高分辨网栅型Au-Si表面势垒探测器的制备和性能

1

作者 丁洪林 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期269-272,共4页

制备了对紫外光灵敏且有较高能量分辨的网栅型Au-Si表面势垒探测器,其有效面积为12.56cm^2,金网栅电极厚195×10^(-10)m。对^(241)Am 5.486 MeV α粒子在室温和低真空条件下能量分辨是55-80 keV。探讨了制备工艺并测试了性能。

关键词 网栅型 探测器 面垒探测器 金-硅

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MEMS封装技术及标准工艺研究 被引量：17

2

作者 关荣锋 汪学方 +4 位作者 甘志银 王志勇 刘胜 张鸿海 黄德修 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期50-54,65,共6页

分析了MEMS的特点及封装工艺对MEMS的影响,给出了对MEMS封装的基本要求。研究了MEMS封装工艺中的一些关键技术,即硅-硅和硅-玻璃键合技术、清洗与引线键合技术、焊料贴片和胶粘技术以及气密封帽技术等,并给出了一些重要的研究结果。同... 分析了MEMS的特点及封装工艺对MEMS的影响,给出了对MEMS封装的基本要求。研究了MEMS封装工艺中的一些关键技术,即硅-硅和硅-玻璃键合技术、清洗与引线键合技术、焊料贴片和胶粘技术以及气密封帽技术等,并给出了一些重要的研究结果。同时也介绍对几种MEMS惯性器件的封装要求及封装方法。 展开更多

关键词 MEMS封装大才疏 金-硅键合 贴片 引线键合 封帽

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半导体器件芯片焊接方法及控制 被引量：12

3

作者 潘茹 李明娟 +1 位作者 吴坚 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期272-275,279,共5页

随着半导体器件在雷达、航空航天等领域的大量应用,对芯片焊接的可靠性提出了越来越高的要求。本文对半导体器件芯片焊接(粘贴)方法作了简要介绍,对几种常用方法进行了比较。并主要针对在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金焊接失效... 随着半导体器件在雷达、航空航天等领域的大量应用,对芯片焊接的可靠性提出了越来越高的要求。本文对半导体器件芯片焊接(粘贴)方法作了简要介绍,对几种常用方法进行了比较。并主要针对在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金焊接失效模式及其解决办法进行了讨论。 展开更多

关键词 半导体器件 金-硅合金 焊接

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金－硅配合作用的实验研究及其地球化学意义 被引量：6

4

作者 樊文苓 王声远 田弋夫 《矿物岩石地球化学通报》 CAS CSCD 1995年第1期18-20,共3页

金－硅配合作用的实验研究及其地球化学意义樊文苓，王声远，田弋夫（中国科学院地球化学研究所，贵阳５５０００２）关键词金－硅配合作用，金矿化，实验地球化学自然界ＳｉＯ２与金矿化有着密切的时空关系。但是人们对形成这种关系的... 金－硅配合作用的实验研究及其地球化学意义樊文苓，王声远，田弋夫（中国科学院地球化学研究所，贵阳５５０００２）关键词金－硅配合作用，金矿化，实验地球化学自然界ＳｉＯ２与金矿化有着密切的时空关系。但是人们对形成这种关系的原因却没有足够的认识。ＳｉＯ２能否... 展开更多

关键词 金-硅配合作用 金矿化 实验地球化学

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功率芯片金-硅焊接空洞研究

5

作者 王朋 范国莹 +3 位作者 白红美 孙保瑞 鲍帅 李保第 《通讯世界》 2024年第6期22-24,共3页

金-硅(Au-Si)焊接通常用于装配射频电路中大功率的芯片,对芯片空洞率的要求极高,以此降低芯片装配的热阻和提高装配的可靠性,Au-Si焊接的主要方式为保护气氛下共晶摩擦焊。为降低Au-Si共晶摩擦焊的空洞率,对焊接载体的镀层进行研究,通... 金-硅(Au-Si)焊接通常用于装配射频电路中大功率的芯片,对芯片空洞率的要求极高,以此降低芯片装配的热阻和提高装配的可靠性,Au-Si焊接的主要方式为保护气氛下共晶摩擦焊。为降低Au-Si共晶摩擦焊的空洞率,对焊接载体的镀层进行研究,通过使用镍-钴(Ni-Co)镀层替代Ni镀层,增加Ni-Co镀层厚度,改善焊接效果,提高芯片装配的可靠性。 展开更多

关键词 金-硅焊接 Ni-Co镀层 空洞率 共晶摩擦焊 热阻

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用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究 被引量：1

6

作者 刘雪松 闫桂珍 +1 位作者 郝一龙 张海霞 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期238-240,248,共4页

MEMS器件大都含有可动的硅结构 ,在器件加工过程中 ,特别是在封装过程中极易受损 ,大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后 ,加上一层封盖保护 ,可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保... MEMS器件大都含有可动的硅结构 ,在器件加工过程中 ,特别是在封装过程中极易受损 ,大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后 ,加上一层封盖保护 ,可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金 硅键合新结构 ,实验证明此方法简单实用 ,效果良好。该技术与器件制造工艺兼容 ,键合温度低 ,有足够的键合强度 ,不损坏器件结构 ,实现了MEMS器件的芯片级封装。 展开更多

关键词 MEMS器件 芯片级封装 金-硅键合技术 制造工艺 微电子机械系统

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热液体系中Si的络合作用 被引量：4

7

作者 樊文苓 王声远 +1 位作者 田弋夫 陈紫新 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期390-398,共9页

在不同温度、p H和硅浓度条件下 ,实验标定了 Au- Si O2 以及 Sn- Si O2 之间的络合反应 :Au+ +H3 Si O-4 =Au H3 Si O4 　　　　　 lg K=- 1.6 5436 +96 11.2 1/TSn4 + +4H3 Si O-4 =Sn(H3 Si O4 ) 4　 lg K2 0 0℃ =4 2 .73通过与 Au-... 在不同温度、p H和硅浓度条件下 ,实验标定了 Au- Si O2 以及 Sn- Si O2 之间的络合反应 :Au+ +H3 Si O-4 =Au H3 Si O4 　　　　　 lg K=- 1.6 5436 +96 11.2 1/TSn4 + +4H3 Si O-4 =Sn(H3 Si O4 ) 4　 lg K2 0 0℃ =4 2 .73通过与 Au- Cl、Au- HS以及 Sn- OH络合物迁移能力的比较 ,表明在具地质意义的 p H和 Eh条件下 ,Au H3 Si O4 和 Sn(H3 Si O4 ) 4络合物可成为含硅热液中 Au、Sn的主要迁移形式。热液中硅浓度和氧逸度的降低导致溶解反应逆向进行 ,析出 Au和 Si O2 以及 Sn O2 与 Si O2 的沉淀。研究阐明了热液中 Si的络合作用对 Au、Sn等金属成矿具有普遍的重要意义。 展开更多

关键词 金-硅络合作用 金矿化 金矿床 热液体系 硅

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一种采用圆片级真空封装的全硅MEMS三明治电容式加速度计 被引量：3

8

作者 胡启方 李男男 +3 位作者 邢朝洋 刘宇 庄海涵 徐宇新 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第6期804-809,共6页

全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双... 全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双面KOH湿法腐蚀制造,腐蚀过程中使用台阶化的SiO_2作为硬掩模。硅盖板的加工主要通过KOH各向异性腐蚀和电感耦合等离子体垂直刻蚀完成。最后,上、下硅盖板通过基于Au-Si共晶反应的全硅键合技术从两侧与硅中间摆片进行键合,并实现圆片级真空封装。三明治加速度计的腔体内封装了压力为200 Pa的高纯氮气。测试结果表明,所述加速度计的闭环输出灵敏度为0.575 V/g,零位误差为0.43 g。加速度计的-3dB带宽为278.14Hz。加速度计1 h的输出稳定性为2.23×10-4 g(1σ)。加速度计在全温范围(-40℃~60℃)内的输出漂移为45.78 mg,最大温度滞环为3.725 mg。 展开更多

关键词 MEMS 加速度计 圆片级真空封装 金-硅共晶键合

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MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装 被引量：1

9

作者 刘福民 张乐民 +2 位作者 张树伟 刘宇 王学锋 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第1期15-18,23,共5页

微机电系统(MEMS)陀螺需要真空封装以确保其检测精度,晶圆级真空封装可以使MEMS微结构避免芯片切割过程中的粘连以及颗粒污染,提高芯片的成品率。为实现MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装,提出了一种全硅MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装结构方... 微机电系统(MEMS)陀螺需要真空封装以确保其检测精度,晶圆级真空封装可以使MEMS微结构避免芯片切割过程中的粘连以及颗粒污染,提高芯片的成品率。为实现MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装,提出了一种全硅MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装结构方案,并突破了Si-SiO_(2)直接键合、吸气剂制备、金-硅(Au-Si)键合等关键技术,实现了MEMS芯片的晶圆级真空封装。Si-SiO_(2)直接键合和Au-Si共晶键合的剪切强度分别达到了56.5 MPa和35.5 MPa,表明晶圆级封装中晶圆键合强度满足晶圆级真空封装的需要。晶圆级真空封装实现陀螺仪谐振最大Q值为103879,对应的真空压力为2 Pa左右,陀螺仪芯片已达到MEMS陀螺工程化的需要。 展开更多

关键词 晶圆级真空封装 微机电系统陀螺仪 硅-二氧化硅直接键合 金-硅键合 吸气剂

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Au-Si-Be液态金属离子源发展综述 被引量：1

10

作者 康文运 应根裕 汪健如 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第1期26-32,共7页

对Au－Si－Be液态金属离子源的发展进行了较详细的介绍，包括源的结构、发射特性，以及不同的合金配比、源工作温度、环境气体、系统真空度对源发射稳定性的影响。

关键词 液态金属 离子源 半导体 离子流 金-硅-铍

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剂量增强效应简介

11

作者 曹建中 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期167-173,共7页

本文介绍了剂量增强效应的起因、定义以及器件和电容器的剂量增强效应;提供了一般电子系统中使用的器件在X,γ射线环境中的剂量增强系数参考数据,有较宽的适应范围。

关键词 剂量增强 射线 副射效应 金-硅界面

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感应加热硅衬底上的金膜用于圆片键合(英文)

12

作者 陈明祥 甘志银 刘胜 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期479-483,共5页

选用垂直于其表面的射频磁场对镀金膜的硅片进行了感应加热,由于磁场对材料加热具有选择性,感应热量首先作用于硅片上的金膜内,硅片先被传导加热到一定温度,然后被感应加热。理论上分析了该方法的可行性,初步试验结果表明,虽然金膜厚度... 选用垂直于其表面的射频磁场对镀金膜的硅片进行了感应加热,由于磁场对材料加热具有选择性,感应热量首先作用于硅片上的金膜内,硅片先被传导加热到一定温度,然后被感应加热。理论上分析了该方法的可行性,初步试验结果表明,虽然金膜厚度低于感应趋肤深度,但在没有应用感应加热基座的情况下,几秒钟内就形成了金硅共晶相。另外,升温速度快,有效减少了加热过程中金对硅的扩散影响,该方法可广泛用于微系统封装中的圆片键合。 展开更多

关键词 圆片键合 感应加热 金-硅共晶 微机电系统(MEMS)封装

原文传递

金-硅面垒探头在氢气环境下的失效问题

13

作者 涂俊 穆龙 《中国工程物理研究院科技年报》 2006年第1期80-82,共3页

在以前的研究中，发现金罐面垒探头在氢气环境下使用时，会出现α能峰向低能方向飘移，直至能峰淹没在电子学噪声中，探头完全失效的现象，当将失效的探头从氢气环境中拿出后，又能恢复到正常水平。为此，对金一硅面垒探头在氢气环境下... 在以前的研究中，发现金罐面垒探头在氢气环境下使用时，会出现α能峰向低能方向飘移，直至能峰淹没在电子学噪声中，探头完全失效的现象，当将失效的探头从氢气环境中拿出后，又能恢复到正常水平。为此，对金一硅面垒探头在氢气环境下受影响的现象进行了研究，并提出了金一硅面垒探头受影响的理论机制。为了解决氢气环境下α谱测量的问题，在本年度进行了影响机制的实验验证、金一硅面垒探头在阻氢处理后的研究和替代探头在氢气环境下的研究。 展开更多

关键词 金-硅面垒 氢气环境 失效问题 探头 理论机制 电子学噪声 氢处理

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H_n^+(n≤7)团簇在Au-Si面垒探测器死层中的能损

14

作者 杨朝文 师勉恭 +3 位作者 唐阿友 朱洲森 杨百方 缪竞威 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期106-110,共5页

利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器灵敏区前的死层作为靶物质，研究了Ｈ＋ｎ（ｎ≤７，２５０ｋｅＶ／ｐ～４５０ｋｅＶ／ｐ）团簇在其中的能损，得到能损比Ｒｎ＞１，且随团簇大小ｎ和平均每核子能量增加而增大。

关键词 团簇 能损 金-硅面垒 探测器死层

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Thick Sensitive Au-Si Surface Barrier Detector with Large Area

15

《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版》 1999年第1期157-157,共1页

关键词 大面积厚耗尽层 Ar-Si面垒 探测器 金-硅面垒

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