基焦绿石 介电性能 介电常数温度系数
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含Sr铋基焦绿石材料的介电弛豫性能 被引量：3
3
作者 崔玉 杜慧玲 +1 位作者 史翔 张晰 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1007-1012,共6页
采用传统固相反应烧结工艺制备(Bi1.5Zn0.5–xSrx)(Ti1.5Nb0.5)O7(BZTN,x=0.30,0.32,0.34,0.36,摩尔分数)铋基焦绿石陶瓷,研究该体系陶瓷的化学组成对物相结构、介电性能和弛豫特性的影响。X射线衍射分析表明:当Sr离子取代量较小时(x<... 采用传统固相反应烧结工艺制备(Bi1.5Zn0.5–xSrx)(Ti1.5Nb0.5)O7(BZTN,x=0.30,0.32,0.34,0.36,摩尔分数)铋基焦绿石陶瓷,研究该体系陶瓷的化学组成对物相结构、介电性能和弛豫特性的影响。X射线衍射分析表明:当Sr离子取代量较小时(x<0.36),材料的相结构仍然保持立方焦绿石单相结构;当x=0.36时,出现微量SrTiO3杂相,但仍保持立方焦绿石主晶相结构。Sr离子的取代对介电性能产生显著影响:随着Sr离子取代量增加,样品的相对介电常数先增大后减小,介电损耗逐渐减小,并具有较大的正温度系数。观察到铋基焦绿石介电陶瓷的高温介电异常行为:系列样品在200～300℃,均出现明显的介电弛豫现象,并分析与讨论高温介电弛豫性能。 展开更多
关键词 铋基焦绿石 介电性能 弛豫特性 极化机制
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共沉淀法制备三元系铋基焦绿石型陶瓷粉体
4
作者 江元汝 阮静 +1 位作者 贲留斌 崔延青 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2005年第8期34-35,共2页
采用改进的MergenA.方案,用氧化锌、三氧化二铋、三氧化二锑为原料,氨水、草酸铵和碳酸铵分别为沉淀剂,盐酸为溶剂,用共沉淀法成功制备了亚微米级颗粒、高活性的铋基Bi1.5ZnSb1.5O7(BZS)焦绿石型介电陶瓷粉体。探讨了用不同的沉淀剂、... 采用改进的MergenA.方案,用氧化锌、三氧化二铋、三氧化二锑为原料,氨水、草酸铵和碳酸铵分别为沉淀剂,盐酸为溶剂,用共沉淀法成功制备了亚微米级颗粒、高活性的铋基Bi1.5ZnSb1.5O7(BZS)焦绿石型介电陶瓷粉体。探讨了用不同的沉淀剂、在不同的烧结温度所得产物的形态。结果表明氨水做沉淀剂在570℃就可生成纯的焦绿石结构。与MergenA方法相比成本大大降低,可以使瓷片组织的均匀性提高,电性能得到改善,电压梯度下降。 展开更多
关键词 铋基焦绿石 共沉淀法 陶瓷粉体
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NP0型铋基焦绿石复相陶瓷的制备及介电性能
5
作者 张冰洁 杜慧玲 +2 位作者 任广林 姚萌 赵岑 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期770-775,共6页
为获得温度稳定型高频高介材料,通过复相介电组成调控原理,将正温度系数型焦绿石相(Bi1.5Zn0.5)(Zr1.5Nb0.5)O7(BZZN)与负温度系数型(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)混合构成BZN-BZZN复相材料。研究了该系列陶瓷的物相组成、晶体结构... 为获得温度稳定型高频高介材料,通过复相介电组成调控原理,将正温度系数型焦绿石相(Bi1.5Zn0.5)(Zr1.5Nb0.5)O7(BZZN)与负温度系数型(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)混合构成BZN-BZZN复相材料。研究了该系列陶瓷的物相组成、晶体结构及介电性能随两相组成的变化规律。晶体结构精修获得了复相结构中两相的晶格常数、A–O’键长、B–O键长、O–B–O键角的变化。复相陶瓷的介电性能可通过两相比例有规律地调制,随着BZZN含量增多,(1–x)BZN–x BZZN介电常数εr略有下降,介电常数温度系数逐渐由负值向正值变化。当x=0.7时,获得高介电常数、零温度系数陶瓷材料:εr=123.2,tanδ=7×10–4,αε=5×10–6/℃。 展开更多
关键词 铋基焦绿石 复相陶瓷 温度稳定型 结构精修
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铋基焦绿石薄膜的湿法刻蚀方法研究
6
作者 高莉彬 李汝冠 +1 位作者 蒋书文 李言荣 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第8期499-502,共4页
介绍了一种能对铋基焦绿石薄膜进行湿法刻蚀的有效方法,研究了HF,NH4F和HNO3的水溶液对铌酸锌铋(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN)和铌酸镁铋(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)两种铋基焦绿石薄膜的刻蚀情况。结果表明,刻蚀配比V(HF)∶m(NH4F)∶V(HNO3)∶V(H... 介绍了一种能对铋基焦绿石薄膜进行湿法刻蚀的有效方法,研究了HF,NH4F和HNO3的水溶液对铌酸锌铋(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN)和铌酸镁铋(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)两种铋基焦绿石薄膜的刻蚀情况。结果表明,刻蚀配比V(HF)∶m(NH4F)∶V(HNO3)∶V(H2O)为10mL∶3g∶10mL∶10mL时,BZN和BMN薄膜能得到有效刻蚀,刻蚀速率分别为7nm/s和4nm/s,图形刻蚀精度高。最后讨论了该刻蚀液对铋基焦绿石薄膜的刻蚀机理,加入NH4F作为络合剂能避免刻蚀过程中三氟化铋BiF3难溶沉淀物的生成,加入HNO3作为助溶剂可以调节刻蚀速率,从而提高湿法刻蚀的图形精度。 展开更多
关键词 铋基焦绿石薄膜 湿法刻蚀 图形化 微波可调介质薄膜材料 刻蚀液
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基片温度对基于Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的ZnO基TFT性能的影响
7
作者 叶伟 任巍 史鹏 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第3期331-337,共7页
在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下,采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明,所制备的BZN薄膜拥有非晶态结构,ZnO薄膜具有c轴择优取向,在基片温度为500℃时,获得低的漏电流(10-7 A/cm^2),比RT时的漏电流(10-4 A/... 在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下,采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明,所制备的BZN薄膜拥有非晶态结构,ZnO薄膜具有c轴择优取向,在基片温度为500℃时,获得低的漏电流(10-7 A/cm^2),比RT时的漏电流(10-4 A/cm^2)低三个数量级。将所制备的ZnO薄膜和BZN薄膜分别作为ZnO-TFT的有源层和栅绝缘层,研究表明,在基片温度为500℃时,提高了器件性能,所取得的亚阈值摆幅(470mV/dec.)是RT时的亚阈值摆幅(1 271 mV/dec.)的三分之一;界面态密度(3.21×10^(12) cm^(-2))是RT时的界面态密度(1.48×10^(13) cm^(-2))的五分之一。 展开更多
关键词 铋基焦绿石BZN薄膜 ZnO基薄膜晶体管 射频磁控溅射 界面态密度 亚阈值摆幅
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