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题名半“V”字形铁电液晶器件的制备
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作者
李静
邹忠飞
唐先柱
宣丽
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机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期225-229,共5页
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基金
国家自然科学基金(60277033,50473040,19974046,59973020)
吉林省科委基金(20020603)资助
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文摘
实验研究了N*-Sc*相变时施加直流电压的强度对铁电液晶分子层排列和电光性能的影响,由此筛选了合适的直流电压强度,并研制了可实现连续灰度级的半"V"字形铁电液晶样品.实验说明N*-Sc*相变时施加直流电压强度大有利于获得性能良好的器件.采用N*-Sc*相变施加4V/μm直流电压,制备半"V"字形铁电液晶器件,经测试器件饱和电压为5V,对比度为112.8,上升时间和下降时间分别为622.14μs和374.7μs.
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关键词
N^＊-Sc^＊序列相铁电液晶
直流电压强度
半“V”字形
铁电液晶分子偏转角
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Keywords
N^＊-Sc^＊ phase sequence ferroelectric liquid crystal
Amplitude of DC voltage
Half V-shaped switching
Apparent tilt angle of ferroelectric liquid crystal
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分类号
TN141
[电子电信—物理电子学]
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