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金属硫属化合物纳米材料制备方法的研究进展 被引量:1
1
作者 吕朝霞 刘淑萍 《化学工程师》 CAS 2006年第9期50-52,共3页
金属硫属化合物纳米材料是目前一类非常有发展前途的新材料。本文对金属硫属化合物纳米材料制备方法进行介绍和评述,并提出了它的发展方向。
关键词 金属化合物 纳米材料 制备方法 评述 发展方向
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一个新的K/Pd/Se体系中四金属硒化物的合成与结构表征(英文)
2
作者 金康雨 李宣镐 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2009年第3期25-30,共6页
采用水热法合成一个新的K/Pd/Se四金属硒化物.K4Pd12Se20(Ⅰ)通过K2PdCl4,K2Se2以及六次甲基四胺(HMT)在110℃以1∶4∶2摩尔比水热反应制得.黑色晶体(Ⅰ)不溶于水和多数有机溶剂.化合物属正交空间群Pbca,晶胞参数a=10.840(1),b=25.735(2... 采用水热法合成一个新的K/Pd/Se四金属硒化物.K4Pd12Se20(Ⅰ)通过K2PdCl4,K2Se2以及六次甲基四胺(HMT)在110℃以1∶4∶2摩尔比水热反应制得.黑色晶体(Ⅰ)不溶于水和多数有机溶剂.化合物属正交空间群Pbca,晶胞参数a=10.840(1),b=25.735(2),c=30.554(2),V=8523.4(9)3,Z=8.K4Pd12Se20有一个新型簇状阴离子[Pd12Se8(Se2)6]4-和四个抗衡K+阳离子组成.[Pd12Se8(Se2)6]4-阴离子簇是第一个结构全新的多核Pd多硒化物簇.所有12个Pd(Ⅱ)金属离子都是平面几何构型由八个(Se2-)和6个(Se22-)离子配体连接形成大球形[Pd12Se8(Se2)6]4-阴离子簇.值得注意的是,4个K+中的一个是位于[Pd12Se8(Se2)6]4-离子簇中间的空穴位置的. 展开更多
关键词 金属硒化 金属化合物 硒化钯 多硒化钯 水热合成
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Synthesis and Re-refinement of Cu_3PSe_4
3
作者 马宏伟 郭国聪 +4 位作者 周国伟 王明盛 林善伙 董振超 黄锦顺 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第3期288-291,共4页
The title compound Cu3PSe4 was synthesized by the reaction of CuCl, P2Se5 and Se in a molar ratio of 1:1:1 at 500 C and structurally characterized by X-ray crystallography. The crystal belongs to orthorhombic, space g... The title compound Cu3PSe4 was synthesized by the reaction of CuCl, P2Se5 and Se in a molar ratio of 1:1:1 at 500 C and structurally characterized by X-ray crystallography. The crystal belongs to orthorhombic, space group Pmn21 with cell parameters: a = 7.685(2), b = 6.656(1), c = 6.377(1) , V = 326.2(1) 3, Z = 2, Dc = 5.472 g/cm3, Mr = 537.43, F(000) = 476, m = 32.12 mm-1, R = 0.0642, wR = 0.1481 and S = 1.037. The 3-D structure can be regarded as constructed from the alternately stacking of [Cu(2)Se4] tetrahedral layers and Cu(1)PSe tetrahedral layers along the b direction, in which the Cu(2)Se layer is comprised of corner-sharing [Cu(2)Se4] tetrahedra along the a and c directions, and the Cu(1)PSe layer is consisted of alternately corner-sharing [Cu(1)Se4] tetrahedra and [PSe4] tetrahedra along the a and c directions. 展开更多
关键词 solid state reaction normal tetrahedral structure metal chalcogenophosphide
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二维材料双电层场晶体管的研究 被引量:9
4
作者 何学侠 刘富才 +1 位作者 曾庆圣 刘政 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第9期924-935,共12页
近年来,二维材料特别是二维过渡金属硫属化合物材料作为一个新兴研究领域引起了人们极大的兴趣,它们也被认为是基于石墨烯电子器件的补充材料.过渡金属硫属化合物之所以能引起人们强烈的兴趣,在于它们奇特的性质以及其在催化,能量存贮,... 近年来,二维材料特别是二维过渡金属硫属化合物材料作为一个新兴研究领域引起了人们极大的兴趣,它们也被认为是基于石墨烯电子器件的补充材料.过渡金属硫属化合物之所以能引起人们强烈的兴趣,在于它们奇特的性质以及其在催化,能量存贮,电子,光电等领域的广泛应用.自2007年开始,双电层离子液体晶体管技术被广泛的应用于有机和无机材料包括过渡金属硫属化合物材料以修饰或者调控这类材料的电性质.基于这种双电层晶体管技术,材料的迁移率,操作电压等被进一步改善,绝缘-金属相变,超导甚至是铁磁性质也被实现.本工作将综述双电层离子液体晶体管技术对二维材料的调控性能和简要展望其今后的发展方向. 展开更多
关键词 双电层晶体管 场效应晶体管 离子液体 二维材料 过渡金属化合物 超导
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铜钱状二硫化钒的制备及储钠性能研究 被引量:6
5
作者 李攀 刘建 +2 位作者 孙惟袆 陶占良 陈军 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第4期286-291,共6页
钠离子电池因地壳中丰富的钠资源以及金属钠与金属锂之间具有相似的物化性质等特点,成为后锂时代电池的候选者之一,然而较大的钠离子半径影响了其体系的动力学性能及离子迁移速率,因此寻找合适的电极材料成为其发展的关键.二硫化钒作为... 钠离子电池因地壳中丰富的钠资源以及金属钠与金属锂之间具有相似的物化性质等特点,成为后锂时代电池的候选者之一,然而较大的钠离子半径影响了其体系的动力学性能及离子迁移速率,因此寻找合适的电极材料成为其发展的关键.二硫化钒作为过渡金属硫属化合物,具有类石墨烯的层状结构,为钠离子的储存提供了足够的空间,同时其出色的导电性能也为其作为高性能钠离子电池的电极材料提供了保证.利用水热法与超声剥离法,可控制备出三种堆叠密度不同的铜钱状二硫化钒(VS2-Long、VS_2-Middle、VS_2-Short),并将其用于储钠性能研究.结果表明,堆叠程度最低的VS_2-Short因其形貌结构特点而拥有较多的活性位点及较高结构稳定性,在100 mA·g^(-1)的电流密度下,循环300圈后容量高达410 mAh·g^(-1);电流密度为2000 mA·g^(-1),可逆容量仍高达333 mAh·g^(-1).此外,还研究了二硫化钒作为钠离子电池电极材料的储能机制,通过非原位X射线粉末衍射(XRD)及透射电子显微镜(TEM)观测发现:放电过程中,电压在2.5~1.0 V发生嵌钠反应生成NaxVS_2,之后逐渐开始转化反应生成Na_2S和V;充电时Na_2S和V转化生成NaxVS_2,并最终脱钠生成VS_2,即在0.2~2.5 V间VS_2表现为嵌入转化的储钠机制. 展开更多
关键词 钠离子电池 过渡金属化合物 化钒 电极材料
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基于二维过渡金属硫属化合物的气体传感器研究进展
6
作者 吴家隐 陈浩东 +1 位作者 梁同乐 刘志发 《长江信息通信》 2024年第6期4-8,共5页
电化学传感器通过检测电学参数的变化来识别气体,从而实现气体的实时在线监测。由于其便捷性以及可接入物联网的特性,电化学传感器正逐渐成为气体传感器领域的重要发展方向。近几年,随着二硫化钼、二硫化锡、硫化亚锡以及硒化锡等二维... 电化学传感器通过检测电学参数的变化来识别气体,从而实现气体的实时在线监测。由于其便捷性以及可接入物联网的特性,电化学传感器正逐渐成为气体传感器领域的重要发展方向。近几年,随着二硫化钼、二硫化锡、硫化亚锡以及硒化锡等二维过渡金属硫属化合物的兴起,越来越多的报道证明了二维过渡金属硫属化合物具有制作电气体传感器敏感元件的潜力。二维过渡金属硫属化合物表面与气体分子的接触面大,且具有半导体特性。总结了近些年二维过渡金属硫属化合物的最新研究进展,介绍二维过渡金属硫属化合物与气体分子的反应机理及其优势和特点,最后对二维过渡金属硫属化合物在气体传感器中的应用进行了展望。 展开更多
关键词 二维过渡金属化合物 气体传感 化钼 化锡 化亚锡 硒化锡
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CVD法制备单层二硒化钨薄膜及其生长机制研究 被引量:1
7
作者 胡冬冬 宋述鹏 +2 位作者 刘俊男 毕江元 丁兴 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期14-19,共6页
二硒化钨(WSe2)是一种具有较高带隙的半导体材料,其结构类似于石墨烯,具有优异的光电特性,在互补逻辑电路、场效应晶体管以及气敏传感器等领域具有潜在的应用价值。本实验采用化学气相沉积法(CVD)实现了大面积、高质量单层WSe2薄膜的制... 二硒化钨(WSe2)是一种具有较高带隙的半导体材料,其结构类似于石墨烯,具有优异的光电特性,在互补逻辑电路、场效应晶体管以及气敏传感器等领域具有潜在的应用价值。本实验采用化学气相沉积法(CVD)实现了大面积、高质量单层WSe2薄膜的制备,利用XPS、AFM、Raman对薄膜进行了表征,探究了基片到钨源的距离和生长温度对样品的形貌、尺寸及形核密度的影响。从晶体生长学的角度,用不同n(W):n(Se)(■0.5,>0.5,=0.5)生长模型解释了不同形貌WSe2薄膜的生长机制,为可调控二维半导体单层薄膜制备工艺的优化提供了参考。 展开更多
关键词 二硒化钨薄膜 化学气相沉积 过渡金属化合物 晶体生长
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面向电极接触应用的二维金属性过渡金属硫属化合物的制备和器件研究进展 被引量:1
8
作者 王嘉龙 胡静怡 +3 位作者 郇亚欢 朱莉杰 崔芳芳 张艳锋 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第22期2886-2900,共15页
二维(two-dimensional,2D)层状半导体材料因具有原子级厚度、优异的光电性质和良好的热/化学稳定性等,被认为是延续摩尔定律的重要候选材料之一.基于超薄2D半导体材料构建的电子器件本质上是一种界面器件,其性能与金属-半导体接触的质... 二维(two-dimensional,2D)层状半导体材料因具有原子级厚度、优异的光电性质和良好的热/化学稳定性等,被认为是延续摩尔定律的重要候选材料之一.基于超薄2D半导体材料构建的电子器件本质上是一种界面器件,其性能与金属-半导体接触的质量密切相关.常规蒸镀法制备金属电极通常涉及高能原子(团簇)轰击,该过程往往导致沟道材料的损伤和界面缺陷的产生,使得接触质量下降,接触电阻增大,器件性能显著恶化.2D金属性过渡金属硫属化合物(metallic transition metal dichalcogenides,MTMDCs)和半导体性TMDCs具有类似的材料组成、相同的层间范德华相互作用、可兼容的制备方法等,有望作为金属-半导体接触的界面材料,有效改善接触问题.目前,面向电极接触应用的高质量2D-MTMDCs的制备与应用已取得重要进展.本文综述了近年来基于化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法制备MTMDCs的一些研究成果,包括不同材料体系的制备、结构表征以及作为电极接触的应用等,最后讨论了该领域目前存在的问题,展望了未来可能的发展方向. 展开更多
关键词 金属性过渡金属化合物 化学气相沉积 电极接触 异质界面
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过渡金属硫属化合物层间异质结构的可控制备和能源应用 被引量:4
9
作者 史建平 周协波 +1 位作者 张哲朋 张艳锋 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第20期2180-2194,共15页
随着石墨烯及其优异性质被发现以来,二维层状材料成为了材料科学领域研究的热点.二维层状材料每个片层内的原子通过化学键连接,片层间以弱范德华力相互堆垛.这种几何结构使得二维层状材料在晶格不匹配和生长方法不兼容的情况下,彼此之... 随着石墨烯及其优异性质被发现以来,二维层状材料成为了材料科学领域研究的热点.二维层状材料每个片层内的原子通过化学键连接,片层间以弱范德华力相互堆垛.这种几何结构使得二维层状材料在晶格不匹配和生长方法不兼容的情况下,彼此之间仍然能够相互混合和匹配,从而衍生出很多范德华层间异质结构.这种异质结构利用了不同堆垛材料迥异的物理和化学性质,在电子、光电子器件、可再生能源储存和转化等领域得到了广泛的应用.需要指出的是,大面积、大畴区、可控制备本征层间异质结构是实现其实际应用的首要条件.本文总结了基于过渡金属硫属化合物(MX_2)和石墨烯(graphene)层间异质结构的最新研究成果,重点描述了MX_2/graphene和MX_2/MX_2层间异质结构的化学气相沉积(CVD)可控制备、新奇物理性质探索以及这两类异质结构在能源领域(电/光催化析氢反应)中的应用,并讨论了所存在的问题和未来发展方向. 展开更多
关键词 石墨烯 过渡金属化合物 层间异质结构 电催化析氢反应 光催化析氢反应
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二维金属性过渡金属硫属化合物的可控制备和潜在应用 被引量:4
10
作者 郇亚欢 朱莉杰 +1 位作者 李宁 张艳锋 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期34-52,共19页
二维金属性过渡金属硫属化合物(metal transition metal dichalcogenides,MTMDCs)由于其独特的物性(如电荷密度波相转变、超导和磁性等),以及在先进纳米电子学和能源相关领域的应用潜力而受到研究者的广泛关注.为了实现基本物性研究和... 二维金属性过渡金属硫属化合物(metal transition metal dichalcogenides,MTMDCs)由于其独特的物性(如电荷密度波相转变、超导和磁性等),以及在先进纳米电子学和能源相关领域的应用潜力而受到研究者的广泛关注.为了实现基本物性研究和多方面的应用探索,化学气相沉积(CVD)技术被引入到高质量二维MTMDCs材料的制备中,成功地合成了厚度可调的超薄MTMDCs纳米片、大面积均匀的超薄薄膜、垂直取向的纳米片阵列和高质量的纳米片粉体等.CVD方法可以兼顾大畴区、层厚可调和高晶体质量的材料制备需求,还能与目前的半导体工艺相兼容,因而受到人们广泛关注.二维MTMDCs材料具有高的电导率,可以作为单层/少层半导体性过渡金属硫属化合物(transition metal dichalcogenides,TMDCs)的电极材料,改善晶体管器件的电极接触,从而提升器件性能.此外,二维MTMDCs纳米片也可作为高效的催化剂应用于电化学析氢反应,其催化性能显著优于单层/少层MoS2等半导体性TMDCs催化剂.本文综述了二维MTMDCs材料的CVD制备方法和新奇物理特性,以及其在场效应晶体管、电催化析氢应用中的研究进展;最后讨论了相关领域存在的问题和未来发展方向. 展开更多
关键词 金属性过渡金属化合物 化学气相沉积 异质结 场效应晶体管 电催化析氢反应
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二维原子层谷电子学材料和器件 被引量:4
11
作者 孙真昊 管鸿明 +2 位作者 付雷 沈波 唐宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期149-161,共13页
人为操控电子的内禀自由度是现代电子器件的核心和关键.如今电子的电荷和自旋自由度已经被广泛地应用于逻辑计算与信息存储.以二维过渡金属硫属化合物为代表的二维原子层材料由于其具有独特的谷自由度和优异的物理性质,成为了新型谷电... 人为操控电子的内禀自由度是现代电子器件的核心和关键.如今电子的电荷和自旋自由度已经被广泛地应用于逻辑计算与信息存储.以二维过渡金属硫属化合物为代表的二维原子层材料由于其具有独特的谷自由度和优异的物理性质,成为了新型谷电子学器件研究的优选材料体系.本文介绍了能谷的基本概念、谷材料的基本物理性质、谷效应的调控和谷电子学器件的研究进展,并对谷电子学材料和器件的研究进行了总结与展望. 展开更多
关键词 二维过渡金属化合物 谷电子学
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二维TMDs析氢催化剂的改性和耦合产电研究进展
12
作者 严文思 由颖琪 +2 位作者 赵雪婷 汪海东 李雷 《化学研究与应用》 CAS 北大核心 2023年第8期1818-1826,共9页
二维过渡金属硫属化合物(2D TMDs)具有比表面积大和电子结构可调的优点,被认为是电催化析氢反应(HER)最具前景的非贵金属催化材料。而纯的2D TMDs的活性位点数量有限且电导率不够高,通过对其进行有效改性,可优化氢吸附自由能、提高导电... 二维过渡金属硫属化合物(2D TMDs)具有比表面积大和电子结构可调的优点,被认为是电催化析氢反应(HER)最具前景的非贵金属催化材料。而纯的2D TMDs的活性位点数量有限且电导率不够高,通过对其进行有效改性,可优化氢吸附自由能、提高导电率、增加催化剂活性位点数量以提升本征催化性能。本文综述了对近年来2D TMDs基电催化剂在HER中的应用研究进展,以促进电解水制氢的进一步发展。重点分析了改性策略及相应的制备方法、电解水析氢性能与影响机制以及耦合产电应用进展,最后对2D TMDs在HER及耦合产电应用中面临的挑战进行分析与展望。 展开更多
关键词 二维过渡金属化合物 改性策略 析氢反应 电解水 耦合产电
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二维过渡金属硫属化合物氧还原反应催化剂的研究进展 被引量:2
13
作者 孙炼 顾全超 +3 位作者 杨雅萍 王洪磊 余金山 周新贵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期697-709,共13页
氧还原(ORR)反应是燃料电池等清洁能源阴极的关键反应,其反应动力学复杂,阴极需使用Pt等贵金属催化剂。然而Pt价格昂贵,且载体炭黑在高电位环境下稳定性欠佳,导致电池部件成本高且寿命短。二维过渡金属硫属化合物(2D TMDs)具有高比表面... 氧还原(ORR)反应是燃料电池等清洁能源阴极的关键反应,其反应动力学复杂,阴极需使用Pt等贵金属催化剂。然而Pt价格昂贵,且载体炭黑在高电位环境下稳定性欠佳,导致电池部件成本高且寿命短。二维过渡金属硫属化合物(2D TMDs)具有高比表面积与可调节的电学性能,且稳定性强,有望在维持活性的同时提高燃料电池阴极的耐久性。本文梳理了近年来2D TMDs在ORR催化剂领域的最新研究进展:首先概述了2D TMDs的结构、性质及ORR反应机理;其次分析了调控2D TMDs的ORR性能策略,包括异质元素掺杂、相转变、缺陷工程与应力工程等,介绍了2D TMDs基异质结构对ORR性能的提升作用;最后,针对该领域目前存在的挑战进行展望与总结。 展开更多
关键词 氧还原反应 二维材料 过渡金属化合物 电催化 综述
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二维过渡金属硫属化合物的激光发射 被引量:1
14
作者 郑婷 南海燕 +1 位作者 吴章婷 倪振华 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第4期41-50,共10页
以二硫化钼(MoS_2)为代表的二维过渡金属硫属化合物(TMDs)具有随厚度/层数变化的光学和电学性质,并且展示出独特的激子效应和较高的光学量子产率,在光电子器件中具有很好的应用前景。近年来,基于TMDs材料的光学性质和光电子器件的研究... 以二硫化钼(MoS_2)为代表的二维过渡金属硫属化合物(TMDs)具有随厚度/层数变化的光学和电学性质,并且展示出独特的激子效应和较高的光学量子产率,在光电子器件中具有很好的应用前景。近年来,基于TMDs材料的光学性质和光电子器件的研究进展迅速,如通过电场、化学掺杂、缺陷等方式实现了对其光致发光(PL)的调控,并极大地提高了PL发射量子产率;基于TMDs边带异质结和垂直异质结的LEDs被广泛研究并获得了较高的光发射效率;以TMDs作为增益介质,并将其与微盘、光子晶体空腔等耦合实现了低阈值激光发射。从TMDs的结构和光学性质出发,总结了TMDs材料PL的调控手段及效果,并介绍TMDs中激光发射的研究进展,最后对基于TMDs的激光发展进行了展望。 展开更多
关键词 材料 激光 过渡金属化合物 荧光
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二维过渡金属硫属化合物的大面积制备与应用研究进展
15
作者 杨鹏飞 石雨萍 张艳锋 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期504-522,共19页
二维过渡金属硫属化合物(TMDs)因具有可调带隙、谷电子学性质和高催化活性等优点,在电子学、光电子学和能源相关领域受到广泛关注.为了实现以上应用,实现大面积、厚度均匀TMDs薄膜的批量制备至关重要.化学气相沉积法(CVD)是制备大面积... 二维过渡金属硫属化合物(TMDs)因具有可调带隙、谷电子学性质和高催化活性等优点,在电子学、光电子学和能源相关领域受到广泛关注.为了实现以上应用,实现大面积、厚度均匀TMDs薄膜的批量制备至关重要.化学气相沉积法(CVD)是制备大面积均匀、高质量二维材料普遍使用的方法.本文从前驱体的供给和衬底的设计两个角度,总结了目前合成大面积TMDs薄膜的CVD方法,并讨论了高质量TMDs的生长机制和参数优化方法;介绍了高质量TMDs在电子学、光电子学和电/光催化等方面的应用;讨论了目前合成大面积均匀、高质量TMDs所面临的挑战,并对该领域的发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 过渡金属化合物 化学气相沉积 大面积 电化学
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二维单层硒化钼和硒化钨晶体的声子辅助上转换荧光光谱
16
作者 徐伟高 赵琰媛 +2 位作者 申超 张俊 熊启华 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第9期959-964,共6页
声子辅助的上转换荧光是固体激光制冷效应的基础.激光制冷具有体积小、效率高、无振动干扰、无需制冷剂等优势而具有重要应用价值,探索更多可以实现激光制冷效应的材料是相关领域的重要研究内容.二维单层过渡金属硫属半导体化合物是直... 声子辅助的上转换荧光是固体激光制冷效应的基础.激光制冷具有体积小、效率高、无振动干扰、无需制冷剂等优势而具有重要应用价值,探索更多可以实现激光制冷效应的材料是相关领域的重要研究内容.二维单层过渡金属硫属半导体化合物是直接带隙荧光材料,其完美的晶格结构、辐射光子提取效率高等特征使其有望成为一种新型激光制冷材料.以Mo Se2和WSe2为例,本文研究了不同波长激发下样品的上转换荧光,并通过激光功率依赖性实验和温度依赖性实验证实了该上转换荧光过程的发光机制为声子辅助过程. 展开更多
关键词 二维单层晶体 过渡金属化合物 上转换荧光光谱 激光制冷
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含异主族金属硫属化合物(1,2-dap)_2InAsSeS_3的溶剂热合成及晶体结构
17
作者 陈娟 杜翠霞 白音孟和 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期2588-2592,2609,共6页
采用溶剂热合成法合成含有异主族金属的硫属化合物(1,2-dap)_2InAsSeS_3(1,2-dap:1,2-丙二胺),且该化合物同时含有两种硫族元素。本文对该化合物进行单晶X-射线衍射分析、粉末X射线衍射(XRD)、红外光谱分析(IR)、差热-热重(TG-DSC)分析... 采用溶剂热合成法合成含有异主族金属的硫属化合物(1,2-dap)_2InAsSeS_3(1,2-dap:1,2-丙二胺),且该化合物同时含有两种硫族元素。本文对该化合物进行单晶X-射线衍射分析、粉末X射线衍射(XRD)、红外光谱分析(IR)、差热-热重(TG-DSC)分析等表征。单晶X-射线衍射分析表明该化合物属于四方晶系,空间群为P42bc,a=1.41178(12)nm,b=1.41178(12)nm,c=1.6220(4)nm,Z=8。标题化合物为零维簇状结构,是由AsS_2(S/Se)_2四面体与InS(S/Se)N_4八面体通过共边连接形成。 展开更多
关键词 异主族金属化合物 溶剂热合成法 晶体结构
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基于CVD单层MoS_2 FET的光电探测器
18
作者 战俊 粟雅娟 +2 位作者 贾昆鹏 罗军 闫祥宇 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第7期437-443,共7页
通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比... 通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比可达到105数量级,场效应迁移率约为1 cm2·V-1·s-1,栅极漏电流为10-10 A数量级;对MoS2FET器件的光电特性进行了表征,该光电探测器具有普通光电导探测器的基本光电特性,其光电流随光照强度的增强以及源漏电压的增加而增加,同时由于栅极的调制提高了光电探测器的灵活性。通过控制栅极电压能够控制MoS2FET光电探测器的暗电流大小,实现对探测器η参数的有效调制。最后通过器件能带图对MoS_2 FET光电探测器的光电特性进行了阐释,为其走向实际应用奠定了理论基础。 展开更多
关键词 化钼(MoS2) 场效应晶体管(FET) 二维(2D)半导体材料 光电探测器 过渡金属化合物(TMD)
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碲协助法制备二维过渡金属硫属化合物合金及异质结
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作者 郭鹏 段恒利 闫文盛 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1018-1024,共7页
二维过渡金属硫属化合物(TMDC)合金和异质结由于具有独特的光电性能,因而在下一代光电器件中有着广泛的应用前景.然而,如何可控地制备出二维TMDC合金和异质结是一个重大的挑战.以WS2与MoS2的异质结和合金为例,通过在钨粉中引入不同含量... 二维过渡金属硫属化合物(TMDC)合金和异质结由于具有独特的光电性能,因而在下一代光电器件中有着广泛的应用前景.然而,如何可控地制备出二维TMDC合金和异质结是一个重大的挑战.以WS2与MoS2的异质结和合金为例,通过在钨粉中引入不同含量的低熔点碲粉,有效降低了WS2的生长温度,继而调节了WS2的成核和生长速率,利用一步化学气相沉积方法,可控地制备出WS2/MoS2垂直异质结和Mo1-xWxS2合金.拉曼光谱、光致发光谱、拉曼成像和光致发光成像技术表明,制备出的WS2/MoS2垂直异质结是由单层的WS2和MoS2上下叠加而成,而在Mo1-xWxS2合金中,W的含量(x)为0.83.此研究为人们提供了一个简单、有效的可控制备二维TMDC异质结和合金的化学气相沉积方法. 展开更多
关键词 化学气相沉积 二维过渡金属化合物(TMDC) 合金 异质结
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Cu(111)衬底上单层铁电GeS薄膜的原子和电子结构研究
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作者 朱孟龙 杨俊 +5 位作者 董玉兰 周源 邵岩 侯海良 陈智慧 何军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期123-130,共8页
二维铁电材料因具有自发极化特性,在铁电场效应晶体管、非易失性存储器和传感器中具有广泛的技术和器件应用.特别是第Ⅳ主族单硫属化合物具有最高的理论预测热电特性和本征的面内铁电极化特性,适合作为探索二维铁电极化特性的模型材料.... 二维铁电材料因具有自发极化特性,在铁电场效应晶体管、非易失性存储器和传感器中具有广泛的技术和器件应用.特别是第Ⅳ主族单硫属化合物具有最高的理论预测热电特性和本征的面内铁电极化特性,适合作为探索二维铁电极化特性的模型材料.然而,由于相对大的解理能,目前不容易获得高质量和大尺寸单层第Ⅳ主族单硫属化合物,严重阻碍了这些材料应用到快速发展的二维材料及其异质结研究中.本文采用分子束外延方法在Cu(111)衬底上成功制备单层GeS.通过高分辨扫描隧道显微镜,原位X射线光电子能谱和角分辨光电子能谱以及密度泛函理论计算,对单层GeS原子晶格和电子能带结构进行了系统表征.研究结果表明:单层GeS具有正交晶格结构和近似平带的电子能带结构.单层GeS的成功制备和表征使得制备高质量和大尺寸单层第Ⅳ主族单硫属化合物成为可能,有利于该主族材料应用到快速发展的二维铁电材料以及异质结研究中. 展开更多
关键词 二维铁电 过渡金属化合物 化锗 扫描隧道显微镜 X射线光电子能谱
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