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杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响
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作者 王巍 代作海 +3 位作者 王晓磊 唐政维 徐洋 王平 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2010年第9期67-69,73,共4页
研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进... 研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进而得到MISiC传感器的I-V与C-V特性。实验结果表明:室温下SiC器件中杂质不完全离化,随着温度的升高,杂质离化率增大。在外加电场的作用下,杂质的离化率增加,并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动。 展开更多
关键词 金属-绝缘体-碳化硅 杂质离化 泊松方程 Pool-Frenkel效应 气体传感器
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MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析 被引量：2
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作者 钟德刚 徐静平 +1 位作者 黎沛涛 于军 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期89-91,共3页
分析了金属 绝缘体 SiC (MISiC)结构肖特基二极管 (SBD)气体传感器敏感机理 ,通过将热电子发射理论与隧道理论结合 ,建立了器件物理模型 .模拟结果表明 ,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关 .模拟结果与实... 分析了金属 绝缘体 SiC (MISiC)结构肖特基二极管 (SBD)气体传感器敏感机理 ,通过将热电子发射理论与隧道理论结合 ,建立了器件物理模型 .模拟结果表明 ,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关 .模拟结果与实验符合较好 .通过模拟 ,得到MISiC结构最佳绝缘层 (SiO2 )厚度应为 1nm左右 . 展开更多
关键词 MISiC 肖特基二极管式气体传感器 响应特性 敏感机理 金属-绝缘体-碳化硅结构 I-V特性
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