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区熔速率对电子束悬浮区熔钼单晶体质量的影响 被引量：2
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作者 滑喜宝 张军 +2 位作者 王红 刘林 傅恒志 《铸造技术》 CAS 北大核心 2008年第2期200-202,共3页
钼单晶是一种广泛应用的重要的难熔金属材料。利用籽晶法电子束悬浮区熔技术成功制备了晶体取向为(111)的钼单晶体,采用多种分析测试手段,研究了区熔速率对钼单晶体质量的影响。研究表明:电子束悬浮区熔钼单晶体内存在大量的亚结构,位... 钼单晶是一种广泛应用的重要的难熔金属材料。利用籽晶法电子束悬浮区熔技术成功制备了晶体取向为(111)的钼单晶体,采用多种分析测试手段,研究了区熔速率对钼单晶体质量的影响。研究表明:电子束悬浮区熔钼单晶体内存在大量的亚结构,位错在结束的地方表现为山峰状的三角形突起,而亚晶界是由这些山峰状突起连接而成;区熔速率对单晶体质量有着显著的影响。区熔速率越高,单晶(111)晶向偏离角越小,但晶体中的缺陷越多。 展开更多
关键词 钼单晶体 电子束悬浮区熔 区熔速率
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