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S^(2-)掺杂对Ce^(3+)-SiO_2材料发光性能的影响 被引量：4
1
作者 徐光青 郑治祥 +1 位作者 汤文明 吴玉程 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期10-15,共6页
通过化学掺杂及气氛控制掺杂的手段对Ce3+–SiO2材料进行S2–掺杂改性,并对其光吸收和光致发光性能进行分析。研究阴离子掺杂对基体氧化硅材料缺陷态发光以及Ce3+的发光波长及强度的影响。结果表明:采用化学掺杂S2–可明显改变400～600... 通过化学掺杂及气氛控制掺杂的手段对Ce3+–SiO2材料进行S2–掺杂改性,并对其光吸收和光致发光性能进行分析。研究阴离子掺杂对基体氧化硅材料缺陷态发光以及Ce3+的发光波长及强度的影响。结果表明:采用化学掺杂S2–可明显改变400～600℃热处理条件下344nm和355nm紫外发光强度与热处理温度的关系,但对Ce3+–SiO2材料在700～900℃热处理条件下产生的445nm左右的蓝色发光影响不大;采用气氛控制手段实现S2–掺杂则可明显改变蓝色发光带的发光波长和发光强度,使发光波长由445nm移向428nm且发光强度为Ce3+–SiO2样品的十倍左右。 展开更多
关键词 硫离子 铈离子掺杂二氧化硅 化学掺杂 气氛控制掺杂
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