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题名半导体封装工艺中金锡共晶焊料性质和制备方法研究
被引量：8
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作者
史超
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《世界有色金属》
2018年第4期216-217,219,共3页
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文摘
金锡共晶焊料(Au80wt.%/Sn20wt%)具有良好的抗热疲劳性质和较高的热导率,高的烧焊可靠性、剪切强度、抗腐蚀性,及其适合梯度焊接,在半导体封装工艺中应用广泛。文中结合金-锡相图,描述了金锡共晶焊料的性质和状态。详细归纳了蒸发、电镀两种焊料主要制备手段的特点和应用范围。重点指出了中国电子科技集团公司第十三研究所制备金锡焊料的方式和进展情况,为采用金锡焊料进行器件封装起积极推动作用。
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关键词
半导体封装
金锡共晶焊料
蒸发
电镀
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Keywords
Semiconductor package
gold–tin soldering material
vaporization
electroplate
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分类号
TP273
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名车用垂直腔面发射激光器模组整板金锡共晶焊接工艺
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作者
周浩
吴丰顺
周龙早
孙平如
魏冬寒
张志超
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机构
华中科技大学材料科学与工程学院
深圳市聚飞光电股份有限公司
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出处
《半导体技术》
北大核心
2024年第1期50-55,102,共7页
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文摘
激光雷达及飞行时间(ToF)传感器中垂直腔面发射激光器(VCSEL)模组使用的银胶固晶工艺存在银迁移及硫化问题,亟需开发一种可靠性高并可量产的整板金锡共晶焊接工艺。以单颗焊接模式下单因素实验及正交实验为基础,借助Ansys热仿真工具,探究整板焊接中基板与压头之间合适的匹配温度。单因素控制变量实验发现,固晶芯片推力随共晶温度、压头行程、共晶时间的增加先增大后减小,正交实验得到最佳工艺参数为共晶温度320℃、压头行程500μm、共晶时间4 s。采用优选工艺参数500μm、4 s、270~350℃进行整板焊接,平均固晶芯片推力为821 N,相较银胶固晶工艺提高了139%。
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关键词
垂直腔面发射激光器(VCSEL)模组
金锡共晶焊料
整板焊接
正交实验
有限元模拟
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Keywords
vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL)module
Au80Sn20 eutectic solder
monolithic substrate welding
orthogonal experiment
finite element simulation
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分类号
TN365
[电子电信—物理电子学]
TN305
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题名共蒸发法制备金锡共晶焊料环及其性能研究
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作者
李萌萌
李兆营
黄添萍
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机构
安徽光智科技有限公司
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第1期59-61,共3页
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文摘
采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象;经过振荡测试,溢料无脱落、无位移,且芯片密封性能可达到1×10^(-3) Pa/(cm^(3)·s),符合探测器的气密性要求。
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关键词
非制冷红外探测器
晶圆级封装
电子束蒸发
金锡共晶焊料环
键合
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Keywords
uncooled infrared detector
wafer level packaging
electron beam evaporation
gold-tin eutectic solder ring
bonding
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分类号
TN305.8
[电子电信—物理电子学]
TN305.94
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