期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
C/SiC复合材料表面高温瞬态温度传感器的研究 被引量：14
1
作者 崔云先 杨琮 +2 位作者 薛生俊 殷俊伟 杜鹏 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期163-171,共9页
针对C/SiC复合材料制造的航空发动机热端部件瞬时表面温度监测困难的问题,研究了一种C/SiC复合材料瞬时表面温度测量方法。采用磁控溅射法结合电镀工艺在C/SiC复合材料表面沉积了Ni-Cr-ZrO_2复合过渡层,采用磁控溅射法在Ni-Cr-ZrO_2复... 针对C/SiC复合材料制造的航空发动机热端部件瞬时表面温度监测困难的问题,研究了一种C/SiC复合材料瞬时表面温度测量方法。采用磁控溅射法结合电镀工艺在C/SiC复合材料表面沉积了Ni-Cr-ZrO_2复合过渡层,采用磁控溅射法在Ni-Cr-ZrO_2复合过渡层上依次制备了SiO_2绝缘膜、NiCr/NiSi薄膜热电偶和SiO_2保护膜。对不同厚度SiO_2绝缘膜的绝缘性能进行研究,结果表明3μm厚的SiO_2薄膜绝缘电阻值可达1.64×10~9Ω。对传感器静态性能的实验研究结果表明,在50～600℃,塞贝克系数为42.1μV/℃,非线性误差1.52%。用理论计算与实验结合的方式对传感器的动态性能进行了研究,结果表明,传感器的动态响应时间在微秒级,可实现瞬态温度测试。对传感器进行测温实验,结果表明传感器能满足室温～600℃范围内瞬态温度检测的需求。 展开更多
关键词 瞬态温度 金属过渡层 薄膜热电偶 动态性能
下载PDF
金属过渡层类型对非晶碳膜结构性能的影响 被引量：8
2
作者 李蕾 郭鹏 +3 位作者 刘林林 孙丽丽 柯培玲 汪爱英 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期331-338,共8页
采用直流磁控溅射技术制备不同金属过渡层(Cr,Ti,W)的类石墨非晶碳膜(GLC),研究过渡层类型对非晶碳膜微结构的影响,并考察其在人工海水中摩擦性能的变化。研究结果表明:Cr/GLC薄膜sp2杂化键含量最高,沿GLC表面到铬碳界面方向,sp2杂化键... 采用直流磁控溅射技术制备不同金属过渡层(Cr,Ti,W)的类石墨非晶碳膜(GLC),研究过渡层类型对非晶碳膜微结构的影响,并考察其在人工海水中摩擦性能的变化。研究结果表明:Cr/GLC薄膜sp2杂化键含量最高,沿GLC表面到铬碳界面方向,sp2杂化键含量逐渐增大,Ti过渡层和W过渡层的sp2杂化键含量变化不明显。Cr/GLC薄膜较高的sp2杂化键含量有助于其在摩擦过程中产生可以充当润滑相的石墨化转化摩擦转移膜。在三种涂层中,Cr/GLC薄膜表现出最高的腐蚀电位–0.16 V和最低的腐蚀电流密度4.42?10–9 A/cm2。因此相较于Ti,W作过渡层的GLC薄膜,Cr/GLC薄膜在海水环境下表现出优异的摩擦学特性。 展开更多
关键词 海水 类石墨非晶碳膜(GLC) 金属过渡层 电子能量损失谱(EELS)
下载PDF
利用金属过渡层低温键合硅晶片 被引量：6
3
作者 张小英 陈松岩 +2 位作者 赖虹凯 李成 余金中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期213-216,共4页
在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(X... 在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度. 展开更多
关键词 硅片键合 界面特性 金属过渡层 键合机理
下载PDF
送丝速度对6061铝合金/DP590镀锌钢CMT点塞焊接头性能的影响 被引量：2
4
作者 殷传亚 邢彦锋 +1 位作者 金光灿 许莎 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2018年第11期183-185,共3页
采用ER4043铝合金焊丝,对6061-T6铝合金和DP590镀锌钢板进行了冷金属过渡（CMT）点塞焊试验。通过改变送丝速度得到了不同的焊接试样,并对试样金属过渡层的微观组织和力学性能进行了分析测试。结果表明：金属过渡层的厚度与焊接热输入... 采用ER4043铝合金焊丝,对6061-T6铝合金和DP590镀锌钢板进行了冷金属过渡（CMT）点塞焊试验。通过改变送丝速度得到了不同的焊接试样,并对试样金属过渡层的微观组织和力学性能进行了分析测试。结果表明：金属过渡层的厚度与焊接热输入有关。随着送丝速度的增加,焊接热输入增加,金属过渡层的厚度增大;靠近铝一侧的过渡层金属间化合物主要是Fe Al3,而靠近钢板一侧的金属间化合物主要是Fe2Al5。接头的拉伸载荷随金属过渡层厚度的增大先增加,当金属过渡层的厚度达到16.71μm时,拉伸载荷急剧下降。为保证铝钢焊接的强度,金属过渡层的厚度必须保持在适当的范围内。 展开更多
关键词 冷金属过渡 送丝速度 金属过渡层
下载PDF
金属过渡层增强金刚石薄膜场发射性能的机理研究 被引量：1
5
作者 张宇 杨武霖 +3 位作者 符立才 朱家俊 李德意 周灵平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期3433-3438,共6页
以金属钛和钨为过渡层,采用HFCVD法在硅基上制备金刚石薄膜,并对薄膜的场发射特性进行分析研究。结果表明,金属过渡层对金刚石薄膜场发射性能有显著的增强作用。以金属钨为过渡层时,金刚石薄膜的场发射开启场强为5.4V/μm,比无过渡层降... 以金属钛和钨为过渡层,采用HFCVD法在硅基上制备金刚石薄膜,并对薄膜的场发射特性进行分析研究。结果表明,金属过渡层对金刚石薄膜场发射性能有显著的增强作用。以金属钨为过渡层时,金刚石薄膜的场发射开启场强为5.4V/μm,比无过渡层降低了44%;场发射电流密度在电场强度为8.9V/μm时可达到1.48mA/cm^2。通过对薄膜结构表征可知,场发射性能增强主要与界面处电子运输势垒的降低及薄膜中sp^2 C含量的增加有关,在界面处及金刚石膜内形成良好的导电通道,使电子更容易运输至薄膜表面,从而表现出优异的场发射性能。 展开更多
关键词 金属过渡层 金刚石薄膜 导电通道:场发射性能
原文传递
GaN基LED与Si键合技术的研究 被引量：1
6
作者 阮育娇 张小英 +3 位作者 陈松岩 李成 赖虹凯 汤丁亮 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1202-1205,共4页
采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现... 采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。 展开更多
关键词 晶片键合 金属过渡层 激光剥离 GAN基LED
原文传递
SHS复合管接合界面结构及性能研究
7
作者 张浩 崔健 孟庆森 《焊接》 北大核心 2005年第10期17-19,共3页
采用Al-Fe2O3-CrO3-Ti燃烧体系,制备出含有FeTi,FeCr,FeAl金属间化合物的金属过渡层与陶瓷层 双层复合结构的复合管。研究发现:利用金属间化合物作为梯度过渡层,使得基体与内衬层形成牢固的冶金结合, 提高了结合强度;同时,高硬度的金属... 采用Al-Fe2O3-CrO3-Ti燃烧体系,制备出含有FeTi,FeCr,FeAl金属间化合物的金属过渡层与陶瓷层 双层复合结构的复合管。研究发现:利用金属间化合物作为梯度过渡层,使得基体与内衬层形成牢固的冶金结合, 提高了结合强度;同时,高硬度的金属过渡层与陶瓷层组成的双层复合结构使复合管的使用寿命和安全稳定性显 著提高。 展开更多
关键词 SHS 复合管 接合界面结构 金属过渡层 陶瓷层双层 使用寿命 安全稳定性 自蔓延高温合成方法 结合强度
下载PDF
Si/Si低温键合界面的XPS研究
8
作者 张小英 阮育娇 +3 位作者 陈松岩 王元樟 甘亮勤 杜旭日 《厦门理工学院学报》 2010年第3期20-23,共4页
利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大.
关键词 硅片键合 XPS 金属过渡层 键合机理
下载PDF
金属薄膜/有机材料基体系激光刻蚀研究(英文) 被引量：3
9
作者 王瑞 陈学康 +3 位作者 任妮 吴敢 杨建平 曹生珠 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S2期240-242,共3页
激光刻蚀技术用于卫星天线的制造,用于刻蚀由不同材料体系组成天线表面的金属薄膜,由于金属、有机材料各层对激光的热和光物理特性存在很大的差异,因而每层材料的物理特性对激光刻蚀的结果产生影响。基于在多层材料表面金属薄膜激光刻... 激光刻蚀技术用于卫星天线的制造,用于刻蚀由不同材料体系组成天线表面的金属薄膜,由于金属、有机材料各层对激光的热和光物理特性存在很大的差异,因而每层材料的物理特性对激光刻蚀的结果产生影响。基于在多层材料表面金属薄膜激光刻蚀的物理机制,通过讨论和分析实验结果,发现激光刻蚀的物理过程主要受有机材料和金属薄膜之间界面效应的影响,为获得锐利和对有机材料无损伤的刻蚀效果,在金属薄膜和有机材料之间增加厚度约为200 nm的Cr过渡层可提高激光刻蚀的质量,而界面处的有机过渡层应选择对刻蚀激光波长高透过率的材料。 展开更多
关键词 激光刻蚀 界面效应 金属薄膜过渡层
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部