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题名一种MEMS陀螺晶圆级真空封装工艺
被引量：3
- 1
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作者
王帆
刘磊
张胜兵
刘阳
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机构
华东光电集成器件研究所
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第3期248-252,共5页
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文摘
为了提高MEMS陀螺的品质因数(Q值),提出了一种晶圆级真空封装工艺。先在陀螺盖帽晶圆上刻蚀出浅腔,然后在浅腔结构上制备钨(W)金属引线,再通过PECVD工艺淀积介质层,在介质层上制备钛/金(Ti/Au)键合环,最后将盖帽晶圆与制备好的结构晶圆完成金硅共晶键合,并利用吸气剂实现晶圆的长久真空封装。经测试,采用本方案的封装的气密性与金属层厚度紧密相关,调整合适的金属层厚度后可使真空泄漏速率小于2.0×10-12 Pa·m^3·s-1。此外,设计了一种特殊的浅腔阵列结构,该结构将金硅键合强度从小于20 MPa提升至大于26 MPa,同时可防止键合时液相合金向外溢流。对陀螺芯片的性能测试表明,该真空封装工艺简单有效,封装气密性良好,Q值高达168 540,满足设计指标要求。
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关键词
MEMS陀螺
晶圆级真空封装
金硅共晶键合
真空泄漏速率
键合强度
Q值
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Keywords
MEMS gyro
wafer level vacuum packaging
Au/Si eutectic bonding
vacuum leak rate
bonding strength
Qvalue
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分类号
TB79
[一般工业技术—真空技术]
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题名一种真空度可调的圆片级封装技术
被引量：1
- 2
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作者
罗蓉
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013年第8期534-537,共4页
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文摘
提出了一种MEMS器件的圆片级封装技术。通过金硅键合和DRIE通孔制备等关键工艺技术,可以实现真空度从102 Pa到2个大气压可调的圆片级封装。作为工艺验证,成功实现了圆片级真空封装MEMS陀螺仪的样品制备。对封装后的陀螺仪样品进行了剪切力和品质因数Q值测试,剪切力测试结果证明封装样品键合强度达到5 kg以上,圆片级真空封装后陀螺的品质因数Q值约为75 000,对该陀螺的品质因数进行了历时1年的跟踪测试,在此期间品质因数Q的最大变化量小于7‰,品质因数测试结果表明封装具有较好的真空特性。
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关键词
微电子机械系统(MEMS)
圆片级封装(WLP)
密封
深反应离子刻蚀(DRIE)
金硅共晶键合
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Keywords
micro-electromechanical systems （MEMS）
wafer level package （WLP）
hermetic
deep reactive ion etching （DRIE）
Au-Si eutectic bonding
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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