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高性能MgB_2长线材制备及性能表征
被引量：
3
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作者
禹争光
马衍伟
+4 位作者
王栋樑
张现平
高召顺
K.Watanabe
黄伟文
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期6680-6684,共5页
采用原位粉末装管工艺,分别以Mg粉(99.5%),无定形B粉(99.9%)为原料,以纳米SiC(10—30nm)作为掺杂材料制备铁基MgB2线.首先将已混合的原料在丙酮介质中球磨,真空干燥后,将粉末填入铁管内,然后通过孔型轧制、旋锻和拉拔等冷加工工艺得到11...
采用原位粉末装管工艺,分别以Mg粉(99.5%),无定形B粉(99.9%)为原料,以纳米SiC(10—30nm)作为掺杂材料制备铁基MgB2线.首先将已混合的原料在丙酮介质中球磨,真空干燥后,将粉末填入铁管内,然后通过孔型轧制、旋锻和拉拔等冷加工工艺得到11m长外径Ф1.75mm铁基MgB2超导线.用扫描电镜,电子能谱,X射线衍射仪和超导量子干涉仪测试发现,样品微观结构整齐,晶粒大小均匀,内部仅含微量MgO,TC(onset)=35.1K,ΔTC=5.3K.纳米SiC掺杂后,其中C造成MgB2晶格畸变,形成有效磁通钉扎中心,C元素在MgB2中分布均匀.标准四引线测试结果表明,11m线均分10段后,各点的Jc(4.2K,10T)均超过1.0×104A/cm2,最高值达到1.2×104A/cm2.在10—18T范围各点临界电流值分布均匀,变化率小于10%.
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关键词
铁基
mgb
2
线材
纳米SiC掺杂
临界电流均匀性
强磁场
原文传递
题名
高性能MgB_2长线材制备及性能表征
被引量：
3
1
作者
禹争光
马衍伟
王栋樑
张现平
高召顺
K.Watanabe
黄伟文
机构
中国科学院电工研究所应用超导实验室
日本东北大学金属材料研究所
中国科学院物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期6680-6684,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:50472063
50572104)
+1 种基金
国家"973"项目(批准号:2006CB601004)
国家"863"项目(批准号:2006AA03Z203)资助的课题.~~
文摘
采用原位粉末装管工艺,分别以Mg粉(99.5%),无定形B粉(99.9%)为原料,以纳米SiC(10—30nm)作为掺杂材料制备铁基MgB2线.首先将已混合的原料在丙酮介质中球磨,真空干燥后,将粉末填入铁管内,然后通过孔型轧制、旋锻和拉拔等冷加工工艺得到11m长外径Ф1.75mm铁基MgB2超导线.用扫描电镜,电子能谱,X射线衍射仪和超导量子干涉仪测试发现,样品微观结构整齐,晶粒大小均匀,内部仅含微量MgO,TC(onset)=35.1K,ΔTC=5.3K.纳米SiC掺杂后,其中C造成MgB2晶格畸变,形成有效磁通钉扎中心,C元素在MgB2中分布均匀.标准四引线测试结果表明,11m线均分10段后,各点的Jc(4.2K,10T)均超过1.0×104A/cm2,最高值达到1.2×104A/cm2.在10—18T范围各点临界电流值分布均匀,变化率小于10%.
关键词
铁基
mgb
2
线材
纳米SiC掺杂
临界电流均匀性
强磁场
Keywords
Fe-sheath
mgb
2
wire,nano-SiC doping,homogeneity in critical current density,high magnetic field
分类号
O482 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高性能MgB_2长线材制备及性能表征
禹争光
马衍伟
王栋樑
张现平
高召顺
K.Watanabe
黄伟文
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
原文传递
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