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完全有序的全同金属纳米点阵列的生长与研究
1
作者 贾金锋 薛其坤 张绳百 《中国科学院院刊》 2002年第6期433-436,共4页
利用“幻数稳定团簇+模板”方法在半导体Si(111)衬底上第一次成功地外延生长出了尺寸相同、空间分布均匀的金属纳米团簇阵列。这种方法适用于不同的金属,制备出的纳米团簇阵列热稳定性非常高。用扫描隧道显微镜(STM)原位分析结合第一性... 利用“幻数稳定团簇+模板”方法在半导体Si(111)衬底上第一次成功地外延生长出了尺寸相同、空间分布均匀的金属纳米团簇阵列。这种方法适用于不同的金属,制备出的纳米团簇阵列热稳定性非常高。用扫描隧道显微镜(STM)原位分析结合第一性原理计算确定了纳米团簇的原子结构以及阵列的形成机理。 展开更多
关键词 纳米点阵列 纳米团簇 扫描隧道显微镜 第一性原理计算 原子结构 金属生长
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直接还原过程中还原温度和还原时间对金属颗粒生长的影响研究
2
作者 米寰鹏 《山西冶金》 CAS 2024年第3期42-44,共3页
金属颗粒粒径对直接还原产物金属化率、金属与脉石分离等有重要影响,控制还原温度和还原时间是控制金属颗粒粒径最基本的两个手段。理论分析和实验研究了还原温度和还原时间在直接还原过程中对金属颗粒生长的影响规律。结果表明:提高还... 金属颗粒粒径对直接还原产物金属化率、金属与脉石分离等有重要影响,控制还原温度和还原时间是控制金属颗粒粒径最基本的两个手段。理论分析和实验研究了还原温度和还原时间在直接还原过程中对金属颗粒生长的影响规律。结果表明:提高还原温度可以提高金属颗粒的形核和长大速率;延长还原时间可以增大金属原子的扩散距离,促进金属颗粒的迁移聚集。 展开更多
关键词 温度 时间 金属颗粒生长 直接还原
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Si纳米线的生长机制及其研究进展 被引量：2
3
作者 彭英才 X.W.Zhao +1 位作者 范志东 白振华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期429-436,共8页
Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米传感器件和高效率发光器件以及集成技术中具有潜在的应用。本文以气-液-固(VLS)生长机制为主线,介绍与评... Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米传感器件和高效率发光器件以及集成技术中具有潜在的应用。本文以气-液-固(VLS)生长机制为主线,介绍与评论了近5年来Si纳米线在制备与合成技术方面所取得的一些最新进展。其主要内容包括Si纳米线的各种金属催化生长和氧化物辅助生长,最后指出了今后该研究的发展方向。 展开更多
关键词 SI纳米线 气-液-固生长 金属催化生长 氧化物辅助生长 光电器件应用
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金属诱导生长法在Ni硅化物上异质生长多晶GeSi薄膜 被引量：1
4
作者 吴贵斌 叶志镇 +2 位作者 赵星 刘国军 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期721-724,共4页
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜.利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜等对多晶GeSi薄膜的晶体质量、表面形貌进行了表征,研究了在Ni上生长多晶GeSi的生长方式及表面形貌随生... 采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜.利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜等对多晶GeSi薄膜的晶体质量、表面形貌进行了表征,研究了在Ni上生长多晶GeSi的生长方式及表面形貌随生长参数变化的规律.结果表明,在温度高于510℃时,Ni金属诱导作用明显;生长压强为10Pa时,多晶GeSi能够形成连续致密的薄膜,而采用先低压(0.1Pa)后高压(10Pa)的生长方式,多晶GeSi呈现分离的晶须状,晶须尺寸多在100nm以上. 展开更多
关键词 金属诱导生长 超高真空化学气相沉积 异质生长 NiSi化物
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金属诱导生长多晶锗硅薄膜的电学性能研究 被引量：1
5
作者 吴贵斌 叶志镇 +2 位作者 赵星 刘国军 赵炳辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期236-239,共4页
采用超高真空化学气相沉积与金属诱导相结合的方法生长多晶SiGe薄膜。530℃下,金属Ni先与SiGe反应生成Ni硅化物,直至Ni被完全消耗完,接着多晶SiGe薄膜在Ni硅化物上异质生长;首次制作了Al/PolySiGe/Ni Silicide肖特基二极管,对器件的I-V... 采用超高真空化学气相沉积与金属诱导相结合的方法生长多晶SiGe薄膜。530℃下,金属Ni先与SiGe反应生成Ni硅化物,直至Ni被完全消耗完,接着多晶SiGe薄膜在Ni硅化物上异质生长;首次制作了Al/PolySiGe/Ni Silicide肖特基二极管,对器件的I-V特性测试表明,采用这种结构制备的肖特基结在±1 V时,整流比可达到8 000,而在-2 V时反向漏电流只有10-7A,显示出很好的器件性能。 展开更多
关键词 超高真空化学气相沉积 多晶锗硅 金属诱导生长 肖特基二极管
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摄影与视频定量分析在化学实验中的应用案例
6
作者 朱彦博 余小燕 +1 位作者 凌一洲 任红艳 《化学教学》 CAS 北大核心 2021年第10期78-81,共4页
使用摄影和视频定量分析技术,可以实现对化学反应速率的定量分析,从而获得更多有价值的信息。用这种方法分析过氧化氢分解反应的速率和金属枝晶的生长速率,获得了在反应过程中速率的变化数据,有助于实验者更加深入地理解化学现象背后的... 使用摄影和视频定量分析技术,可以实现对化学反应速率的定量分析,从而获得更多有价值的信息。用这种方法分析过氧化氢分解反应的速率和金属枝晶的生长速率,获得了在反应过程中速率的变化数据,有助于实验者更加深入地理解化学现象背后的实质。 展开更多
关键词 摄影与视频定量分析技术 反应速率 过氧化氢分解 金属枝晶生长 实验探究
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