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Cl2/H2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用
被引量：
2
1
作者
江山
董雷
+2 位作者
张瑞康
罗勇
谢世钟
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期583-586,共4页
采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外...
采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15mA和0.3mW/mA,边模抑制比大于45dB。寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性。
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关键词
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
金属
氧化物
化学气相沉积
(
mocvd
)
分布反馈(DFB)激光器
可靠性
原文传递
题名
Cl2/H2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用
被引量：
2
1
作者
江山
董雷
张瑞康
罗勇
谢世钟
机构
武汉光迅科技股份有限公司
山东大学信息科学与工程学院
清华大学电子工程系
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期583-586,共4页
基金
国家高技术研究发展计划资助项目(2006AA03Z427)
国家重点基础研究发展规划资助项目(2003CB314903)
文摘
采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15mA和0.3mW/mA,边模抑制比大于45dB。寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性。
关键词
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
金属
氧化物
化学气相沉积
(
mocvd
)
分布反馈(DFB)激光器
可靠性
Keywords
inductive coupled plasma（ICP） etching
metal organic chemical vapour deposition （
mocvd
）
distribution feedback（DFB） laser
reliability
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cl2/H2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用
江山
董雷
张瑞康
罗勇
谢世钟
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
原文传递
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
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