VO_2金属-绝缘体相变机理的研究进展 被引量：11

1

作者 罗明海 徐马记 +2 位作者 黄其伟 李派 何云斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期1-8,共8页

VO_2是一种热致相变金属氧化物.在341 K附近,VO_2发生由低温绝缘体相到高温金属相的可逆转变,同时伴随着光学、电学和磁学等性质的可逆突变,这种独特的性质使得VO_2在光电开关材料、智能玻璃、存储介质材料等领域有着广阔的应用前景.因... VO_2是一种热致相变金属氧化物.在341 K附近,VO_2发生由低温绝缘体相到高温金属相的可逆转变,同时伴随着光学、电学和磁学等性质的可逆突变,这种独特的性质使得VO_2在光电开关材料、智能玻璃、存储介质材料等领域有着广阔的应用前景.因此,VO_2金属-绝缘体可逆相变一直是人们的研究热点,但其相变机理至今未有定论.首先,简要概述了VO_2相变时晶体结构和能带结构的变化情况:从晶体结构来讲,相变前后VO_2从低温时的单斜相VO_2(M)转变为高温稳定的金红石相VO_2(R),在一定条件下此过程也可能伴随着亚稳态单斜相VO_2(B)与四方相VO_2(A)的产生;从能带结构来看,VO_2处于低温单斜相时,其d//能带和π*能带之间存在一个禁带,带宽约为0.7 eV,费米能级恰好落在禁带之间,表现出绝缘性,而在高温金红石相时,其费米能级落在π*能带与d//能带之间的重叠部分,因此表现出金属导电性.其次,着重总结了VO_2相变物理机理的研究现状.主要包括:电子关联驱动相变、结构驱动相变以及电子关联和结构共同驱动相变的三种理论体系以及支撑这些理论体系的实验结果.文献报道争论的焦点在于,VO_2是否是Mott绝缘体以及结构相变与金属-绝缘体相变是否精确同时发生.最后,展望了VO_2材料研究的发展方向. 展开更多

关键词 二氧化钒 金属-绝缘体相变 Mott相变 PEIERLS相变

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Eu_(2-x)Pb_xRu_2O_7中的金属-绝缘体相变和自旋玻璃态行为 被引量：4

2

作者 邱梅清 方明虎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期4912-4917,共6页

通过对Eu_(2-x)Pb_xRu_2O_7(x=0.0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0和1.8)系列样品的结构、电阻和磁化率的观测,结果发现,随着Pb替代浓度x值的增加,样品的电阻率逐渐减小,系统在x=0.8附近发生了金属_绝缘体(M_I)相变;Ru4+的局域磁矩及其自旋玻璃冻... 通过对Eu_(2-x)Pb_xRu_2O_7(x=0.0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0和1.8)系列样品的结构、电阻和磁化率的观测,结果发现,随着Pb替代浓度x值的增加,样品的电阻率逐渐减小,系统在x=0.8附近发生了金属_绝缘体(M_I)相变;Ru4+的局域磁矩及其自旋玻璃冻结温度TG也随之降低.在该体系中,Pb2+对Eu3+的部分替代使样品中载流子浓度增加,Pb的6p能带与Ru4d电子的T2g能带混合,能带得以拓宽,Ru4d电子的巡游性增强,导致该体系物性的系列变化. 展开更多

关键词 自旋几何受挫 Eu2-xPbxRu2O7 体系 金属-绝缘体相变 自旋玻璃态

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二氧化钒薄膜的制备技术及应用进展(特邀) 被引量：3

3

作者 石倩倩 王江 程光华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期332-350,共19页

二氧化钒具有从金属相到绝缘体相发生可逆相变的特性,在68℃,分子结构从单斜结构转换成金红石结构,同时伴随着光学、电学和热学性质的快速突变,使得二氧化钒被广泛应用于热光调控、光学防护、红外伪装、离子电池和化学传感等领域。本文... 二氧化钒具有从金属相到绝缘体相发生可逆相变的特性,在68℃,分子结构从单斜结构转换成金红石结构,同时伴随着光学、电学和热学性质的快速突变,使得二氧化钒被广泛应用于热光调控、光学防护、红外伪装、离子电池和化学传感等领域。本文总结了二氧化钒薄膜新颖的制备技术、研究现状以及各种技术的优缺点,分析了应力、掺杂、缺陷等因素对二氧化钒相变特性的显著影响,归纳了二氧化钒的相变机理和支持相关相变机理的证据,列举了二氧化钒在不同热门领域中的应用,并对二氧化钒的发展方向和应用前景进行了总结和展望。 展开更多

关键词 二氧化钒 薄膜 金属-绝缘体相变 晶型结构 制备技术

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水热合成二氧化钒粉体的研究进展

4

作者 张海楠 梁姝慧 +3 位作者 韩相阁 赵九蓬 豆书亮 李垚 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1072-1080,共9页

二氧化钒(VO_(2))是一种被广泛应用的无机非金属材料,在临界温度68℃时具有从绝缘体单斜相到金属四方相的可逆相变,相变后其本身的电阻率、红外透过率等物理性质都会发生改变。可逆的相变特性以及相对简单的响应方式使得VO_(2)成为制备... 二氧化钒(VO_(2))是一种被广泛应用的无机非金属材料,在临界温度68℃时具有从绝缘体单斜相到金属四方相的可逆相变,相变后其本身的电阻率、红外透过率等物理性质都会发生改变。可逆的相变特性以及相对简单的响应方式使得VO_(2)成为制备新型智能器件的候选材料。然而,有关二氧化钒合成机理以及水热法制备二氧化钒的综述较少。因此,本文通过总结近几年水热法制备二氧化钒的相关工作,分别对一步法和两步法制备VO_(2)(M)进行介绍与总结,并对水热法制备VO_(2)(M)粉体的发展进行了展望。 展开更多

关键词 水热法 二氧化钒 纳米颗粒 金属-绝缘体相变 合成机理 形貌 晶相 制备方法

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量子相变和量子临界现象 被引量：3

5

作者 金国钧 冯端 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2009年第4期325-351,共27页

本文综述凝聚态物理学中的量子相变和量子临界现象,首先考察了相变中存在量子效应的可能性,通过横磁场Ising模型介绍了量子相变的基本特征;接下来对照热临界现象,引入了量子标度和量子重正化的基本概念和操作方式;然后利用量子临界现象... 本文综述凝聚态物理学中的量子相变和量子临界现象,首先考察了相变中存在量子效应的可能性,通过横磁场Ising模型介绍了量子相变的基本特征;接下来对照热临界现象,引入了量子标度和量子重正化的基本概念和操作方式;然后利用量子临界现象的方案,分析了密度驱动、无序驱动和关联驱动的金属-绝缘体相变;继续利用量子临界性的概念探讨如重电子化合物、铜氧化物和巡游铁磁体这类复杂的相互作用多粒子系统;最后选择量子点、碳纳米管和单层石墨为例,介绍了量子临界性在低维和纳米系统研究中的作用。 展开更多

关键词 量子相变 量子临界性 标度 重正化 金属-绝缘体相变 关联电子系统

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氧气氛后退火对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3-Ag薄膜性能的影响 被引量：2

6

作者 朱绍将 刘翔 +2 位作者 彭巨擘 严磊 张鹏翔 《贵金属》 CAS CSCD 2003年第4期49-52,共4页

用脉冲激光溅射 (PLD)法在LaAlO3( 1 0 0 )单晶衬底上制备了掺 4 0wt%Ag的超巨磁电阻材料La0 67Ca0 33MnO3薄膜。在氧气氛中经高温处理后薄膜显示了近室温的金属 -绝缘体相变点 (TMI≈ 30 0K) ,与通常提高TMI的结果相比较 ,此工艺较... 用脉冲激光溅射 (PLD)法在LaAlO3( 1 0 0 )单晶衬底上制备了掺 4 0wt%Ag的超巨磁电阻材料La0 67Ca0 33MnO3薄膜。在氧气氛中经高温处理后薄膜显示了近室温的金属 -绝缘体相变点 (TMI≈ 30 0K) ,与通常提高TMI的结果相比较 ,此工艺较好地保持了材料相变点区间的陡度 ,且电阻温度系数 (TCR)在此区内仍达到 8%。这为制造近室温磁敏感元件、自旋电子学器件、辐射热探测器等提供了重要材料。 展开更多

关键词 低维金属材料 超巨磁电阻材料 金属-绝缘体相变 电阻温度系数 薄膜 脉冲激光溅射 退火

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镍酸钐研究进展及其用于海洋电场传感器的可行性分析 被引量：2

7

作者 肖月桐 王猛 +4 位作者 王兴卓 陈凯 时宗洋 赵一宇 付悦思 《物探与化探》 CAS 北大核心 2022年第2期418-423,共6页

海洋电场信号被广泛用于海底以下地质构造、水体目标探测、物理海洋和海洋物理特性分析等研究领域,收集海洋电场信号有重要的科学价值,其中海洋电场传感器是其测量媒介。近年来,钙钛矿型复合氧化物作为新型材料成为研究热点,镍酸钐是钙... 海洋电场信号被广泛用于海底以下地质构造、水体目标探测、物理海洋和海洋物理特性分析等研究领域,收集海洋电场信号有重要的科学价值,其中海洋电场传感器是其测量媒介。近年来,钙钛矿型复合氧化物作为新型材料成为研究热点,镍酸钐是钙钛矿复合氧化物中性能比较特殊的一个,具有金属—绝缘体相变特性,在海水中稳定性强,对低频电场信号敏感度高,有望成为新型海洋电场传感器的电极材料。国内外学者对镍酸钐进行了一些研究,主要集中于镍酸钐的电学特性尤其是金属—绝缘体相变特性、光学特性及其制备流程。本文对上述研究内容进行了系统综述,并对镍酸钐用于海洋电场传感器的可行性进行了初步探讨。 展开更多

关键词 镍酸钐海洋电场传感器 镍酸钐 海洋电场 电极 传感器 金属—绝缘体相变

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SnO_(2)缓冲层对VO_(2)薄膜微观结构与相变性能的影响 被引量：2

8

作者 马紫腾 刘哲 +4 位作者 莫敏静 郭佳成 刘雍 魏长伟 何春清 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第1期132-136,共5页

利用电子束蒸发法在Si衬底上制备了不同厚度的SnO_(2)缓冲层,并使用磁控溅射法制备出上层氧化钒薄膜,研究了SnO_(2)缓冲层厚度对于氧化钒薄膜微观结构、相组成以及相变性能的影响。结果表明,引入具有四方金红石结构的SnO_(2)缓冲层后,... 利用电子束蒸发法在Si衬底上制备了不同厚度的SnO_(2)缓冲层,并使用磁控溅射法制备出上层氧化钒薄膜,研究了SnO_(2)缓冲层厚度对于氧化钒薄膜微观结构、相组成以及相变性能的影响。结果表明,引入具有四方金红石结构的SnO_(2)缓冲层后,上层氧化钒薄膜的结晶性变好,随着SnO_(2)缓冲层厚度的增加,沉积的氧化钒薄膜中V^(4+)含量逐渐提高,氧化钒薄膜的平均晶粒尺寸增大,成膜质量变好;相变锐度有所降低,热滞回线宽度减小。这些结果表示SnO_(2)缓冲层的引入有利于在硅衬底上生长高质量且相变性能优越的VO_(2)薄膜。 展开更多

关键词 缓冲层 氧化钒 金属-绝缘体相变 二氧化锡

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碱金属单质的奇异高压行为 被引量：2

9

作者 李印威 马琰铭 《中国科学：物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2010年第2期146-157,共12页

碱金属元素单质(锂、钠、钾、铷和铯)的原子最外层只有一个近自由的s电子,在常温和常压下碱金属单质具有简单的体心立方结构.在压力的作用下,碱金属原子间距减小,电子轨道重叠程度增加,导致电荷发生重新分布(如,s→p或s→d电荷的转移),... 碱金属元素单质(锂、钠、钾、铷和铯)的原子最外层只有一个近自由的s电子,在常温和常压下碱金属单质具有简单的体心立方结构.在压力的作用下,碱金属原子间距减小,电子轨道重叠程度增加,导致电荷发生重新分布(如,s→p或s→d电荷的转移),引起一系列复杂的结构相变发生(如长程无序非公度结构的形成).伴随结构相变的发生,碱金属单质的电子性质也发生了很大的变化,比如锂和铯出现了超导电性,更令人惊奇的是锂和钠在高压下还发生了有违传统高压理论的金属到绝缘体的转变.文中总结了5种碱金属元素单质锂、钠、钾、铷和铯在高压下的丰富结构相变行为,介绍了各种新型高压相结构,分析了相变产生的物理机制,阐述了锂和铯的高压超导电性,并重点介绍了锂和钠的金属-绝缘体相变.最后我们还展望了碱金属元素单质的未来高压研究的重点. 展开更多

关键词 高压 碱金属单质 结构相变 超导 金属-绝缘体相变

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轨道选择性相变——多轨道物理中一类独特的现象 被引量：2

10

作者 张宇钟 《物理》 CAS 北大核心 2014年第5期309-318,共10页

金属—绝缘体相变是凝聚态物理中被大量研究并有广泛应用前景的一种物理现象。通常具有巡游性的电子由于受到各种因素(如无序或电子相互作用等)的影响发生局域化,从而形成了金属—绝缘体相变。然而在实际材料中,由于电子还具有轨道属性... 金属—绝缘体相变是凝聚态物理中被大量研究并有广泛应用前景的一种物理现象。通常具有巡游性的电子由于受到各种因素(如无序或电子相互作用等)的影响发生局域化,从而形成了金属—绝缘体相变。然而在实际材料中,由于电子还具有轨道属性而使该相变的发生变得更加复杂。文章简要回顾了一类考虑电子轨道自由度后发生的较为特殊的金属—绝缘体相变——轨道选择性相变,即由于电子相互作用的影响而在同一原子壳层中出现局域化的电子和巡游电子共存的现象,并讨论了其形成机理和相关的实验。 展开更多

关键词 金属-绝缘体相变 轨道自由度 电子相互作用 多轨道哈巴德模型 动力学平均场

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量子材料GaTa_(4)Se_(8)的基态研究

11

作者 邓宏芟 张建波 +2 位作者 王东 胡清扬 丁阳 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期19-28,共10页

量子材料GaTa_(4)Se_(8)(GTS)不仅展现出绝缘体到金属相变、J_(eff)量子态以及拓扑超导等多种有趣的物理性质,而且还是电阻开关和存储介质材料,一直以来备受关注。当前科学家们对其绝缘基态的结构仍存在争议,基态结构的不确定阻碍了对... 量子材料GaTa_(4)Se_(8)(GTS)不仅展现出绝缘体到金属相变、J_(eff)量子态以及拓扑超导等多种有趣的物理性质,而且还是电阻开关和存储介质材料,一直以来备受关注。当前科学家们对其绝缘基态的结构仍存在争议,基态结构的不确定阻碍了对其各种物理性质的深入理解。GaTa_(4)Se_(8)的绝缘基态长期被认为具有立方对称结构(空间群F43m),其电子能隙是由自旋轨道耦合效应和电子关联共同作用形成的Mott型能隙。最近第一性原理计算表明,立方结构的声子谱存在虚频而不稳定,并预测立方对称存在结构畸变会形成更稳定的三方结构(R3m)或四方结构(F43_(1)m)。为此,本研究通过压力调节该材料的电子能隙,结合Raman光谱、X射线衍射、电阻测量等多种实验表征手段,对比实验得到的数据与第一性原理计算结果,进一步探索GaTa_(4)Se_(8)的基态结构。研究表明三方对称结构(R3m)更符合实验观察结果。 展开更多

关键词 Mott绝缘体 金属-绝缘体相变 高压Raman光谱

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一维C_(36)聚合物的C_(36)分子间的电-声相互作用

12

作者 陈媛梅 黄元河 刘若庄 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第3期196-200,共5页

在用半经验自洽场晶体轨道方法计算能带结构的基础上，并在平均场近似和形变势理论框架下，研究了四种一维线性 C36聚合物模型的 C36分子间电-声耦合常数及其对超导相变和金属-绝缘体相变的影响 .计算结果表明，一维线性 C36聚合物的 C3... 在用半经验自洽场晶体轨道方法计算能带结构的基础上，并在平均场近似和形变势理论框架下，研究了四种一维线性 C36聚合物模型的 C36分子间电-声耦合常数及其对超导相变和金属-绝缘体相变的影响 .计算结果表明，一维线性 C36聚合物的 C36分子间电-声耦合常数极小，对超导相变和金属-绝缘体相变的影响可以完全忽略 . 展开更多

关键词 一维碳36聚合物 富勒烯 分子间相互作用 电-声相互作用 金属-绝缘体相变 量子化学计算 超导相变

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完全由电子关联驱动的Mott型金属-绝缘体相变研究 被引量：1

13

作者 郭建东 《物理》 CAS 北大核心 2008年第2期71-73,共3页

Mott金属-绝缘体相变(MIT)是凝聚态物理中的一个非常基本的概念.长期以来,Mott型MIT的概念被广泛应用于凝聚态物理的许多领域,特别是用于描述强关联系统的电子结构特征.然而到目前为止,完全由电子关联驱动的MIT并没有被观察到.因此,是... Mott金属-绝缘体相变(MIT)是凝聚态物理中的一个非常基本的概念.长期以来,Mott型MIT的概念被广泛应用于凝聚态物理的许多领域,特别是用于描述强关联系统的电子结构特征.然而到目前为止,完全由电子关联驱动的MIT并没有被观察到.因此,是否存在着完全由于电子之间的强关联效应导致的Mott型MIT一直是科学家们感兴趣的重要问题.近日,中国科学院物理研究所方忠研究员组、郭建东研究员组和美国Florida International大学的Jiandi Zhang教授研究组及美国Tennessee大学及橡树岭国家实验室的E.W.Plummer教授研究组、Rong Ying Jin教授研究组合作,通过实验与理论相结合的研究,在Ca1.9Sr0.1RuO4表面首次实现了纯电子驱动的Mott型MIT,发生电子结构相变时并没有相应的结构畸变出现.该研究成果对于人们认识电子-电子关联效应引起的Mott转变具有非常重要的意义. 展开更多

关键词 金属-绝缘体相变 扫描隧道显微镜/隧道谱 电子能量损失谱 动力学低能电子衍射谱

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超薄VO2外延薄膜的制备及其金属-绝缘体相变的原位研究 被引量：1

14

作者 徐马记 唐志武 +2 位作者 李派 黎明锴 何云斌 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 2017年第3期222-226,共5页

采用电子束蒸发法(EBE)在单晶TiO_2(110)衬底上沉积VO_2超薄薄膜.实验以高纯金属V棒为蒸发源,高纯氧气作为反应气体,固定生长温度330℃,氧压2×10^(-6)mbar,然后通过改变不同的V蒸发速率和生长时间制备出不同特性的VO_2薄膜.利用原... 采用电子束蒸发法(EBE)在单晶TiO_2(110)衬底上沉积VO_2超薄薄膜.实验以高纯金属V棒为蒸发源,高纯氧气作为反应气体,固定生长温度330℃,氧压2×10^(-6)mbar,然后通过改变不同的V蒸发速率和生长时间制备出不同特性的VO_2薄膜.利用原位的扫描隧道显微镜、低能电子衍射(LEED)和X线光电子能谱系统地分析所得样品的表面形貌、结构特征以及相转变过程中的能带结构变化,并对比找出EBE制备法的最佳生长条件.结果表明,当蒸发束流固定在20nA时,LEED点阵较亮,薄膜显示出接近于原子级平滑的表面;随着生长时间的增加,表面变粗糙,点阵变暗,V的价态逐渐降低,从+5价过渡到+3价;在薄膜厚度接近10个原子层时,薄膜存在金属-绝缘体相变行为. 展开更多

关键词 VO2薄膜 金属-绝缘体相变 电子束蒸发法 扫描隧道显微镜 低能电子衍射 X线光电子能谱

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VO_2纳米线的CVD,水热制备及结构形貌表征 被引量：1

15

作者 张旗 《吉林师范大学学报（自然科学版）》 2010年第3期12-15,共4页

我们采用CVD法,生长出高展弦比的VO2纳米线,并对其形貌、结构进行了表征,讨论了其生长机制.CVD方法生长的VO2纳米线沿着[100]的方向生长,且粗细均匀,具有较高的长径比,表面缺陷少,形貌均一,为制备以之为基元的光电传感器件打下了良好的... 我们采用CVD法,生长出高展弦比的VO2纳米线,并对其形貌、结构进行了表征,讨论了其生长机制.CVD方法生长的VO2纳米线沿着[100]的方向生长,且粗细均匀,具有较高的长径比,表面缺陷少,形貌均一,为制备以之为基元的光电传感器件打下了良好的材料基础.同时对比采用水热方法合成的VO2纳米线,探讨了两种方法生成产物在形貌上的差别及对器件性能可能产生的影响. 展开更多

关键词 二氧化钒纳米线 CVD 水热合成 金属-绝缘体相变 MIT

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沉积氧压对二氧化钒薄膜结构、光电性能及其MIT相变特性的影响研究 被引量：1

16

作者 陶欣 陆浩 +2 位作者 李派 卢寅梅 何云斌 《材料科学》 2018年第5期573-581,共9页

本工作中我们采用脉冲激光沉积法,以金属钒靶作为烧蚀靶材、高纯氧气作为反应气体,通过改变薄膜生长时的氧压,在TiO2 (110)衬底上制备VO2薄膜。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱分析仪、紫外-可见-近红外光谱测试仪、四探针测试仪系统... 本工作中我们采用脉冲激光沉积法,以金属钒靶作为烧蚀靶材、高纯氧气作为反应气体,通过改变薄膜生长时的氧压,在TiO2 (110)衬底上制备VO2薄膜。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱分析仪、紫外-可见-近红外光谱测试仪、四探针测试仪系统测试并研究了薄膜生长氧压对VO2薄膜的结构、成分、光学性能及金属-绝缘体相变特性的影响。实验结果表明:不同氧压下制备的VO2薄膜(011)晶面X射线衍射摇摆曲线半高宽都很小(在0.12?~0.27?范围),表明薄膜的面外取向度很高;当氧压为6.5 Pa时,制备的VO2薄膜摇摆曲线半高宽最小(0.116?),相变前后薄膜对太阳能调制最大、其电阻开关比达到4个数量级,薄膜相变温度接近63℃,金属-绝缘体转变特性显著。 展开更多

关键词 VO2薄膜 金属-绝缘体相变 脉冲激光沉积法

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太赫兹瞬态光谱研究La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_(3)薄膜的温度相关相变

17

作者 李高芳 许艳霞 +5 位作者 刘现款 马国宏 高艳卿 崔昊杨 黄志明 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期490-495,共6页

利用太赫兹瞬态光谱研究了La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_(3)薄膜的热力学性质。La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_(3)薄膜的金属-绝缘体相变温度在260 K左右,与铁磁-顺磁相变温度几乎相同。结果表明,La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_(3)薄膜的电导率与薄膜中磁矩取向密... 利用太赫兹瞬态光谱研究了La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_(3)薄膜的热力学性质。La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_(3)薄膜的金属-绝缘体相变温度在260 K左右,与铁磁-顺磁相变温度几乎相同。结果表明,La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_(3)薄膜的电导率与薄膜中磁矩取向密切相关。研究发现在40∼200 K的低温范围内,La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_(3)薄膜的电导率可以用Drude模型拟合,在210∼290 K的高温范围内可以用Drude-Lorentz模型拟合。 展开更多

关键词 金属-绝缘体相变 铁磁-顺磁相变 太赫兹电导率 La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_(3)薄膜

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基于VO_2相变实现太赫兹波段宽带抗反射

18

作者 刘俊星 索鹏 +2 位作者 傅吉波 薛新 马国宏 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期189-192,共4页

提出利用VO_2薄膜匹配空气-介质界面,基于温度诱导VO_2的绝缘体-金属相变,实现太赫兹波段的宽带抗反射,并对温度依赖的宽带抗反射进行系统讨论.这一研究结果具有普适性,既适用于光学器件界面间的抗反射研究,也可用于微波波段的抗反射设计.

关键词 光学 抗反射 金属-绝缘体相变 太赫兹波 二氧化钒 光学界面 阻抗匹配

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沉积氧压对RuVO2合金薄膜结构及MIT特性的影响研究

19

作者 曹瑞琦 陆浩 +4 位作者 陶欣 王歆茹 李派 卢寅梅 何云斌 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 2020年第3期247-252,258,共7页

本工作采用脉冲激光沉积法,以c-Al2O3为衬底,金属钌(Ru)镶嵌金属钒(V)圆片作为靶材,高纯氧气为反应气体,在不同沉积氧压下制备出一系列RuVO2合金薄膜.采用XRD、XPS、紫外-可见-近红外光谱仪、四探针测试仪等表征了薄膜的结构、成分及光... 本工作采用脉冲激光沉积法,以c-Al2O3为衬底,金属钌(Ru)镶嵌金属钒(V)圆片作为靶材,高纯氧气为反应气体,在不同沉积氧压下制备出一系列RuVO2合金薄膜.采用XRD、XPS、紫外-可见-近红外光谱仪、四探针测试仪等表征了薄膜的结构、成分及光电性能.实验结果表明:在不同沉积氧压下,薄膜均沿(010)晶面高度取向生长,薄膜的摇摆曲线半高宽在0.050°~0.091°之间,薄膜具有良好的结晶质量.低氧压(1.5 Pa)下制备的RuVO2薄膜成分严重偏离化学计量比而含有大量O空位缺陷.随着沉积氧压增大,薄膜化学成分接近化学计量比2∶1;在大于2.4 Pa氧压条件下制备的薄膜都表现出显著的MIT特性,薄膜相变温度在50~55℃之间,在相变前后电阻率发生3个数量级的突变,同时对红外光展现出良好的调制能力,最高可达17%.氧压太高将降低薄膜沉积速率而不利于薄膜生长. 展开更多

关键词 RuVO2合金薄膜 金属-绝缘体相变 脉冲激光沉积法 智能窗涂层

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MBE技术蓝宝石衬底上生长VO_2薄膜及其太赫兹和金属–绝缘体相变特性研究（英文） 被引量：3

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作者 孙洪君 王敏焕 +3 位作者 边继明 苗丽华 章俞之 骆英民 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期437-442,共6页

采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO_2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15~60 nm精确控制。对于优化条件下VO_2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属–绝缘体相变,近似于之前报道高质... 采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO_2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15~60 nm精确控制。对于优化条件下VO_2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属–绝缘体相变,近似于之前报道高质量单晶VO_2相变特性。特别是通过太赫兹时域光谱分析了不同厚度的VO_2薄膜在太赫兹波段的光学特性。结果表明:VO_2薄膜的厚度对其在太赫兹波段的光学特性有很大影响。因此,为了获得更优的可靠性和重复性能,VO_2薄膜的厚度必须得到精确控制。本研究结果对于下一步VO_2基太赫兹器件研究具有重要意义。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 太赫兹时域光谱 分子束外延 金属–绝缘体相变

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