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PLD法制备BiFeO_3薄膜及其性能研究 被引量:6
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作者 黄艳芹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1469-1471,共3页
采用快速等离子烧结法(SPS)制得纯相BiFeO3靶材,利用脉冲激光沉积(PLD)法将其沉积在Si(100)衬底上,制得BiFeO3薄膜。通过调节各种工艺参数,在沉积温度650℃,氧压2Pa,靶基距5cm,脉冲激光频率7Hz、激光能量350mJ条件下获得了高择优取向、... 采用快速等离子烧结法(SPS)制得纯相BiFeO3靶材,利用脉冲激光沉积(PLD)法将其沉积在Si(100)衬底上,制得BiFeO3薄膜。通过调节各种工艺参数,在沉积温度650℃,氧压2Pa,靶基距5cm,脉冲激光频率7Hz、激光能量350mJ条件下获得了高择优取向、高结晶度的BiFeO3薄膜。在此工艺条件下,又制备了不同厚度的BiFeO3薄膜。用XRD、SEM等手段对薄膜相和形貌进行了表征。结果表明,制备的薄膜有较高的形貌质量,薄膜的铁电、铁磁性能呈现出与厚度的强相关性;其中300nm厚的薄膜质量最好。 展开更多
关键词 BIFEO3 快速等离子烧结 铁磁性
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取向对PLD法制备BiFeO_3薄膜性能的影响
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作者 黄艳芹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第13期1932-1935,共4页
以快速等离子烧结法(SPS)制备的BiFeO3块体为靶材,用激光脉冲沉积(PLD)法在不同衬底上制备了BiFeO3(100)/LaNiO3(100)/Si(100)、BiFeO3(111)/LaNiO3(111)/SrTiO3(111)、BiFeO3(110)/Pt/TiO2/SiO2/Si、BiFeO3(110)LaNiO3(110)/Pt/TiO2/Si... 以快速等离子烧结法(SPS)制备的BiFeO3块体为靶材,用激光脉冲沉积(PLD)法在不同衬底上制备了BiFeO3(100)/LaNiO3(100)/Si(100)、BiFeO3(111)/LaNiO3(111)/SrTiO3(111)、BiFeO3(110)/Pt/TiO2/SiO2/Si、BiFeO3(110)LaNiO3(110)/Pt/TiO2/SiO2/Si不同择优取向的薄膜,并对薄膜进行了XRD和SEM分析。X射线衍射结果表明,BiFeO3薄膜外延沉积在导电层衬底上,并且它们具有相同的高度取向。SEM分析表明,薄膜上的晶粒是柱状形态,表面光滑致密且颗粒分布非常均匀,晶粒的边界和尺寸也能被清晰地观察到。通过铁电铁磁性能研究,BiFeO3(111)择优取向性能最佳。SrTiO3衬底上(111)取向的BiFeO3薄膜铁电剩余极化值达到了30.3μC/cm2,漏电流为1.0×10-3 A/cm2,饱和磁化强度为20.0kA/m。 展开更多
关键词 BIFEO3薄膜 铁磁性 激光脉冲沉积(PLD)
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