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高介电常数EP/BT复合材料介电性能的研究 被引量：14
1
作者 杨晓军 杨志民 +1 位作者 毛昌辉 杜军 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期27-30,共4页
选用粒径从100nm^1μm的钛酸钡(BT)粉末与环氧树脂(EP)采用溶液共混法制备了0~3型两相复合材料,并研究了复合材料的介电性能包括介电常数、介电损耗以及击穿场强。结果表明,复合材料的介电性能不只与陶瓷相的体积分数有关,还与陶瓷相中B... 选用粒径从100nm^1μm的钛酸钡(BT)粉末与环氧树脂(EP)采用溶液共混法制备了0~3型两相复合材料,并研究了复合材料的介电性能包括介电常数、介电损耗以及击穿场强。结果表明,复合材料的介电性能不只与陶瓷相的体积分数有关,还与陶瓷相中BT颗粒的粒径大小相关。运用SEM手段对复合物的微观形貌进行了表征。 展开更多
关键词 聚合物基复合材料 钛酸钡(bt) 介电性能
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pBT PVDF压电薄膜的制备及其应用 被引量：1
2
作者 洪莹 吴夏琼 +1 位作者 吴明华 王诗雯 《现代纺织技术》 北大核心 2023年第4期84-92,共9页
为解决钛酸钡(BT)纳米颗粒在聚偏氟乙烯(PVDF)基体内部团聚问题,采用聚多巴胺(PDA)对BT纳米颗粒进行表面改性,制备具有核壳结构的聚多巴胺钛酸钡(pBT)纳米颗粒,并与PVDF复合,通过静电纺丝法制备pBT PVDF复合压电薄膜;采用FT-IR、SEM和XR... 为解决钛酸钡(BT)纳米颗粒在聚偏氟乙烯(PVDF)基体内部团聚问题,采用聚多巴胺(PDA)对BT纳米颗粒进行表面改性,制备具有核壳结构的聚多巴胺钛酸钡(pBT)纳米颗粒,并与PVDF复合,通过静电纺丝法制备pBT PVDF复合压电薄膜;采用FT-IR、SEM和XRD等表征pBT纳米颗粒和pBT PVDF复合压电薄膜的结构和形貌,并测试pBT PVDF复合压电薄膜的压电常数;将pBT PVDF复合压电薄膜组装成三明治结构的压电纳米发电机,测定pBT PVDF压电纳米发电机的输出电压。结果表明:经PDA改性后,pBT纳米颗粒在PVDF基体内部的团聚得到明显改善,当pBT纳米颗粒的质量分数为3%时,pBT PVDF复合压电薄膜的压电常数从改性前的(13±3)pc N增加到(20±3)pc N。pBT PVDF压电纳米发电机的输出电压从改性前的1.0 V提升到1.2 V。研究结果可为解决BT纳米颗粒在PVDF中的分散性问题提供了一种简便方法。 展开更多
关键词 聚多巴胺(PDA) 静电纺丝 钛酸钡(bt) 聚偏氟乙烯(PVDF) 分散性 压电薄膜 压电纳米发电机
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嵌入式电容器用钛酸钡/环氧复合材料性能的研究 被引量：3
3
作者 陈惠玲 余萍 肖定全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期213-215,219,共4页
将颗粒尺寸分布较宽的钛酸钡（BT）粉末与环氧树脂采用溶液共混旋涂工艺制备了嵌入式电容器材料，并对该复合材料的显微结构、晶相、热稳定性及介电性能进行了分析。研究表明，该复合材料的介电常数及介电损耗与陶瓷相含量和陶瓷粉末的... 将颗粒尺寸分布较宽的钛酸钡（BT）粉末与环氧树脂采用溶液共混旋涂工艺制备了嵌入式电容器材料，并对该复合材料的显微结构、晶相、热稳定性及介电性能进行了分析。研究表明，该复合材料的介电常数及介电损耗与陶瓷相含量和陶瓷粉末的分散有关；在20-150kHz频率范围内，复合材料介电常数的变化较为稳定，而介电损耗值均在0.036-0.039之间，随频率增大略有增大；受BT粒子的影响，复合材料基体聚合物的有序排列分子结构被破坏，环氧树脂分子链的排列密度降低；BT粉末的加入及BT含量的增加均导致材料体系的固化温度和热分解温度提高。 展开更多
关键词 复合材料 钛酸钡(bt) 嵌入式电容器 介电性能
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基于新型纳米复合介电材料的嵌入式微电容制备及特性(英文) 被引量：1
4
作者 谢丹 武潇 +2 位作者 任天令 刘理天 党智敏 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2010年第5期460-464,共5页
嵌入式微电容技术是一种能够使电子器件微型化,并提高其性能及可靠性的方法.研究适用于嵌入式环境的高介电材料,有着重要的意义.采用粒径为92 nm的钛酸钡(BaTiO3)颗粒作为纳米无机填充颗粒,选用聚酰亚胺(PI)作为有机基体制备新型BaTiO3... 嵌入式微电容技术是一种能够使电子器件微型化,并提高其性能及可靠性的方法.研究适用于嵌入式环境的高介电材料,有着重要的意义.采用粒径为92 nm的钛酸钡(BaTiO3)颗粒作为纳米无机填充颗粒,选用聚酰亚胺(PI)作为有机基体制备新型BaTiO3/PI纳米复合薄膜,并对该薄膜的介电性能、耐压特性及温度特性进行了测试;并采用光刻、溅射、刻蚀等工艺,对BaTiO3/PI纳米复合薄膜进行图形化研究,制造嵌入式微电容器件原型,其后对该器件的介电性能进行了测试.测试结果显示,嵌入式电容器件原型的介电常数在低频下达到15以上,击穿场强达到58 MV/m以上,而刻蚀和溅射工艺对薄膜的性能影响不大. 展开更多
关键词 嵌入式微电容 聚酰亚胺(PI) 钛酸钡(bt) 图形化
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稀土氧化物掺杂BaTiO3陶瓷的击穿问题研究 被引量：1
5
作者 吉岸 王晓慧 +3 位作者 陈仁政 李龙土 桂治轮 张力 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期908-911,共4页
研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明:Y2O3掺杂... 研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明:Y2O3掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由Y2O3在瓷体中的缺陷化学反应所决定,在掺杂质量分数≤1.0%范围内,在≤0.5%之前,瓷体击穿场强呈下降趋势,之后则保持不变或稍有上升;MnO2掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由MnO2在瓷体中的缺陷化学反应与MnO2在瓷体晶界层的分布共同决定,总体表现为随掺杂浓度的增加瓷体击穿电压逐渐下降;Y2O3和MnO2共同掺杂时,它们之间对钛酸钡瓷体击穿场强的调制规律是相对独立的,只是在击穿场强的绝对值方面有所影响;氧分压越低的烧结机制,越容易引起瓷体击穿场强的下降. 展开更多
关键词 钛酸钡(bt) 击穿 贱金属
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Ba_(0.8)Sr_(0.2-x)Ca_xTiO_3陶瓷微观结构和介电性能的研究
6
作者 庄后荣 《佛山陶瓷》 2018年第10期7-13,27,共8页
采用固相法制备钛酸锶钙钡Ba_(0.8)Sr_(0.2-x)Ca_xTiO_3(x=0,0.04,0.08,0.12,0.16,0.2,BSCT)粉末,用X射线分析仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对BSCT粉末的物相和显微形貌进行分析。将制备的BSCT粉末在200 MPa下压制成直径为12mm的小圆片压坯,... 采用固相法制备钛酸锶钙钡Ba_(0.8)Sr_(0.2-x)Ca_xTiO_3(x=0,0.04,0.08,0.12,0.16,0.2,BSCT)粉末,用X射线分析仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对BSCT粉末的物相和显微形貌进行分析。将制备的BSCT粉末在200 MPa下压制成直径为12mm的小圆片压坯,制备的压坯在1400℃烧结2 h得到BSCT陶瓷,用排水法、扫描电镜(SEM)和阻抗分析仪分别对BSCT陶瓷样品的密度、显微形貌和介电性能进行分析,研究不同Ca含量对BSCT陶瓷样品性能的影响。结果表明:BSCT粉末在室温下均为四方相,晶格常数、晶粒大小随着Ca含量的增加先减小后增加;BSCT陶瓷样品的居里温度与晶轴率c/a呈正相关,Ca的加入有助于样品的致密化、介电常数的增加和介电损耗的降低;BSCT陶瓷样品的介电常数随着频率的增加而减小,介电损耗随着频率的增加先减小后增加。 展开更多
关键词 钛酸钡(bt) 介电性能 居里温度
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