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铜、银、金铟硒半导体薄膜光电化学振荡行为比较
被引量:
1
1
作者
徐群杰
汪知恩
+1 位作者
云大陆
曹为民
《上海电力学院学报》
CAS
1997年第4期17-24,共8页
对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的(光)电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究.特别是对它们的振荡形式、起振条件、外界影响因素及光电调制等进行了归纳,较系统地总结了IB族元素与In...
对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的(光)电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究.特别是对它们的振荡形式、起振条件、外界影响因素及光电调制等进行了归纳,较系统地总结了IB族元素与In,Se构成的三元半导体化合物薄膜的电化学振荡的基本特点.
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关键词
铜
铟
硒
银
铟
硒
金
铟
硒
半导体薄膜
光电化学振荡
下载PDF
职称材料
电沉积金铟硒半导体薄膜上的电化学振荡现象
2
作者
徐群杰
云大陆
+1 位作者
邓薰南
尤金跨
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期363-369,共7页
采用现场动态阻(容)抗法对不同支持电解质溶液中电沉积金铟硒薄膜电极上阴极还原H2O2时产生的电化学振荡行为进行了研究。通过AES能谱和激光扫描电化学测试对振荡前后的电极表面组成及状况的分析发现,电化学振荡能使金铟硒半...
采用现场动态阻(容)抗法对不同支持电解质溶液中电沉积金铟硒薄膜电极上阴极还原H2O2时产生的电化学振荡行为进行了研究。通过AES能谱和激光扫描电化学测试对振荡前后的电极表面组成及状况的分析发现,电化学振荡能使金铟硒半导体薄膜的光电效应减弱乃至消失,其原因是由于随着振荡的进行破坏了金铟硒的半导体结构和半导体溶液界面结构。对振荡机理的研究发现,在以KCl为支持电解质的电化学振荡体系中,由于Cl-的特性吸附和活化作用,并且在振荡过程中Cl-参与了薄膜的组成,其阴极向扫描过程中振荡产生的极化电位区域与阳极向过程相吻合;而在以KNO3为支持电解质的振荡体系中,由于没有Cl-的特性吸附,其阴极向过程与阳极向过程中振荡产生的极化电位区域表现出一定的差异。
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关键词
金
铟
硒
电化学振荡
电沉积
半导体薄膜
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职称材料
题名
铜、银、金铟硒半导体薄膜光电化学振荡行为比较
被引量:
1
1
作者
徐群杰
汪知恩
云大陆
曹为民
机构
上海电力学院
上海技术监督局
上海大学
出处
《上海电力学院学报》
CAS
1997年第4期17-24,共8页
基金
国家自然科学基金
厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室资助
文摘
对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的(光)电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究.特别是对它们的振荡形式、起振条件、外界影响因素及光电调制等进行了归纳,较系统地总结了IB族元素与In,Se构成的三元半导体化合物薄膜的电化学振荡的基本特点.
关键词
铜
铟
硒
银
铟
硒
金
铟
硒
半导体薄膜
光电化学振荡
Keywords
CuInSe_2
AgInSe_2
AuInSe_2
electrodeposition
semiconductor thin film
photoelectrochemistry oscillation
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
电沉积金铟硒半导体薄膜上的电化学振荡现象
2
作者
徐群杰
云大陆
邓薰南
尤金跨
机构
上海电力学院电化学研究室
上海大学电化学研究室
厦门大学化学系
出处
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期363-369,共7页
基金
国家自然科学基金
厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室资助
文摘
采用现场动态阻(容)抗法对不同支持电解质溶液中电沉积金铟硒薄膜电极上阴极还原H2O2时产生的电化学振荡行为进行了研究。通过AES能谱和激光扫描电化学测试对振荡前后的电极表面组成及状况的分析发现,电化学振荡能使金铟硒半导体薄膜的光电效应减弱乃至消失,其原因是由于随着振荡的进行破坏了金铟硒的半导体结构和半导体溶液界面结构。对振荡机理的研究发现,在以KCl为支持电解质的电化学振荡体系中,由于Cl-的特性吸附和活化作用,并且在振荡过程中Cl-参与了薄膜的组成,其阴极向扫描过程中振荡产生的极化电位区域与阳极向过程相吻合;而在以KNO3为支持电解质的振荡体系中,由于没有Cl-的特性吸附,其阴极向过程与阳极向过程中振荡产生的极化电位区域表现出一定的差异。
关键词
金
铟
硒
电化学振荡
电沉积
半导体薄膜
Keywords
gold indium selenidedynamic impedance and condensance methodelectrochemistry oscillationelectrodeposition
分类号
O649.4 [理学—物理化学]
TN304.055 [理学—化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜、银、金铟硒半导体薄膜光电化学振荡行为比较
徐群杰
汪知恩
云大陆
曹为民
《上海电力学院学报》
CAS
1997
1
下载PDF
职称材料
2
电沉积金铟硒半导体薄膜上的电化学振荡现象
徐群杰
云大陆
邓薰南
尤金跨
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
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职称材料
已选择
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