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金属氧化物半导体传感器用于甲醛现场快速检测的研究进展 被引量：2
1
作者 马祥云 王素华 《山东化工》 CAS 2022年第18期70-73,共4页
随着社会经济的不断发展和人们生活水平的提高,对室内居住环境的要求也越来越高,但是室内多种装修不可避免地导致甲醛等挥发性有机物污染,严重影响人们的健康,因此对甲醛气体的现场检测具有重要的意义。在多种检测方法中,基于金属氧化物... 随着社会经济的不断发展和人们生活水平的提高,对室内居住环境的要求也越来越高,但是室内多种装修不可避免地导致甲醛等挥发性有机物污染,严重影响人们的健康,因此对甲醛气体的现场检测具有重要的意义。在多种检测方法中,基于金属氧化物(MOS)气体传感器具有及时、快速、灵敏等特点,已成为气体污染物检测与防治领域的重要手段。综述了基于不同MOS的纳米结构用于甲醛检测的研究进展,总结了SnO_(2)、In_(2)O_(3)、ZnO、CuO及三元MOS纳米结构对甲醛检测的现状,并展望了MOS基甲醛传感器未来的发展方向。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体(mos) 甲醛 气体传感器 环境监测
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SnO_(2)气体传感器选择性改善研究进展 被引量：1
2
作者 张清 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第12期1263-1270,共8页
对金属氧化物基气体传感器在气体检测领域的优劣势进行了简单阐述,主要介绍了SnO_(2)气体传感器感知机理,归纳总结了传感器气体选择性改善方向,并对国内外研究中算法优化、掺杂贵金属、形貌构造、杂化材料、复合过滤涂层、外置过滤器等... 对金属氧化物基气体传感器在气体检测领域的优劣势进行了简单阐述,主要介绍了SnO_(2)气体传感器感知机理,归纳总结了传感器气体选择性改善方向,并对国内外研究中算法优化、掺杂贵金属、形貌构造、杂化材料、复合过滤涂层、外置过滤器等方法对于SnO_(2)气体传感器选择性提升的影响进行了评述,系统介绍了近年来SnO_(2)气体传感器在选择性改善领域的研究进展。最后,对SnO_(2)气体传感器的选择性评价标准、技术现状等应用问题进行了阐述分析,并提出该领域的研究应向着阵列式、多功能化、新材料与新工艺技术融合以及软硬件一体智能化方向发展。 展开更多
关键词 气体传感器 二氧化锡(SnO_(2)) 金属氧化物半导体(mos) 选择性 杂化材料
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使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器 被引量：2
3
作者 王少华 于光明 +1 位作者 刘勇攀 杨华中 《清华大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1123-1126,共4页
为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitallycontrolled inductor-capacitor oscillator,DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide sem... 为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitallycontrolled inductor-capacitor oscillator,DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)变容管。该结构通过将两支MOS变容管反方向串联,有效改善了非线性,从而降低了DCO的相位噪声。在中芯国际0.18μm互补MOS工艺下设计了采用背靠背串联数控MOS变容管的DCO。仿真结果表明:当该DCO振荡在3.4 GHz的中心频率时,在1.2 MHz频偏处的相位噪声为-129.4 dBc/Hz,与使用普通数控MOS变容管的DCO相比,其相位噪声最多可改善8.1 dB。 展开更多
关键词 集成电路 金属氧化物半导体(mos) 电感电容振荡器 相位噪声 变容管
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基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性 被引量：9
4
作者 覃新 朱朋 +3 位作者 徐聪 杨智 张秋 沈瑞琪 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期417-425,I0006,共10页
为了研究国产金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(Metal?Oxide?Semiconductor controlled thyristor,MCT)与高压陶瓷电容组成的电容放电单元(Capacitor Discharge Unit,CDU)的放电特性,设计制备出体积为40 mm(L)×25 mm(W)×8 mm... 为了研究国产金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(Metal?Oxide?Semiconductor controlled thyristor,MCT)与高压陶瓷电容组成的电容放电单元(Capacitor Discharge Unit,CDU)的放电特性,设计制备出体积为40 mm(L)×25 mm(W)×8 mm(H)的CDU,其回路电感约10 nH,电阻约100 mΩ。首先分析了CDU回路的R-L-C零输入响应方程,采用CDU负载短路放电实验进行验证,研究发现随着电容值的增大,CDU的峰值电流、峰值电流上升时间、高压电容的放电时间等关键参数均增大;随着放电电压的升高,峰值电流增大,峰值电流上升时间不变。采用微型爆炸箔芯片(Cu桥箔35 mΩ)和硼/硝酸钾(Boron?Potassium Nitrate,BPN)点火药(硼粉/1.50μm,压药密度/1.57 g·cm^(-3))验证了CDU的作用效能,在0.36μF/1.20 kV下,测得回路峰值电流2.032 kA,桥箔两端电压0.9273 kV,峰值电流、电压延迟时间32.4 ns,爆发点时刻168.2 ns,爆发点功率1.490 MW,且CDU能可靠进行BPN的飞片冲击点火。结果表明,基于国产MCT和高压陶瓷电容的CDU基本适用于爆炸箔起爆器等脉冲大电流激发火工品,但其综合性能仍需改进。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体(mos)控制晶闸管 电容放电单元 爆炸箔起爆器 硼/硝酸钾(BPN)点火药
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超高压线路检修作业远程遥控智能牵引装置研发
5
作者 黎国根 刘琦 《通信电源技术》 2022年第23期37-40,共4页
超高压线路检修作业中更换整串绝缘子、塔材、线路避雷器等较重器材或使用飞车修补导地线时,传统的方法是使用机动绞磨牵引,机动绞磨体积大且较为笨重,搬运困难。目前检修现场作业还停留在通过手势或喊话指挥绞磨作业的阶段,绞磨声音大... 超高压线路检修作业中更换整串绝缘子、塔材、线路避雷器等较重器材或使用飞车修补导地线时,传统的方法是使用机动绞磨牵引,机动绞磨体积大且较为笨重,搬运困难。目前检修现场作业还停留在通过手势或喊话指挥绞磨作业的阶段,绞磨声音大、塔高、信号干扰等原因导致牵引整串绝缘子、线路避雷器等容易出现误操作情况,造成塔上人员就位难或出现误伤现象。针对存在的问题,通过创新结构设计、控制机构设计及直流电机驱动设计,研制了一种适用于超高压线路检修作业的远程遥控智能牵引装置。该牵引装置体积小、质量轻,使用无线遥控与无线传感监控主机的运行状态,针对过载或异常状态提前做出预警,监测数据与控制系统联动,能够实现远程遥控。 展开更多
关键词 牵引装置 射频传输 双电源切换 金属氧化物半导体(mos)管并联 异常保护
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基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能
6
作者 夏经华 桑玲 +5 位作者 查祎英 杨霏 吴军民 王世海 万彩萍 许恒宇 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第9期714-719,共6页
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容... 提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容,对制备的AlON/4H-SiC MOS电容进行了高-低频电容-电压特性测试,并开展了介质零时击穿(TZDB)实验。发现当PDA温度为800℃时,得到的AlON/4H-SiC MOS电容有着较低的界面态密度、栅极电流密度和较高的介电击穿电场强度,表明经过合适的PDA工艺后,基于AlON高k栅介质材料的4H-SiC MOS器件栅介质的界面态密度得到显著降低,栅介质的介电性能和可靠性得到提高。 展开更多
关键词 4H-SIC 金属氧化物半导体(mos)电容 原子层沉积(ALD) ALON 界面态 介质零时击穿(TZDB) 高k栅介质材料
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高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响
7
作者 周钦佩 张静 +3 位作者 夏经华 许恒宇 万彩萍 韩锴 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期754-758,共5页
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅氧化层。在室温下... SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅氧化层。在室温下,对SiC MOS电容样品的栅氧化层进行零时击穿(TZDB)和与时间有关的击穿(TDDB)测试,并对不同干氧氧化温度处理下的栅氧化层样品分别进行了可靠性分析。结果发现,在1 250℃下进行高温干氧氧化时所得的击穿场强和击穿电荷最大,分别为11.21 MV/cm和5.5×10-4C/cm^2,势垒高度(2.43 eV)最接近理论值。当温度高于1 250℃时生成的SiO_2栅氧化层的可靠性随之降低。 展开更多
关键词 SiC金属氧化物半导体(mos)器件 零时击穿(TZDB) 与时间有关的击穿(TDDB) 干氧氧化 可靠性
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温度对金属氧化物半导体传感器的影响研究 被引量：1
8
作者 金贵新 李世伟 《现代计算机（中旬刊）》 2016年第8期43-45,共3页
金属氧化物半导体传感器(MOS)既可以用于检测ppm级的有毒气体也可以用于检测百分比浓度的易燃易爆气体,无论是在工业现场的探测器还是在家庭中的报警器都有很广泛的应用。结合金属氧化物半导体传感器在检测有毒气体时温度对检测精度的影... 金属氧化物半导体传感器(MOS)既可以用于检测ppm级的有毒气体也可以用于检测百分比浓度的易燃易爆气体,无论是在工业现场的探测器还是在家庭中的报警器都有很广泛的应用。结合金属氧化物半导体传感器在检测有毒气体时温度对检测精度的影响,提出相应的温度补偿算法。实验表明,补偿后的金属氧化物半导体传感器能够实现对有毒气体的准确检测。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体传感器(mos) 气体传感器 温度 有毒气体
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