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钨单晶纳米压痕尺寸效应研究(英文) 被引量:4
1
作者 张文 高选乔 +3 位作者 张平祥 胡忠武 李来平 程军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期3626-3632,共7页
利用纳米压痕仪和扫描探针显微镜对高纯钨单晶的载荷-位移曲线、弹性模量、压痕形貌、纳米硬度-加载深度以及弹性回复率的变化情况进行了研究。结果表明,W(111)晶面在加载和卸载过程中分别经历了弹性变形和塑性变形阶段,荷载-位移曲线... 利用纳米压痕仪和扫描探针显微镜对高纯钨单晶的载荷-位移曲线、弹性模量、压痕形貌、纳米硬度-加载深度以及弹性回复率的变化情况进行了研究。结果表明,W(111)晶面在加载和卸载过程中分别经历了弹性变形和塑性变形阶段,荷载-位移曲线未出现不连续现象,表明在加载过程中压痕内部未产生裂纹或脆性断裂;钨单晶的残余压痕表现出堆积形貌,表明钨单晶有较低的加工应变硬化趋势;采用连续刚度法测量了钨单晶的纳米压痕硬度以及弹性模量,结果表明,钨单晶纳米压痕硬度和弹性模量存在尺寸效应,即随着加载深度的增加,单晶的纳米压痕硬度和弹性模量减小;采用Nix-Gao模型对钨单晶的纳米压痕力学特征进行了分析,计算了钨单晶的微观特征长度(h*)为1490 nm,无压痕尺寸效应时的纳米硬度值(H0)为6.79 GPa,尺寸效应因子(m)为0.18,即压入深度小于1490 nm时,钨单晶具有明显的尺寸效应,当压入深度超过1490 nm时,尺寸效应将减弱。当压入深度超过2450 nm时,钨单晶的纳米尺寸效应将消失。 展开更多
关键词 单晶 纳米压痕 弹性模量 压痕尺寸效应
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高纯钨单晶坯料预处理工艺研究 被引量:4
2
作者 李哲 郭让民 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期144-146,共3页
探讨了三种预处理工艺 ,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、排除间隙杂质的作用的影响。采用高纯仲钨酸铵 (APT)经还原、高温烧结、电子束熔炼预处理工艺 ,可有效降低间隙杂质元素含量 ,保证电子束悬浮区域熔炼过程的稳定性 ,制备出材质... 探讨了三种预处理工艺 ,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、排除间隙杂质的作用的影响。采用高纯仲钨酸铵 (APT)经还原、高温烧结、电子束熔炼预处理工艺 ,可有效降低间隙杂质元素含量 ,保证电子束悬浮区域熔炼过程的稳定性 ,制备出材质优良。 展开更多
关键词 单晶 坯料纯度 预处理工艺 电子发射源材料
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高纯钨单晶坯料预处理工艺探讨 被引量:1
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作者 李哲 郭让民 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 2000年第z1期99-101,共3页
制备高质量的钨单晶的一个前提条件是坯料的纯度水平,而预处理则是决定坯料纯度的重要工序.本文探讨了三种预处理工艺,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、间隙杂质纯化作用方面的影响,证明采用高纯APT经还原、高温烧结、电子束熔炼预处... 制备高质量的钨单晶的一个前提条件是坯料的纯度水平,而预处理则是决定坯料纯度的重要工序.本文探讨了三种预处理工艺,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、间隙杂质纯化作用方面的影响,证明采用高纯APT经还原、高温烧结、电子束熔炼预处理工艺,可有效降低间隙杂质元素含量,保证区域熔炼过程的稳定性,制备出材质优良,性能稳定的高纯钨单晶产品. 展开更多
关键词 单晶 坯料纯度 预处理工艺
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钨单晶中的塑—脆转变特性
4
作者 李勇 《钨钼材料》 1992年第1期58-61,共4页
关键词 单晶 塑一脆 转变
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化学气相沉积钨单晶管材表面电解蚀刻形成的{110}晶面形貌 被引量:2
5
作者 吴尉 杨启法 郑剑平 《物理测试》 CAS 2003年第5期4-6,16,共4页
报导了具有<111>晶向(轴向)的管状钼单晶基体化学气相沉积(CVD)钨单晶涂层的电解蚀刻工艺及形成的{110}晶面形貌。实验发现,通过电解蚀刻,表面的{110}晶面可以完全被蚀刻出来。蚀刻出来的{110}晶面呈台阶结构,并同<111>晶... 报导了具有<111>晶向(轴向)的管状钼单晶基体化学气相沉积(CVD)钨单晶涂层的电解蚀刻工艺及形成的{110}晶面形貌。实验发现,通过电解蚀刻,表面的{110}晶面可以完全被蚀刻出来。蚀刻出来的{110}晶面呈台阶结构,并同<111>晶轴相平行。蚀刻出来的{110}晶面在圆管的表面分成均等六个区。每个区内{110}晶面的台阶面的宽度呈现周期性的变化,开始台阶面较宽,逐渐变窄,然后通过一过渡区后,进入下一周期,{110}晶面的台阶面的宽度又逐渐变宽。 展开更多
关键词 单晶涂层 电解蚀刻 化学气相沉积 {110}晶面 热离子能量转换器 电真空器件
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化学输运法制备钨单晶涂层及其表征
6
作者 吕延伟 于晓东 +2 位作者 谭成文 马昆松 马红磊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期258-263,共6页
以晶体生长理论为基础,采用化学气相沉积工艺在常压下高效制备了高纯钨管。随后,以制备的高纯钨管为原料,在真空条件下通过化学输运方法在钼单晶棒表面制备出大面积特定晶体学取向的钨单晶涂层。利用X射线衍射和电子背散射衍射技术对获... 以晶体生长理论为基础,采用化学气相沉积工艺在常压下高效制备了高纯钨管。随后,以制备的高纯钨管为原料,在真空条件下通过化学输运方法在钼单晶棒表面制备出大面积特定晶体学取向的钨单晶涂层。利用X射线衍射和电子背散射衍射技术对获得的钨涂层进行了单晶定性和晶体质量分析;采用辉光放电质谱法对其进行了纯度测定;通过对单晶涂层进行纳米压痕实验和扫描电镜观察,获得了其微观力学性能和形貌等相关结果。结果表明,采用化学输运方法可以制备出具有特定晶体学取向、结晶完整性好和纯度极佳的高纯钨单晶涂层。 展开更多
关键词 化学气相沉积 单晶涂层 电子背散射衍射 辉光放电质谱 纳米压痕
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Theoretica Study on defects associated with lead vacancies in PbWO4 crystals
7
作者 姚明珍 顾牡 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第1期84-88,共5页
The defects associated with lead vacancies(VPd)in lead tungstate crystals(PbWO4) are investigated by the relativistic self-consistent discrete variational embedded cluster method.We focus on the density of states and ... The defects associated with lead vacancies(VPd)in lead tungstate crystals(PbWO4) are investigated by the relativistic self-consistent discrete variational embedded cluster method.We focus on the density of states and the effect of Vpb on surroundings,the results show that the existence of Vpb can diminish the bandwidth of WOr^2- group,however,it can neither produce O^- and Pb^3+ ions nor result in absorptions at 350 and 420nm,The charge balance of VPb may be evenly compensated by the surrounding oxygen ions. 展开更多
关键词 单晶 铝空穴 缺陷
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大型钨单晶
8
作者 李有观 《世界有色金属》 2004年第3期71-71,共1页
关键词 单晶 日本科学技术厅金属材料研究所 制造方法 成本
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大型钨单晶
9
作者 李玲玲 《新疆有色金属》 1994年第4期23-23,共1页
日本科学技术厅金属材料研究所研究出一种制造大型钨单晶的方法,可制成尺寸为140×100×4.6mm的钨单晶。
关键词 单晶 金属材料研究所 制造方法 多晶 微量添加元素 科学技术厅 高温加热 强韧性 研究出 加压成型
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